公开(公告)号：KR1020100030450A

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：KR1020080089405

申请日：2008-09-10

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 이경우 ,  남필욱 ,  손승석

IPC: C30B15/14 ,  C30B15/20

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for growing a single crystal by a czochralski method are provided to reduce the manufacturing cost of the singly crystal by continuously introducing polycrystalline rods to form a long single crystal. CONSTITUTION: A melting phase is grown to a single crystal(S210). Polycrystalline rods are melted in the melting phase(S211). A grown single crystal is separated from the melting phase(S220). The amount of the melting phase which is grown to the single crystal and the amount of the polycrystalline which is melted in the melting phase are same. The single crystal is manufactured by a czochralski method.

Abstract translation: 目的：提供一种通过切克劳斯基法生长单晶的装置和方法，以通过连续引入多晶棒以形成长单晶来降低单晶的制造成本。 构成：将熔融相生长成单晶（S210）。 多晶棒在熔融阶段熔化（S211）。 将生长的单晶从熔融相分离（S220）。 生长到单晶中的熔融相的量和在熔融相中熔化的多晶的量相同。 单晶由切克劳斯基法制成。

公开(公告)号：KR101026390B1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：KR1020080089405

申请日：2008-09-10

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 이경우 ,  남필욱 ,  손승석

IPC: C30B15/14 ,  C30B15/20

Abstract: 본 발명은 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 단결정 제조 방법은 용융상이 단결정으로 성장되는 분량만큼 일정한 위치에서 다결정 로드를 연속해서 투입시킨다. 다결정 로드는 용융상 내부에서 용해가 일어난다. 본 발명에서 용융상은 실리콘 용융상이며, 다결정 로드는 실리콘 또는 도핑 물질이 첨가된 실리콘일 수 있다.
본 발명에 따르면 다결정 로드가 실리콘 용융상 내부에서 용해되므로, 용해되지 않은 실리콘에 의한 불안정과 스플래싱에 따른 유동 변화의 불안정을 줄일 수 있다.
단결정, 실리콘, 쵸크랄스키, 다결정 로드, 용융상