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    실리콘 집적가능한 게르마늄 기반의 높은 정공이동도를 갖는 트랜지스터
    3.
    发明授权
    실리콘 집적가능한 게르마늄 기반의 높은 정공이동도를 갖는 트랜지스터 有权
    具有高孔隙度的基于锗的基于锗的晶体管

    公开(公告)号：KR101515071B1

    公开(公告)日：2015-04-24

    申请号：KR1020130147924

    申请日：2013-11-29

    Applicant: 가천대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

    Inventor： 조성재 ,  박병국

    IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

    CPC classification number: H01L29/7782 ,  H01L29/122 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

    Abstract: 본발명은게르마늄채널영역의상, 하부에가전자대오프셋을갖는반도체물질과실리콘기판을구비함으로써, 이종접합에의한양자우물을형성하고여기에모인 2차원적정공가스(hole gas)로구동하게되어, 게르마늄에서얻을수 있는최대정공이동도(hole mobility) 확보로고속, 저전력동작이가능하고소자의신뢰성을향상시킨실리콘집적가능한게르마늄기반의높은정공이동도를갖는트랜지스터를제공한다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种具有高空穴迁移率的硅可集成的锗基晶体管。 本发明能够实现具有高速度和低功率消耗的操作，并且通过由于异质结形成量子阱和通过二维孔气体的收集而获得能够从锗获得的最大空穴迁移率，从而提高器件的可靠性 在量子阱中，通过在锗通道区域的上部和下部包括硅衬底和具有带隙偏移的半导体材料。

    차단 게이트 라인을 갖는 3차원 스택 어레이 및 그 제조방법
    6.
    发明授权
    차단 게이트 라인을 갖는 3차원 스택 어레이 및 그 제조방법 有权
    具有切断栅格线的3D堆叠阵列及其制造方法

    公开(公告)号：KR101110355B1

    公开(公告)日：2012-02-14

    申请号：KR1020100030748

    申请日：2010-04-05

    Applicant: 서울대학교산학협력단

    Inventor： 박병국 ,  조성재 ,  심원보

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

    CPC classification number: H01L27/11565 ,  H01L27/11578

    Abstract: 본 발명은 플래시 메모리 어레이와 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 기판에 복수개의 트렌치들을 형성하고, 각 트렌치에 바닥부터 절연막을 사이에 두고 도전성 물질을 반복 적층하여 차단 게이트 라인 및 복수개의 워드라인들을 형성함으로써, 차단 게이트 라인으로 각 워드라인이 2개의 메모리 셀을 구동할 수 있게 함은 물론 워드라인의 수직 적층으로 얼마든지 집적도를 높일 수 있고, 단결정 기판을 채널영역으로 사용하여 동작속도 및 셀간 전기적 특성의 균일도(uniformity)를 높일 수 있고, 공정비용을 획기적으로 줄일 수 있는 차단 게이트 라인을 갖는 3차원 스택 어레이 및 그 제조방법에 관한 것이다.

    실리콘 기판에 집적 가능한 화합물 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
    8.
    发明公开
    실리콘 기판에 집적 가능한 화합물 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
    集成在硅基板上的复合隧道场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140107345A

    公开(公告)日：2014-09-04

    申请号：KR1020147018033

    申请日：2011-12-30

    Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  경북대학교 산학협력단 ,  더 보드 오브 트러스티즈 오프 더 리랜드 스탠포드 쥬니어 유니버시티

    Inventor： 박병국 ,  조성재 ,  강인만

    IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

    CPC classification number: H01L29/775 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7391

    Abstract: The present invention provides a compound tunneling field effect transistor integrated on a silicon substrate, and a method of fabricating the same. The present invention enables to increase tunneling efficiency with an abrupt band slope by forming a source region with a material having a bandgap of at least 0.4 electron volts (eV) narrower than that of silicon, to increase a driving current (ON current) by forming a channel region with a material having almost no difference in lattice constant from a source region having a high electron mobility at least 5 times higher than that of silicon, and to simultaneously increase ON/OFF current ratio to a great amount by forming a drain region with a material having a bandgap wider than or equal to that of a channel region material to restrain OFF current to the utmost. Furthermore, the present invention enables to easily form tunneling field effect transistors having various threshold voltages in accordance to the circuit designs by adding a specific material (e.g. aluminum) have an electron affinity less than that of a source region material in the process of forming a channel region.

    Abstract translation: 本发明提供集成在硅衬底上的复合隧道场效应晶体管及其制造方法。 本发明能够通过形成具有比硅的带隙小至少0.4电子伏特（eV）的带隙的材料的源极区域，通过形成具有突变带斜率的隧道效率来增加驱动电流（导通电流），通过形成 具有与具有高电子迁移率的源极区域的晶格常数几乎没有差异的材料的沟道区域比硅的至少5倍，并且通过形成漏极区域同时将导通/截止电流比增加到大量 具有宽度大于或等于沟道区域材料的带隙的材料以最大限度地截止关断电流。 此外，本发明能够根据电路设计容易地形成具有各种阈值电压的隧道场效应晶体管，所述隧道效应晶体管具有在形成栅极的过程中具有小于源区材料的电子亲和力的特定材料（例如铝） 渠道区域。

    실리콘 집적 가능한 화합물 무접합 전계효과 트랜지스터
    9.
    发明授权
    실리콘 집적 가능한 화합물 무접합 전계효과 트랜지스터 有权
    有机硅化合物无效场效应晶体管

    公开(公告)号：KR101431774B1

    公开(公告)日：2014-08-19

    申请号：KR1020120141068

    申请日：2012-12-06

    Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  경북대학교 산학협력단 ,  더 보드 오브 트러스티즈 오프 더 리랜드 스탠포드 쥬니어 유니버시티

    Inventor： 박병국 ,  조성재 ,  강인만

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78609

    Abstract: The present invention relates to a silicon-compatible compound junctionless field effect transistor. The silicon-compatible compound junctionless field effect transistor operated as a device, even if the doping concentration decreases, by forming a blocking semiconductor layer having a preset energy band gap and an active layer between an active layer and a silicon substrate instead of a buried oxide layer to prevent a leakage current in the ON/OFF operations of the device, performing an integration process on a bulk silicon substrate instead of an expensive SOI substrate, and forming the active layer as a semiconductor layer having a higher electron or hole mobility compared to silicon.

    Abstract translation: 本发明涉及一种硅兼容复合无连接场效应晶体管。 通过在有源层和硅衬底之间形成具有预设能带隙和有源层的阻挡半导体层，而不是埋入氧化物，即使掺杂浓度降低，硅兼容复合无连接场效应晶体管也作为器件工作 层，以防止器件的ON / OFF操作中的漏电流，对体硅衬底代替昂贵的SOI衬底进行积分处理，并且形成有源层作为具有较高电子或空穴迁移率的半导体层，与 硅。

    일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법
    10.
    发明授权
    일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법 有权
    一次性可编程非易失性存储器阵列及其操作和制造方法

    公开(公告)号：KR101067412B1

    公开(公告)日：2011-09-27

    申请号：KR1020090102324

    申请日：2009-10-27

    Applicant: 서울대학교산학협력단

    Inventor： 박병국 ,  조성재 ,  이정훈

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 워드라인과 비트라인 사이에 PN 접합 또는 쇼트키(Schottky) 접합을 형성하고 워드라인과 접한 절연막을 파괴시킴으로써 프로그램하고, 상기 PN 접합 또는 쇼트키 접합의 성질을 이용하여 읽기하는 것을 특징으로 하는 일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법에 관한 것이다.
    일회프로그램, 비휘발성메모리, 어레이, PN접합, 쇼트키접합, Schottky

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