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公开(公告)号：WO2020101065A1
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：PCT/KR2018/013932
申请日：2018-11-14
Applicant: 울산대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 통전압접장치 및 통전압접방법은 제 1금속부재 및 제 2 금속부재를 서로 접합시키는 것으로, 전극부; 및 상기 제 1금속부재와 상기 제 2금속부재 사이에 복수개의 미세기공을 포함하도록 형성되는 매개부가 삽입되고, 상기 전극부와 연결되어 상기 전극부로부터 전류를 인가받아 상기 제 1금속부재 및 상기 제 2금속부재에 전달하며, 상기 제 1금속부재에 압력을 가함으로써 상기 매개부를 통하여 상기 제 1금속부재 및 제 2 금속부재를 접합시키는 압력부를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2019027104A1
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：PCT/KR2017/013965
申请日：2017-11-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: D01D5/0061 , D01D5/06
Abstract: 본 발명은 전기적 변수 인가 습식방사법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 전기적 변수 인가 습식방사법은 고분자 및 용매를 포함하는 방사액에 전압을 인가하여 상기 방사액을 이온화하는 단계; 상기 이온화된 방사액을 응고액 중으로 방사하여 응고사를 수득하는 단계; 및 상기 응고사를 연신하여 고분자 섬유를 형성하는 단계;를 포함하며, 이온화된 방사액에 의해 응고사 내부의 용매와 응고액 내의 비용매의 교환을 촉진시켜 역학적 특성이 향상된 고분자 섬유를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2021187964A1
公开(公告)日：2021-09-23
申请号：PCT/KR2021/095007
申请日：2021-01-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 소결체의 형성 방법은 텡스텐(W) 분말을 흑연몰드 내에 배치하는 제 1 단계; 상기 텡스텐 분말과 상기 흑연몰드 사이에 탄탈륨(Ta) 호일을 개재하는 제 2 단계; 및 소결공정으로 상기 텅스텐 분말로부터 텅스텐 소결체를 형성하는 제 3 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2019088796A1
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：PCT/KR2018/013371
申请日：2018-11-06
Applicant: 울산대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 통전압접방법은 전극부와, 상기 제 1금속부재에 압력을 가하는 가압부와, 상기 제 2금속부재가 맞닿도록 배치되는 고정부를 포함하는 통전압접장치를 이용하여, 상호 기계적 체결이 가능한 제 1금속부재와 제 2금속부재를 서로 접합시키는 통전압접방법에 있어서, 상기 제 2금속부재에 상기 제 1금속부재를 기계적 체결하는 기계적 체결단계; 상기 제 2금속부재에 기계적 체결된 상기 제 1금속부재 및 상기 제 2금속부재에 상기 전극부를 연결시키는 전극부 연결단계; 상기 전극부로부터 전류를 인가받고, 상기 가압부를 통하여 상기 제 1금속부재에 압력을 가함으로써, 상기 제 1금속부재 및 상기 제 2금속부재를 통전압접 접합시키는 통전압접접합단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2010005157A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/KR2009/000980
申请日：2009-02-27
CPC classification number: C22F1/06 , B23K26/0084 , C21D1/09
Abstract: 마그네슘 합금의 성형성 증가 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 마그네슘 합금의 성형성 증가 방법은 마그네슘 합금의 표면에 레이저를 조사(照射)하는 방식으로 고(高) 에너지를 공급함으로써 마그네슘 합금의 집합조직(texture)을 제어하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了一种提高镁合金成型性的方法。 根据本发明，镁合金的成形性的提高方法通过在其上照射激光而向镁合金的表面提供高能量，从而可以控制镁合金的织构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2015041390A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：PCT/KR2014/001290
申请日：2014-02-18
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02439 , C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/02164 , H01L21/0242 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L29/04 , H01L29/2003
Abstract: 본 발명은 질화갈륨의 결함 밀도를 현저하게 감소시킬 수 있는 박막 구조체 및 그 제조방법으로서, 사파이어를 포함하는 지지기판 및 상기 지지기판 상에 배치되며 질화갈륨을 포함하는 에피층을 포함하며, 상기 에피층에 대향되는 상기 지지기판의 상부는 규소가 상기 지지기판의 상부면을 통하여 확산되거나 이온주입된 층으로 이루어지는, 박막 구조체를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及可以显着降低氮化镓键合密度的薄膜结构及其制造方法。 提供了一种薄膜结构，其包括含蓝宝石的支撑衬底，并且包括设置在支撑衬底上并包含氮化镓的外延层; 并且支撑衬底的面向外延层的上部由其中硅通过支撑衬底的上表面扩散或离子注入的层制成。
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公开(公告)号：KR101957481B1
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：KR1020170105675
申请日：2017-08-21
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 울산대학교 산학협력단
IPC: C21D10/00
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