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公开(公告)号：KR101101780B1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：KR1020090083292
申请日：2009-09-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 본 발명은 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 질화물이 아닌 기판 위에 질화물 박막을 형성하게 되면 기판과 질화물 박막간의 격자상수 차이에 의하여 많은 결함이 생기게 된다. 또한 기판과 질화물 박막간의 열팽창 계수 차이에 의하여 기판이 휘어지는 문제가 있다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하고자, 속이 비어 있는 입자, 즉 중공 구조물을 기판 상에 도포한 다음 그 위에 질화물 박막을 성장시킨 박막 구조 및 그 형성 방법을 제안한다. 본 발명에 따르면, 중공 구조물에 의한 ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 효과를 얻을 수 있어 고품질의 질화물 박막을 형성할 수 있으며, 박막 구조 안의 굴절률이 조절됨에 따라 본 발명에 따른 박막 구조를 LED와 같은 발광 소자로 제작시 광추출 효율이 증가되는 효과가 있다. 뿐만 아니라 기판의 열팽창 계수가 질화물 박막에 비하여 더 큰 경우에는 질화물 박막 안의 중공 구조물 압축에 따라 질화물 박막의 전체 응력이 감소되어 기판의 휘어짐을 방지하는 효과도 있다.
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公开(公告)号：KR1020120003413A
公开(公告)日：2012-01-10
申请号：KR1020110135332
申请日：2011-12-15
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/02458 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: PURPOSE: A substrate for a semiconductor device, a nitrogen thin film structure using the same, and a forming method thereof are provided to obtain an ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) effect due to a hollow structure by growing a nitrogen thin film from the exposed substrate surface around the hollow structure. CONSTITUTION: A substrate(300) is used for a heterogeneous epitaxial thin film growth of semiconductor materials. A plurality of hollow structures(305) have an empty particle shape on the substrate. A nitride thin film(315) is formed on the substrate. The nitride thin film is comprised of two or more films. A buffer layer(310) is formed between the substrate and the nitride thin film.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体器件的衬底，使用其的氮薄膜结构及其形成方法，以通过从暴露的衬底生长氮薄膜而获得由于中空结构而产生的ELO（外延横向过度生长）效应 表面围绕中空结构。 构成：衬底（300）用于半导体材料的异质外延薄膜生长。 多个中空结构（305）在基板上具有空的颗粒形状。 在基板上形成氮化物薄膜（315）。 氮化物薄膜由两个或更多个膜组成。 在衬底和氮化物薄膜之间形成缓冲层（310）。
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公开(公告)号：KR1020100029704A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：KR1020090083292
申请日：2009-09-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: PURPOSE: A nitride thin film structure and a forming method thereof are provided to manufacture an optoelectronic device with high efficiency and high reliability by growing up nitride semiconductor epitaxial layer with superior material property. CONSTITUTION: A nitride thin film structure and a forming method thereof comprise a substrate(100), a hollow structure(105), and a nitride thin film(120). The nitride film comprises a first nitride film, a second nitride film, and a third nitride film. The first nitride film is form on a buffering layer above a hollow structure. The second nitride film is formed on the first nitride film. The third nitride film is formed on the second nitride film. The hollow structure is spread in the top of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种氮化物薄膜结构及其形成方法，通过生长具有优异材料性质的氮化物半导体外延层来制造具有高效率和高可靠性的光电子器件。 构成：氮化物薄膜结构及其形成方法包括基板（100），中空结构（105）和氮化物薄膜（120）。 氮化物膜包括第一氮化物膜，第二氮化物膜和第三氮化物膜。 第一氮化物膜形成在中空结构上方的缓冲层上。 第二氮化物膜形成在第一氮化物膜上。 第三氮化物膜形成在第二氮化物膜上。 中空结构扩散在基板的顶部。
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公开(公告)号：KR101466037B1
公开(公告)日：2014-11-28
申请号：KR1020110135332
申请日：2011-12-15
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 반도체 소자용 기판, 이러한 기판 위에 형성한 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 질화물이 아닌 기판 위에 질화물 박막을 형성하게 되면 기판과 질화물 박막간의 격자상수 차이에 의하여 많은 결함이 생기게 된다. 또한 기판과 질화물 박막간의 열팽창 계수 차이에 의하여 기판이 휘어지는 문제가 있다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하고자, 속이 비어 있는 입자, 즉 중공 구조물을 기판 상에 코팅한 박막 구조와 같은 새로운 반도체 소자용 기판, 그 위에 질화물 박막을 성장시킨 박막 구조, 그 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자를 제안한다. 본 발명에 따르면, 중공 구조물에 의한 ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 효과를 얻을 수 있어 고품질의 질화물 박막을 형성할 수 있으며, 박막 구조 안의 굴절률이 조절됨에 따라 본 발명에 따른 박막 구조를 LED와 같은 발광 소자로 제작시 광추출 효율이 증가되는 효과가 있다. 뿐만 아니라 질화물 박막의 전체 응력이 감소되어 기판의 휘어짐을 방지하는 효과도 있다.
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