公开(公告)号：KR101540881B1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：KR1020140030845

申请日：2014-03-17

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 황철성 ,  안철현

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 원자층증착법으로증착하여단차피복성이향상된루세늄박막을증착하기위해서본 발명의실시예에따른루세늄박막증착방법은온도가 140℃내지 170℃인기판상에루세늄전구체를공급하는제 1 단계; 상기루세늄전구체를퍼지시키는불활성기체를공급하는제 2 단계; 상기루세늄전구체를환원시키는기체를공급하는제 3 단계; 및상기기판상에증착후 남은상기루세늄전구체를퍼지시키는퍼지가스를공급하는제 4 단계를포함할수 있다.

Abstract translation: 为了通过原子层沉积法沉积具有改善的台阶覆盖率的钌薄膜，本发明实施例的沉积钌薄膜的方法可包括：将钌前体供应到 其温度在140-170℃的范围内; 提供清洗钌前体的惰性气体的第二步骤; 提供还原钌前体的气体的第三步骤; 以及第四步骤，在沉积在基底上之后，提供净化钌前体的清洗气体。