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公开(公告)号：KR101264533B1
公开(公告)日：2013-05-14
申请号：KR1020110072779
申请日：2011-07-22
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
Abstract: 본발명의실시예들은상변화메모리소자및 이의제조방법에관한것이다. 일실시예에따른상변화메모리소자의제조방법은, 기판상에콘택홀을포함하는층간절연막을형성하는단계; 상기층간절연막의상기콘택홀을채우도록, 상기층간절연막상에상변화재료층및 버퍼층을교번시켜적층함으로써, 적층된층 구조내에상기상변화재료층과상기버퍼층사이의접촉계면을적어도하나이상형성하는단계; 및상기적층된층 구조를열처리하여, 상기콘택홀 내로상기상변화재료층을리플로우시키는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110049177A
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：KR1020090106075
申请日：2009-11-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: C23C16/305 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: A method for depositing a chalcogenide thin film is provided to make a Te precursor, a Ge precursor, and a Sb precursor to directly react each other, thereby depositing a chalcogenide thin film without a separate reducing agent. CONSTITUTION: A chalcogenide thin film is deposited without a reducing agent such as H2, NH3, and alcohol at a low temperature which is under 100°C. A Te precursor, a Ge precursor, and a Sb precursor directly react each other so that a chalcogenide thin film such as Ge-Te, Sb-Te, and Ge-Sb-Te are deposited on a TiN substrate. Si is coupled with Te in a Te precursor. Oxygen is coupled with Ge and Sb in the Ge precursor and Sb precursor. A deposition temperature is reduced between 50 and 80°C.
Abstract translation: 目的：提供一种沉积硫族化物薄膜的方法，使Te前体，Ge前体和Sb前体直接相互反应，从而沉积无需单独还原剂的硫族化物薄膜。 构成：在低于100℃的低温下，不含还原剂如H 2，NH 3和醇沉积硫族化物薄膜。 Te前体，Ge前体和Sb前体直接相互反应，使得诸如Ge-Te，Sb-Te和Ge-Sb-Te的硫族化物薄膜沉积在TiN衬底上。 Si在Te前体中与Te结合。 氧与Ge前体和Sb前体中的Ge和Sb结合。 沉积温度在50至80℃之间降低。
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公开(公告)号：KR1020160019749A
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020140104469
申请日：2014-08-12
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/34
Abstract: 본발명은반도체소자의제조장치내에서수행되는반복적인공정들의진행모니터링방법및 모니터링시스템에관한것이다. 본발명의일 실시예는, 반도체소자의제조장치에장착되어있는하나이상의센서들에의해상기반복적인공정들중 정상적으로수행된기준공정으로부터제 1 중간신호를수신하여기준패턴을정의하는단계; 상기기준공정이후의동일후 공정으로부터상기하나이상의센서에의해실시간으로제 2 중간신호를수신하여피분석패턴을정의하는단계; 및상기기준패턴과상기피분석패턴을비교하여, 상기동일후 공정의이상유무를판정하는단계를포함하는공정진행모니터링방법을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于监视由半导体器件制造装置执行的重复处理的方法和使用该方法的监视系统。 根据本发明的实施例包括以下步骤：通过安装在用于制造半导体器件的装置中的至少一个传感器从所述重复处理中接收来自正常执行的参考过程的第一中间信号来定义参考图案; 通过所述至少一个传感器从参考过程之后的相同后处理中实时接收第二中间信号来定义目标分析模式; 并且比较参考图案和目标分析图案以确定在相同的后期处理中是否存在错误。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130011550A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020110072779
申请日：2011-07-22
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a manufacturing method thereof are provided to form a high density phase change memory film and to prevent the deterioration of the phase change memory film. CONSTITUTION: An interlayer insulating film(20) including a contact hole is formed on a substrate. A phase change material layer(30a) and a buffer layer(30b) are alternatively formed on the inter layer insulating film to fill the contact hole of the inter layer insulating film. The contact interface between the buffer layer and the phase change material layer are formed in the laminated structure. The laminated structure is heat-treated to reflow the phase change material layer in the contact hole.
Abstract translation: 目的：提供相变存储器件及其制造方法以形成高密度相变存储膜并防止相变存储膜的劣化。 构成：在基板上形成包括接触孔的层间绝缘膜（20）。 交替地在层间绝缘膜上形成相变材料层（30a）和缓冲层（30b），以填充层间绝缘膜的接触孔。 缓冲层和相变材料层之间的接触界面形成在层叠结构中。 对层叠结构进行热处理以使接触孔中的相变材料层回流。
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公开(公告)号：KR1020110049182A
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：KR1020090106081
申请日：2009-11-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/305 , H01L45/141 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: A method for etching a chalcogenide thin film and method for cleaning a chalcogenide thin film depositing device are provided to easily etch a chalcogenide thin film using NH3 plasma. CONSTITUTION: A chalcogenide thin film is formed on a substrate to form a lamination structure. A chalcogenide thin film is etched by supplying NH3 plasma to the chalcogenide thin film. The chalcogenide thin film is etched at a temperature which is above 180°C. The chalcogenide thin film is deposited using a chalcogenide thin film depositing device. The inside of the chalcogenide thin film depositing device is cleaned by supplying NH3 plasma to the chalcogenide thin film depositing device.
Abstract translation: 目的：蚀刻硫族化物薄膜的方法和清洗硫族化物薄膜沉积装置的方法是为了使用NH 3等离子体容易地蚀刻硫族化物薄膜。 构成：在基板上形成硫族化物薄膜以形成层压结构。 通过向硫族化物薄膜提供NH 3等离子体来蚀刻硫族化物薄膜。 在高于180℃的温度下蚀刻硫族化物薄膜。 使用硫族化物薄膜沉积装置沉积硫族化物薄膜。 硫属化物薄膜沉积装置的内部通过向硫族化物薄膜沉积装置提供NH 3等离子体来清洗。
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公开(公告)号：KR101735158B1
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020140104469
申请日：2014-08-12
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/66
Abstract: 본발명은반도체소자의제조장치내에서수행되는반복적인공정들의진행모니터링방법및 모니터링시스템에관한것이다. 본발명의일 실시예는, 반도체소자의제조장치에장착되어있는하나이상의센서들에의해상기반복적인공정들중 정상적으로수행된기준공정으로부터제 1 중간신호를수신하여기준패턴을정의하는단계; 상기기준공정이후의동일후 공정으로부터상기하나이상의센서에의해실시간으로제 2 중간신호를수신하여피분석패턴을정의하는단계; 및상기기준패턴과상기피분석패턴을비교하여, 상기동일후 공정의이상유무를판정하는단계를포함하는공정진행모니터링방법을포함한다.
Abstract translation: 技术领域本发明涉及用于制造半导体器件的设备中执行的重复工艺的进展监测方法和监测系统。 本发明的实施例包括：通过附接到半导体器件的制造装置的一个或多个传感器从重复处理中的正常执行的参考处理接收第一中间信号以限定参考图案的步骤; 在由所述至少一个传感器进行的参考处理之后，从相同的后处理中实时接收第二中间信号以定义待分析的图案; 并且将参考模式与分析模式进行比较以确定在相同的后处理中是否存在异常。
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公开(公告)号：KR101079634B1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：KR1020090106081
申请日：2009-11-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
Abstract: 본발명은 NH플라즈마를이용하여, 칼코제나이드계박막을에칭하는방법과칼코제나이드계박막증착장치를클리닝하는방법에관한것이다. 본발명에따른칼코제나이드계박막에칭방법은기판상에칼코제나이드계박막이형성되어있는적층구조물을준비하고, 칼코제나이드계박막상에 NH플라즈마를공급하여칼코제나이드계박막을에칭한다. 그리고본 발명에따른칼코제나이드계박막증착장치클리닝방법은칼코제나이드계박막증착장치를이용하여칼코제나이드계박막증착을수행한다음, 칼코제나이드계박막증착장치내부에 NH플라즈마를공급하여칼코제나이드계박막증착장치내부를클리닝한다.
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公开(公告)号：KR101071251B1
公开(公告)日：2011-10-10
申请号：KR1020090106075
申请日：2009-11-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 100℃ 이하의 저온에서 H
2 , NH
3 , 알코올과 같은 환원제를 이용하지 않고 칼코제나이드계 박막을 증착할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 칼코제나이드계 박막 증착방법은 기판 상에 화학식 1로 표현되는 Te 전구체(precursor)에 화학식 2로 표현되는 Ge 전구체 및 화학식 3으로 표현되는 Sb 전구체 중 적어도 하나를 반응시켜 칼코제나이드계 박막을 형성한다. 이때, 화학식 1의 R
1 내지 R
6 , 상기 화학식 2의 R
7 내지 R
10 및 상기 화학식 3의 R
11 내지 R
13 은 알킬(alkyl)이다.
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