公开(公告)号：KR1020170003866A

公开(公告)日：2017-01-10

申请号：KR1020150093780

申请日：2015-06-30

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 황철성 ,  윤정호

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/10 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633

Abstract: 본발명은, 가변저항체, 이를이용한비휘발성메모리소자및 이들의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 타이타늄(Ti)의제 1 전극; 쇼트키장벽층을형성하기위한제 2 전극; 상기제 1 전극과상기제 2 전극사이에, 산소결핍하프늄산화막(HfO, 0

Abstract translation: 提供一种半导体技术，更具体地说，涉及一种可变电阻器，使用该可变电阻器的非易失性存储器件及其制造方法。 可变电阻器可以包括包括钛（Ti）的第一电极; 用于形成肖特基势垒的第二电极; 以及在所述第一电极和所述第二电极之间包含氧缺氧氧化铪膜（HfO 2-x，0

公开(公告)号：KR101735187B1

公开(公告)日：2017-05-15

申请号：KR1020150093780

申请日：2015-06-30

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 황철성 ,  윤정호

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/10 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633

Abstract: 본발명은, 가변저항체, 이를이용한비휘발성메모리소자및 이들의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 타이타늄(Ti)의제 1 전극; 쇼트키장벽층을형성하기위한제 2 전극; 상기제 1 전극과상기제 2 전극사이에, 산소결핍하프늄산화막(HfO, 0

Abstract translation: 可变电阻器，使用该可变电阻器的非易失性存储器件及其制造方法技术领域本发明涉 根据本发明的实施例，提供了一种等离子体显示面板，包括：由钛（Ti）制成的第一电极; 用于形成肖特基势垒层的第二电极; 所述第一电极和所述第二电极，所述氧不足型的氧化铪膜之间（HFO，0