Abstract:
본 발명은 캐스코드 연결된 한 쌍의 PMOS 트랜지스터의 각각의 게이트 사이와, 캐스코드 연결된 한 쌍의 NMOS 트랜지스터의 각각의 게이트 사이에 부트스트랩 캐패시터를 설치하고, 데이터 샘플링 단계(Φ 1 )에서는 전류기근을 통해 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터를 모두 약반전 동작시켜 부트스트랩 캐패시터에 입력 전압(V IN )과 기준전압(V BP , V BN ) 사이의 전위차에 대응된 전하를 저장하였다가, 전하전달 단계(Φ 2A )에서는 입력전압이 극성에 따라 NMOS 트랜지스터 쌍 또는 PMOS 트랜지스터 쌍 중 어느 한 쌍을 강반전으로 구동하고 다른 한 쌍은 컷오프 동작하도록 하여 넓은 대역폭을 확보하도록 하고, 전하전달 후 정상상태 단계(Φ 2B )에서는 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터를 모두 약반전 회귀시켜 높은 이득과 함께 전력소모를 방지하는 방식을 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: A method for detecting the signal of a capacitive microphone and a circuit system for implementing thereof are provided to bring the integration with a CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) circuit by constituting a circuit for eliminating DC(Direct Current) element in a small area through a digital circuit. CONSTITUTION: A capacitance-voltage converter(C/V converter)(100) changes capacitance, which a sensor senses, into a voltage signal. A analog to digital converter(ADC)(200) changes an output from the C/V converter into a digital signal. A digital filter(300) extracts a DC(Direct Current) element from an ADC output signal. A digital to analog converter(DAC)(400) changes a DC element, which the digital filter extracts, into an analog signal. The C/V converter inputs a DC element, which the DAC outputs, in the C/V converter by deducting the DC element from the capacitance which sensor senses.
Abstract:
PURPOSE: A dynamic bias current famine type inverter and a low power delta-sigma modulator using the same are provided to minimize an output error by offering high gain while minimizing power consumption. CONSTITUTION: A dynamic bias current famine type inverter cascade-interlinks first PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor) transistors(300,330) and second PMOS transistors(310,320). The dynamic bias current famine type inverter cascade-interlinks first NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor) transistors(210,230) and second NMOS transistors(200,220). First bootstrap capacitors(100,120) are installed between a gate of the first PMOS transistor and a gate of the second PMOS transistor. Second bootstrap capacitors(110,130) are installed between the gate of the second NMOS transistor and the first NMOS transistor.