公开(公告)号：WO2022035020A1

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：PCT/KR2021/005845

申请日：2021-05-11

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김진영 ,  지수근 ,  박익재 ,  안유진

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0216

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 와이드 밴드갭을 가지는 페로브스카이트 박막의 제조방법은 ABX3 구조의 페로브스카이트 물질으로 박막을 제조하되, X site는 순수한 요오드가 되도록 하여 할라이드 분리 문제를 원천적으로 방지하면서, 1.6 eV를 초과하는 와이드 밴드갭을 A site의 일부를 세슘을 조성으로 한다. 이때, 이온크기가 큰 양이온을 A site의 다른 일부로 함으로써 세슘의 작은 이온크기로 인해 상온에서 제조된 페로브스카이트 박막을 이용한 소자의 안정성 및 성능이 떨어지는 문제를 해결하였다. 특히, 제조과정에서 페로브스카이트 물질의 전구체 조성물에 첨가제로 1가 양이온과 염소의 화합물(예를 들어, MACl(Methylammonium chloride))을 첨가함으로써 제조 과정 중 안티솔밴트를 처리한 직후 생성되는 세슘-리치한 페로브스카이트의 tolerance factor를 ~0.9 수준으로 증가시킴으로써 이 후 열처리 과정에서 석출되는 세슘-결핍(decifit)한 용질의 tolerance factor(~1.0)와의 차이를 줄여 이차상으로 생성되는 것을 방지할 수 있다.