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公开(公告)号：WO2012161451A2
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：PCT/KR2012/003782
申请日：2012-05-15
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 윤의준 , 하신우
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L29/0657 , H01L33/0079
Abstract: 본 발명에서는 기판과 질화물 반도체 사이의 격자상수 및 열팽창계수 차이에 의한 응력 발생과 그로 인한 기판 휘어짐 현상을 조절하기 위해서, 희생층을 기판 위에 형성하고 다양한 방법으로 패터닝한 후, 그 위에 무기물 박막을 형성하고 나서 선택적으로 희생층을 제거하여, 기판 위에 기판과 무기물 박막으로 정의되는 빈 공간(cavity)을 형성하는 반도체 박막 형성 방법 및 이러한 방법으로 형성된 반도체 박막 구조를 제안한다.
Abstract translation: 公开了使用该方法形成半导体薄膜和半导体薄膜结构的方法。 为了防止由基板和氮化物半导体之间的晶格常数和热膨胀系数差引起的应力以及由此导致的基板翘曲，该方法包括：在基板上形成牺牲层并通过各种方法图案化该层; 并在其上形成无机薄膜，并且选择性地除去牺牲层以便在衬底上形成空腔，所述空腔由衬底和无机薄膜限定。
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公开(公告)号：WO2009088198A2
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/KR2009/000038
申请日：2009-01-06
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 권성훈 , 윤의준 , 박욱
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/44 , H01L25/0753 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드(light emitting diode, 이하 간략히 LED라 함) 코팅 방법에 관한 발명으로서, 보다 구체적으로 LED에 형광체, 몰딩 등을 코팅하는데 사용될 수 있는 LED 코팅 방법에 관한 발명이다. 본 발명 일측면은 (a) 기판, 상기 기판 위에 배열된 복수의 LED를 준비하는 단계; (b) 상기 기판 및 상기 복수의 LED 위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및 (c) 상기 포토레지스트에 선택적으로 광을 노출함으로써, 상기 복수의 LED의 표면에 제1 코팅-상기 제1 코팅은 경화된 상기 포토레지스트임-을 형성하는 단계를 구비하는 LED 코팅 방법을 제공하는 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种发光二极管（以下简称为LED）涂覆方法，更具体地说，涉及一种可用于涂覆磷光体的LED涂覆方法， 本发明涉及。 根据本发明的一个方面，提供了一种制造发光器件的方法，包括以下步骤：（a）准备衬底;布置在衬底上的多个LED; （b）在衬底和多个LED上施加光刻胶; 并且（c）选择性地将光致抗蚀剂暴露于光下，由此在多个LED的表面上形成第一涂层，其中第一涂层是固化的光致抗蚀剂。
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公开(公告)号：KR101809252B1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020170024938
申请日：2017-02-24
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 주식회사 헥사솔루션
Abstract: 본발명에따른반도체적층구조는질화물반도체와이종인단결정기판, 기판과의사이에빈 공간(cavity)이정의되도록기판상에형성되고기판과같은결정구조로적어도일부결정화된무기물박막, 및빈 공간위의결정화된무기물박막상에서부터성장된질화물반도체층을포함한다. 본발명에따른질화물반도체층분리방법및 장치는기판과질화물반도체층사이를기계적으로분리시킨다. 기계적인분리는기판과질화물반도체층에수직방향힘을주어분리하는방법, 수평방향의힘을주어분리하는방법, 상대적인원운동의힘을주어분리하는방법, 또는그 조합의방법으로수행할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，上述氮化物半导体和Lee，钟单晶衬底，一个形成在基板上的半导体层叠结构，使得至少部分所述衬底双峰福利之间的空的空间（腔）在晶体结构中结晶，例如衬底，无机薄膜，mitbin空间 并且从结晶的无机薄膜生长氮化物半导体层。 根据本发明的用于分离氮化物半导体层的方法和设备将衬底与氮化物半导体层机械分离。 机械分离可以在基板和分离给定的垂直力施加到所述半导体层中，给定的分离力在水平方向上的方法，用于分离给定的相对圆周运动的力，或方法的组合的方法中的氮化物的方法来进行。
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公开(公告)号：KR1020120003413A
公开(公告)日：2012-01-10
申请号：KR1020110135332
申请日：2011-12-15
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/02458 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: PURPOSE: A substrate for a semiconductor device, a nitrogen thin film structure using the same, and a forming method thereof are provided to obtain an ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) effect due to a hollow structure by growing a nitrogen thin film from the exposed substrate surface around the hollow structure. CONSTITUTION: A substrate(300) is used for a heterogeneous epitaxial thin film growth of semiconductor materials. A plurality of hollow structures(305) have an empty particle shape on the substrate. A nitride thin film(315) is formed on the substrate. The nitride thin film is comprised of two or more films. A buffer layer(310) is formed between the substrate and the nitride thin film.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体器件的衬底，使用其的氮薄膜结构及其形成方法，以通过从暴露的衬底生长氮薄膜而获得由于中空结构而产生的ELO（外延横向过度生长）效应 表面围绕中空结构。 构成：衬底（300）用于半导体材料的异质外延薄膜生长。 多个中空结构（305）在基板上具有空的颗粒形状。 在基板上形成氮化物薄膜（315）。 氮化物薄膜由两个或更多个膜组成。 在衬底和氮化物薄膜之间形成缓冲层（310）。
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公开(公告)号：KR100980115B1
公开(公告)日：2010-09-07
申请号：KR1020080001861
申请日：2008-01-07
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/44 , H01L25/0753 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드(light emitting diode, 이하 간략히 LED라 함) 코팅 방법에 관한 발명으로서, 보다 구체적으로 LED에 형광체, 몰딩 등을 코팅하는데 사용될 수 있는 LED 코팅 방법에 관한 발명이다.
본 발명 일측면은 (a) 기판, 상기 기판 위에 배열된 복수의 LED를 준비하는 단계; (b) 상기 기판 및 상기 복수의 LED 위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및 (c) 상기 포토레지스트에 선택적으로 광을 노출함으로써, 상기 복수의 LED의 표면에 제1 코팅-상기 제1 코팅은 경화된 상기 포토레지스트임-을 형성하는 단계를 구비하는 LED 코팅 방법을 제공하는 것이다.-
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公开(公告)号：KR1020100029704A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：KR1020090083292
申请日：2009-09-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: PURPOSE: A nitride thin film structure and a forming method thereof are provided to manufacture an optoelectronic device with high efficiency and high reliability by growing up nitride semiconductor epitaxial layer with superior material property. CONSTITUTION: A nitride thin film structure and a forming method thereof comprise a substrate(100), a hollow structure(105), and a nitride thin film(120). The nitride film comprises a first nitride film, a second nitride film, and a third nitride film. The first nitride film is form on a buffering layer above a hollow structure. The second nitride film is formed on the first nitride film. The third nitride film is formed on the second nitride film. The hollow structure is spread in the top of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种氮化物薄膜结构及其形成方法，通过生长具有优异材料性质的氮化物半导体外延层来制造具有高效率和高可靠性的光电子器件。 构成：氮化物薄膜结构及其形成方法包括基板（100），中空结构（105）和氮化物薄膜（120）。 氮化物膜包括第一氮化物膜，第二氮化物膜和第三氮化物膜。 第一氮化物膜形成在中空结构上方的缓冲层上。 第二氮化物膜形成在第一氮化物膜上。 第三氮化物膜形成在第二氮化物膜上。 中空结构扩散在基板的顶部。
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公开(公告)号：KR1020170091965A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：KR1020160012916
申请日：2016-02-02
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/203 , H01L21/324
Abstract: 상온과같은저온에서도스퍼터링과같은 PVD 방법을이용해단결정 AlN을성장시킬수 있는방법을제공한다. 본발명에따른단결정 AlN 성장방법은기판위에상기기판과 AlN 사이의격자상수차이를줄여주는금속층을형성하는단계; 및상기금속층위에 PVD 방법으로단결정 AlN을성장시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 提供了即使在低温如室温下也使用诸如溅射的PVD方法生长单晶AlN的方法。 根据本发明的另一方面，提供了一种生长单晶AlN的方法，包括：在衬底上形成金属层以减小衬底和AlN之间的晶格常数的差异; 并通过PVD在金属层上生长单晶AlN。
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公开(公告)号：KR1020170023920A
公开(公告)日：2017-03-06
申请号：KR1020170024938
申请日：2017-02-24
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 주식회사 헥사솔루션
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/32
Abstract: 본발명에따른반도체적층구조는질화물반도체와이종인단결정기판, 기판과의사이에빈 공간(cavity)이정의되도록기판상에형성되고기판과같은결정구조로적어도일부결정화된무기물박막, 및빈 공간위의결정화된무기물박막상에서부터성장된질화물반도체층을포함한다. 본발명에따른질화물반도체층분리방법및 장치는기판과질화물반도체층사이를기계적으로분리시킨다. 기계적인분리는기판과질화물반도체층에수직방향힘을주어분리하는방법, 수평방향의힘을주어분리하는방법, 상대적인원운동의힘을주어분리하는방법, 및그 조합의방법으로수행할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160008382A
公开(公告)日：2016-01-22
申请号：KR1020140088503
申请日：2014-07-14
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 주식회사 헥사솔루션
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/67092 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 본발명에따른반도체적층구조는질화물반도체와이종인단결정기판, 기판과의사이에빈 공간(cavity)이정의되도록기판상에형성되고기판과같은결정구조로적어도일부결정화된무기물박막, 및빈 공간위의결정화된무기물박막상에서부터성장된질화물반도체층을포함한다. 본발명에따른질화물반도체층분리방법및 장치는기판과질화물반도체층사이를기계적으로분리시킨다. 기계적인분리는기판과질화물반도체층에수직방향힘을주어분리하는방법, 수평방향의힘을주어분리하는방법, 상대적인원운동의힘을주어분리하는방법, 및그 조합의방법으로수행할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的衬底叠层结构包括不同于氮化物半导体的单晶衬底; 以及无机薄膜，其被限定在基板上以限定在基板之间形成的空腔，并且以与基板相同的晶体结构部分结晶，并且从无机薄膜生长的氮化物半导体层在空腔上结晶化。 根据本发明的用于分离氮化物半导体层的方法和装置将衬底与氮化物半导体层机械分离。 机械分离可以通过施加垂直力来分离衬底和氮化物半导体层的方法，通过施加水平力来分离衬底和氮化物半导体层的方法，分离衬底和氮化物的方法 通过施加相对圆周运动的力的半导体层及其组合方法。
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