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公开(公告)号：WO2016153172A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/KR2016/001329
申请日：2016-02-05
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 큐빅 구조로 보았을 때 격자상수가 대략 3.8-4.2 Å 정도인 단결정 기판 상에 산소 결핍 또는 불순물이 주입된 켜쌓기 또는 동종 켜쌓기 주석산바륨 반도체 산화물 박막을 증착시킨, 전기적 특성이 우수하면서 열적으로 안정한 투명 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及：当观察为立方结构时，在具有晶格常数的单晶衬底上沉积氧缺乏或杂质注入的外延或同质外延的钡锡酸盐半导体氧化物薄膜的透明晶体管 ，约3.8-4.2埃，透明晶体管具有优异的电性能并且是热稳定的; 及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020160115076A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020150041803
申请日：2015-03-25
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/786
Abstract: 본발명은큐빅구조로보았을때 격자상수가대략 3.8-4.2 Å정도인단결정기판상에산소결핍또는불순물이주입된켜쌓기또는동종켜쌓기주석산바륨반도체산화물박막을증착시킨, 전기적특성이우수하면서열적으로안정한투명트랜지스터및 그제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及：当观察为立方结构时，在具有晶格常数的单晶衬底上沉积氧缺乏或杂质注入的外延或同质外延的钡锡酸盐半导体氧化物薄膜的透明晶体管 ，约3.8-4.2埃，透明晶体管具有优异的电性能并且是热稳定的; 及其制造方法。
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公开(公告)号：KR101337297B1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：KR1020120102418
申请日：2012-09-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02623
Abstract: The present invention relates to a system for manufacturing an oxide semiconductor and a method thereof. The present invention is provided to induce charges by injecting an impurity to BaSnO3 and replace Ba by La to minimize the scattering of the impurity, thereby obtaining high charge mobility. The present invention provides a method for synthesizing mono-crystal (Ba, La) SnO3 by using BaCO3, SnO2, and La2O3 as a starting material and a method for synthesizing mono-crystal (Ba, La) SnO3 by using poly-crystal BaSnO3 as the starting material. [Reference numerals] (AA) Temperature condition of a high temperature reactor
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氧化物半导体的系统及其方法。 提供本发明以通过向BaSnO 3注入杂质并用La代替Ba以使杂质的散射最小化以获得高电荷迁移率来诱发电荷。 本发明提供一种通过使用BaCO 3，SnO 2和La 2 O 3作为原料合成单晶（Ba，La）SnO 3的方法和通过使用多晶BaSnO 3作为单晶（Ba，La）SnO 3合成单晶 起始材料。 （附图标记）（AA）高温反应器的温度条件
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