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公开(公告)号：WO2019027104A1
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：PCT/KR2017/013965
申请日：2017-11-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: D01D5/0061 , D01D5/06
Abstract: 본 발명은 전기적 변수 인가 습식방사법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 전기적 변수 인가 습식방사법은 고분자 및 용매를 포함하는 방사액에 전압을 인가하여 상기 방사액을 이온화하는 단계; 상기 이온화된 방사액을 응고액 중으로 방사하여 응고사를 수득하는 단계; 및 상기 응고사를 연신하여 고분자 섬유를 형성하는 단계;를 포함하며, 이온화된 방사액에 의해 응고사 내부의 용매와 응고액 내의 비용매의 교환을 촉진시켜 역학적 특성이 향상된 고분자 섬유를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020180092338A
公开(公告)日：2018-08-20
申请号：KR1020170017685
申请日：2017-02-08
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 인하대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/283 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L51/055 , H01L51/105
Abstract: 본발명은섬유형트랜지스터, 이의제조방법및 섬유형트랜지스터를포함하는직물형집적회로에관한것이다. 더욱상세하게는소스-드레인섬유및 게이트섬유가상호교차되어형성된섬유형트랜지스터및 상기섬유형트랜지스터를복수개 포함하는직물형집적회로를제공한다. 따라서본 발명은소스-드레인섬유및 게이트섬유가각각형성되고상호교차되어 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조를갖는섬유형트랜지스터를구성할수 있으며상기섬유형트랜지스터를복수개 형성하여직물자체에트랜지스터성능을부여할수 있는직물형집적회로를구현할수 있다.
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公开(公告)号：KR101914514B1
公开(公告)日：2018-11-05
申请号：KR1020170017685
申请日：2017-02-08
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은섬유형트랜지스터, 이의제조방법및 섬유형트랜지스터를포함하는직물형집적회로에관한것이다. 더욱상세하게는소스-드레인섬유및 게이트섬유가상호교차되어형성된섬유형트랜지스터및 상기섬유형트랜지스터를복수개 포함하는직물형집적회로를제공한다. 따라서본 발명은소스-드레인섬유및 게이트섬유가각각형성되고상호교차되어 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조를갖는섬유형트랜지스터를구성할수 있으며상기섬유형트랜지스터를복수개 형성하여직물자체에트랜지스터성능을부여할수 있는직물형집적회로를구현할수 있다.
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