Abstract:
본 발명은 구형 압입자의 불완전형상 보정방법에 관한 것으로, 이는 접촉깊이에 따라 소재가 유효하게 반응하는 유효반지름을 정의해서, 불완전형상의 구형 압입자를 이용한 압입시험을 통해 평가되는 물성을 정확하게 유도할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다. 또한, 기준곡선을 이용한 간접보정법을 제시함으로써, 효율적으로 구형 압입자의 형상을 보정할 수 있는 장점이 있게 된다.
Abstract:
PURPOSE: A method for purifying high level waste from high energy radiation facility to middle level waste is provided to prevent environmental pollution. CONSTITUTION: In a multi-stage counter-current hull electrorefining process, nuclide and zirconium metal included in coating materials and hull are separated in a first molten salt two or more times. In a ternary salt purification process, the nuclide separated from the first molten salt is reduced to liquid metal. In a selective oxidation process, the nuclide reduced to the liquid metal is collected by using the contact reaction between a second molten salt and the liquid metal.
Abstract:
PURPOSE: A calibration method for an incomplete shape of a rounded indenter through continuous effective radius conduction is provided to accurately induce properties evaluated through an indentation test. CONSTITUTION: A calibration method for an incomplete shape of a rounded indenter through continuous effective radius conduction is as follows. A reference curve is induced by an indentation test of properties uniformly evaluated. A predicted property is evaluated using a relational expression(A=f(B)) used when the reference curve is induced. It is confirmed whether the evaluated property is the same as the reference curve. If the confirmed result is more than an allowable error, an arbitrary effective radius is changed until the property is the same as the reference curve.
Abstract:
본 발명은 구형 압입자의 불완전형상 보정방법에 관한 것으로, 이는 접촉깊이에 따라 소재가 유효하게 반응하는 유효반지름을 정의해서, 불완전형상의 구형 압입자를 이용한 압입시험을 통해 평가되는 물성을 정확하게 유도할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다. 또한, 기준곡선을 이용한 간접보정법을 제시함으로써, 효율적으로 구형 압입자의 형상을 보정할 수 있는 장점이 있게 된다.
Abstract:
PURPOSE: An apparatus and a method for growing a single crystal by a czochralski method are provided to reduce the manufacturing cost of the singly crystal by continuously introducing polycrystalline rods to form a long single crystal. CONSTITUTION: A melting phase is grown to a single crystal(S210). Polycrystalline rods are melted in the melting phase(S211). A grown single crystal is separated from the melting phase(S220). The amount of the melting phase which is grown to the single crystal and the amount of the polycrystalline which is melted in the melting phase are same. The single crystal is manufactured by a czochralski method.
Abstract:
고에너지 방사선 시설에서 발생하는 고준위 폐기물을 중저준위 폐기물로 정화하는 방법이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 고에너지 방사선 시설에서 발생하는 고준위 폐기물을 중저준위 폐기물로 정화하는 방법은, 경수로, 중수로, 연구로, 고속로, 가속기 및 핵융합로를 포함하는 고에너지 방사선 시설 중 하나에서 발생하는 사용후핵연료에서 장수명 핵종을 분리하여 회수하는 건식분리공정(PyroProcess)에 추가하여, 상기 고에너지 방사선 시설의 고준위 방사성 폐기물인 피복 물질 및 집합체 구조물질(Hull)에 포함되어 있는 장수명 핵종과 지르코늄 금속을 제1 용융염 내에서 분리하는 공정을 2회 이상 반복 수행하는 다단계 향류 헐 전해정련 공정 단계; 상기 제1 용융염 내에서 분리된 장수명 핵종을 액체 금속의 내부로 환원시키는 정제 공정 단계; 상기 액체 금속의 내부로 환원된 장수명 핵종을 제2 용융염과 상기 액체 금속 간의 접촉 반응을 이용하여 회수하는 선택적 산화 공정 단계를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 단결정 제조 방법은 용융상이 단결정으로 성장되는 분량만큼 일정한 위치에서 다결정 로드를 연속해서 투입시킨다. 다결정 로드는 용융상 내부에서 용해가 일어난다. 본 발명에서 용융상은 실리콘 용융상이며, 다결정 로드는 실리콘 또는 도핑 물질이 첨가된 실리콘일 수 있다. 본 발명에 따르면 다결정 로드가 실리콘 용융상 내부에서 용해되므로, 용해되지 않은 실리콘에 의한 불안정과 스플래싱에 따른 유동 변화의 불안정을 줄일 수 있다. 단결정, 실리콘, 쵸크랄스키, 다결정 로드, 용융상