Ba-Sn-M-O 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지 광전극
    1.
    发明申请
    Ba-Sn-M-O 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지 광전극 审中-公开
    包含BA-SN-M-O半导体膜的DYE SENSITIZED SOLAR CELL PHOTOELECTRODE

    公开(公告)号:WO2015016399A1

    公开(公告)日:2015-02-05

    申请号:PCT/KR2013/006811

    申请日:2013-07-30

    CPC classification number: H01G9/2027 H01G9/2059 Y02E10/542

    Abstract: Ba-Sn-O 기반의 신규한 다성분계 산화물 반도체막을 구비한 광전극이 개시된다. 본 발명은 도전성 투명 기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 다성분계 산화물 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극을 제공한다. 상기 반도체막의 조성은 BaSnO 3 : M (여기서, M은 BaSnO 3 에 도핑되며, Sr, Ca, Mg, Zn, Pb, Ti, Mn, Sb, K, In, Zr, Te, Fe, Y, Sm, Sc, Co, La 및 Rh로 이루어진 금속 원소 중 최소한 1종의 금속)으로 표현될 수 있다. 본 발명에 따르면, BaSnO 3 반도체 산화막의 광전 에너지 변환 효율을 향상시켜 고효율의 태양전지 셀의 제조를 가능하게 하는 광전극을 제공할 수 있게 된다.

    Abstract translation: 公开了一种包括新型Ba-Sn-O基多组分氧化物半导体膜的光电极。 本发明提供了一种染料敏化太阳能电池光电极,包括:导电透明基板; 以及在该基板上形成的多成分氧化物半导体膜。 半导体膜的组成可以由BaSnO 3:M表示(这里,M是在BaSnO 3中掺杂的金属,并且包含选自Sr,Ca,Mg,Zn,Pb,Ti,Mn,Sb,K, In,Zr,Te,Fe,Y,Sm,Sc,Co,La和Rh)。 根据本发明,可以提供通过提高BaSnO 3半导体氧化膜的光电能转换效率来制造高效太阳能电池的光电极。

    와이드 밴드갭을 가지는 페로브스카이트 박막의 제조 방법, 이에 의해 제조된 페로브스카이트 박막, 이를 포함하는 태양전지

    公开(公告)号:WO2022035020A1

    公开(公告)日:2022-02-17

    申请号:PCT/KR2021/005845

    申请日:2021-05-11

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 와이드 밴드갭을 가지는 페로브스카이트 박막의 제조방법은 ABX3 구조의 페로브스카이트 물질으로 박막을 제조하되, X site는 순수한 요오드가 되도록 하여 할라이드 분리 문제를 원천적으로 방지하면서, 1.6 eV를 초과하는 와이드 밴드갭을 A site의 일부를 세슘을 조성으로 한다. 이때, 이온크기가 큰 양이온을 A site의 다른 일부로 함으로써 세슘의 작은 이온크기로 인해 상온에서 제조된 페로브스카이트 박막을 이용한 소자의 안정성 및 성능이 떨어지는 문제를 해결하였다. 특히, 제조과정에서 페로브스카이트 물질의 전구체 조성물에 첨가제로 1가 양이온과 염소의 화합물(예를 들어, MACl(Methylammonium chloride))을 첨가함으로써 제조 과정 중 안티솔밴트를 처리한 직후 생성되는 세슘-리치한 페로브스카이트의 tolerance factor를 ~0.9 수준으로 증가시킴으로써 이 후 열처리 과정에서 석출되는 세슘-결핍(decifit)한 용질의 tolerance factor(~1.0)와의 차이를 줄여 이차상으로 생성되는 것을 방지할 수 있다.

    생체이식 가능한 몸체 및 그 표면처리방법
    3.
    发明公开
    생체이식 가능한 몸체 및 그 표면처리방법 有权
    生物可植入装置及其表面改性方法

    公开(公告)号:KR1020110059954A

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:KR1020090116408

    申请日:2009-11-30

    Abstract: PURPOSE: A bio-implantable device and a surface treatment method thereof are provided to enhance coupling power of bone and an implant by forming grooves on the surface of the implant. CONSTITUTION: A surface treatment method of a bio-implantable device comprises: a step forming grooves having the diameter of 10-50 micrometers on the surface of the bio-implantable device; and a step of forming a titanium dioxide nanoporous layer inside the groove. The formation of the groove is performed in a method of removing coated materials with an etching solution after spraying and coating biocompatible materials of a powdered state on the surface of the groove through a low temperature atomizing method. The nanoporous layer is formed through an anodizing method.

    Abstract translation: 目的:提供生物可植入装置及其表面处理方法,以通过在植入物的表面上形成沟槽来增强骨骼和植入物的耦合力。 构成:生物可植入装置的表面处理方法包括:在生物可植入装置的表面上形成具有10-50微米直径的槽; 以及在槽内形成二氧化钛纳米多孔层的工序。 在通过低温雾化法在槽表面喷涂和涂覆粉末状的生物相容性材料之后,用蚀刻溶液除去涂覆材料的方法进行凹槽的形成。 纳米孔层通过阳极氧化法形成。

    Ba-Su―M―O 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지 광전극
    4.
    发明授权
    Ba-Su―M―O 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지 광전극 有权
    用于包含BA-SN-M-O半导体膜的太阳能电池的光电电极

    公开(公告)号:KR101463234B1

    公开(公告)日:2014-11-25

    申请号:KR1020130089522

    申请日:2013-07-29

    CPC classification number: H01G9/2027 H01G9/2059 Y02E10/542

    Abstract: Ba-Sn-O 기반의 신규한 다성분계 산화물 반도체막을 구비한 광전극이 개시된다. 본 발명은 도전성 투명 기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 다성분계 산화물 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극을 제공한다. 상기 반도체막의 조성은 BaSnO
    3 : M (여기서, M은 BaSnO
    3 에 도핑되며, Sr, Ca, Mg, Zn, Pb, Ti, Mn, Sb, K, In, Zr, Te, Fe, Y, Sm, Sc, Co, La 및 Rh로 이루어진 금속 원소 중 최소한 1종의 금속)으로 표현될 수 있다. 본 발명에 따르면, BaSnO
    3 반도체 산화막의 광전 에너지 변환 효율을 향상시켜 고효율의 태양전지 셀의 제조를 가능하게 하는 광전극을 제공할 수 있게 된다.

    Abstract translation: 公开了一种包括基于Ba-Sn-O的新的多组分氧化物半导体膜的光电极。 在本发明中提供了一种用于染料敏化太阳能电池的光电极,其包括导电透明基板; 以及形成在所述基板上的多组分氧化物半导体膜。 半导体膜的组成可以表示为BaSnO_3:M。 (M掺杂在BaSnO_3上,并且是由Sr,Ca,Mg,Zn,Pb,Ti,Mn,Sb,K,In,Zr,Te,Fe,Y,Sm组成的金属元素中的至少一种金属, Sc,Co,La和Rh。)根据本发明,提供了一种提高BaSnO_3半导体氧化膜的光电能转换效率以能够制造高效率太阳能电池的光电极。

    양극 산화와 연마를 이용한 표면 처리 방법
    5.
    发明公开
    양극 산화와 연마를 이용한 표면 처리 방법 无效
    使用阳极处理和抛光处理表面的方法

    公开(公告)号:KR1020110119100A

    公开(公告)日:2011-11-02

    申请号:KR1020100038605

    申请日:2010-04-26

    CPC classification number: C25D11/16 B24B37/04

    Abstract: PURPOSE: A surface treatment method using anodizing and polishing processes is provided to evenly form a nanoporous layer with reduced surface roughness by polishing a metal surface with diamonds and anodizing the metal surface. CONSTITUTION: A surface treatment method using anodizing and polishing is as follows. A metal surface is processed with a grinder and polished with diamonds. The polished surface is anodized. A nanoporous layer is formed on the metal surface without corrosion.

    Abstract translation: 目的:提供使用阳极氧化和抛光工艺的表面处理方法,通过用金刚石抛光金属表面并阳极氧化金属表面来均匀地形成具有降低的表面粗糙度的纳米多孔层。 构成:使用阳极氧化和抛光的表面处理方法如下。 用研磨机处理金属表面并用钻石抛光。 抛光表面经阳极氧化处理。 在金属表面上形成纳米多孔层而没有腐蚀。

    산화 티타늄 나노 튜브 재료 및 그 제조 방법
    6.
    发明公开
    산화 티타늄 나노 튜브 재료 및 그 제조 방법 有权
    氧化钛组成的纳米管材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120075957A

    公开(公告)日:2012-07-09

    申请号:KR1020100137887

    申请日:2010-12-29

    Abstract: PURPOSE: A titanium oxide nanotube material and a manufacturing method thereof are provided to improve electro-optical characteristic by arranging surface or direction of a tetragonal crystal system as a preferred direction. CONSTITUTION: A titanium oxide nanotube material has a crystal structure which is aligned in direction of a tetragonal crystal system as a preferred direction. Full width at half maximum of the rocking curve for surface peak of XRD data(004) is 11.1-20.3 degrees. A manufacturing method of the titanium oxide nanotube material comprises the following steps: preparing electrolyte having the moisture content of 1.5-2.5 wt%; dipping a titanium substrate in a vessel in which electrolyte is put; growing the titanium oxide nanotube on the titanium substrate by processing anodizing; desiccating the titanium substrate by washing; and crystallizing the titanium oxide nanotube by heat-treating the desiccated titanium substrate.

    Abstract translation: 目的:提供一种二氧化钛纳米管材料及其制造方法,通过将四方晶系的表面或方向作为优选方向来提高电光特性。 构成:氧化钛纳米管材料具有在四方晶系的方向上作为优选方向排列的晶体结构。 XRD数据(004)表面峰值摇摆曲线半峰全宽为11.1-20.3度。 氧化钛纳米管材料的制造方法包括以下步骤:制备水分含量为1.5-2.5重量%的电解质; 将钛基材浸渍在其中放置电解质的容器中; 通过加工阳极氧化在钛基板上生长钛氧化物纳米管; 通过洗涤干燥钛基材; 并通过对干燥的钛基底进行热处理来使钛氧化物纳米管结晶。

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