Abstract:
본 발명에 따른 전압제어 지연라인과 위상 검출기를 포함하는 지연 동기화 루프에 있어서, 상기 위상 검출기(100)는, 클럭에 기반하여 데이터 신호를 샘플링하되 유닛 인터벌의 반에 해당하는 시간 간격을 가진 복수의 샘플을 생성하는 샘플러부(120); 상기 샘플러부(120)에서 생성되는 복수의 샘플 중 일련의 샘플들을 선택하되, 모드 선택 신호에 따라 홀수번째 샘플부터 시작하는 일련의 샘플들을 선택하거나 짝수번째 샘플부터 시작하는 일련의 샘플들을 선택하는 모드 선택부(130); 상기 모드 선택부(130)에서 출력되는 일련의 샘플들에 대하여 인접하는 샘플끼리 XOR하여 출력하는 XOR부(140);를 포함하며, 상기 XOR부(140)의 출력은 상기 전압제어 지연라인을 제어하는 데 이용되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 많은 전력을 소모하고 칩면적을 차지하는 전압제어 지연라인의 소모 전력 및 면적을 대폭 줄일 수 있는 줄일 수 있게 되는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 각각의 노드 브랜치에서 저항을 사용하면서도 라인 임피던스를 함께 조정할 수 있는 혼합형(hybrid) 임피던스 정합 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 혼합형 임피던스 정합 방법은 슬레이브에 균일한 전력을 전송할 수 있고, 라인 임피던스를 적절히 조절할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 캐스코드 연결된 한 쌍의 PMOS 트랜지스터의 각각의 게이트 사이와, 캐스코드 연결된 한 쌍의 NMOS 트랜지스터의 각각의 게이트 사이에 부트스트랩 캐패시터를 설치하고, 데이터 샘플링 단계(Φ 1 )에서는 전류기근을 통해 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터를 모두 약반전 동작시켜 부트스트랩 캐패시터에 입력 전압(V IN )과 기준전압(V BP , V BN ) 사이의 전위차에 대응된 전하를 저장하였다가, 전하전달 단계(Φ 2A )에서는 입력전압이 극성에 따라 NMOS 트랜지스터 쌍 또는 PMOS 트랜지스터 쌍 중 어느 한 쌍을 강반전으로 구동하고 다른 한 쌍은 컷오프 동작하도록 하여 넓은 대역폭을 확보하도록 하고, 전하전달 후 정상상태 단계(Φ 2B )에서는 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터를 모두 약반전 회귀시켜 높은 이득과 함께 전력소모를 방지하는 방식을 제공한다.
Abstract:
본 발명에 따른 터치스크린 감지 장치(100)는, 정전 용량 방식의 터치스크린 패널(20)에 대한 터치 입력의 감지를 위한 것으로서, 상기 터치스크린 패널(20)의 드라이빙 라인에 가해지는 구동 신호를 생성하는 구동 신호 생성부(300); 및 상기 터치스크린 패널(20)의 센싱 라인으로부터 출력되는 전하 신호를 전압 신호로 변환하는 전하 신호 변환부(200);를 적어도 포함하는 터치스크린 감지 장치에 있어서, 상기 전하 신호 변환부(200)의 비반전 입력단에 인가되는 참조 신호를 생성하되, 상기 참조 신호는 상기 구동 신호의 주파수와 동일한 주파수의 주기 신호로서 상기 구동 신호 또는 외부 신호를 이용하여 생성하는 참조 신호 생성부(100);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 한다. 본 발명에 따르면, 전하 신호의 오프셋 값을 최소화 또는 제거할 수 있으며, 피드백 캐패시터의 크기를 최소화할 수 있으며, 효율적인 ADC의 입력 다이나믹 레인지 사용이 가능함과 동시에 정밀한 터치 감지를 용이하게 하는 효과가 있다.
Abstract:
According to the present invention, a touchscreen sensing device (10) is provided to detect an input of a touch on a capacitive touchscreen panel (20). The touchscreen sensing device at least includes a drive signal generating unit (300) which generates a drive signal applied to a driving line of the touchscreen panel (20); and a charge signal converting unit (200) which converts a charge signal outputted from a sensing line of the touchscreen panel (20) into a voltage signal. The touchscreen sensing device further includes a reference signal generating unit (100) which generates a reference signal applied to a non-inverting input end of the charge signal converting unit (200), wherein the reference signal is generated as a cycle signal of the same frequency as the frequency of the drive signal by using the drive signal or an external signal. According to the present invention, an offset value of a charge signal can be minimized or eliminated, the size of a feedback capacitor can be minimized, and accurate touch sensing can be facilitated while enabling an efficient use of an input dynamic range of an ADC.
Abstract:
The present invention provides an equalizer capable of removing the influence of a post cursor and reducing phasing time while reducing the size of hardware and an operation method for the same. The equalizer includes a sampler sampling enhanced data rates for global evolution and data in an input signal or a guide signal guided from the input signal; a clock generation unit determining sampling timing of the data or sampling timing of the enhanced data rates for global evolution from the enhanced data rates for global evolution and the data; and a control unit controlling the sampling timing of the data and the sampling timing of the enhanced data rates for global evolution according to the data and the enhanced data rates for global evolution.
Abstract:
PURPOSE: A dynamic bias current famine type inverter and a low power delta-sigma modulator using the same are provided to minimize an output error by offering high gain while minimizing power consumption. CONSTITUTION: A dynamic bias current famine type inverter cascade-interlinks first PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor) transistors(300,330) and second PMOS transistors(310,320). The dynamic bias current famine type inverter cascade-interlinks first NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor) transistors(210,230) and second NMOS transistors(200,220). First bootstrap capacitors(100,120) are installed between a gate of the first PMOS transistor and a gate of the second PMOS transistor. Second bootstrap capacitors(110,130) are installed between the gate of the second NMOS transistor and the first NMOS transistor.