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公开(公告)号：KR1020150079253A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130169338
申请日：2013-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/06 , H01L2933/0008
Abstract: 본발명은발광다이오드제조방법및 그를통해제조된발광다이오드에관한것으로서, 더욱상세하게는, 성장기판을마련하는단계; 상기성장기판상에희생 GaN 층을성장시키는단계; 상기희생 GaN 층상에적어도하나의반도체층, 및활성층을포함하는발광구조물을성장하는단계; 및상기희생 GaN 층을제거하여상기발광구조물과상기성장기판을분리하는단계;를포함하는발광다이오드제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过其制造的发光二极管制造方法和发光二极管。 更具体地说，该方法包括：制备生长衬底的步骤; 在生长衬底上生长牺牲GaN层的步骤; 在牺牲GaN层上生长包括至少一个半导体层和有源层的发光结构的步骤; 以及通过去除牺牲GaN层来分离生长衬底与发光结构的步骤。 在生长衬底和发光结构之间形成牺牲层，因此通过除去牺牲层来分离生长衬底和发光结构。
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公开(公告)号：KR101682169B1
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020160012356
申请日：2016-02-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은발광다이오드제조방법및 그를통해제조된발광다이오드에관한것으로서, 더욱상세하게는, 성장기판을마련하는단계; 상기성장기판상에희생 GaN 층을성장시키는단계; 상기희생 GaN 층상에적어도하나의반도체층, 및활성층을포함하는발광구조물을성장하는단계; 및상기희생 GaN 층을제거하여상기발광구조물과상기성장기판을분리하는단계;를포함하는발광다이오드제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 制造发光二极管的方法和由此制造的发光二极管技术领域本发明涉及一种制造发光二极管的方法和由此制造的发光二极管，并且更具体地涉及制造发光二极管的方法， 在生长衬底上生长牺牲GaN层; 在牺牲GaN层和包括有源层的发光结构上生长至少一个半导体层; 并去除牺牲GaN层以分离发光结构和生长衬底。
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公开(公告)号：KR1020160018640A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020160012356
申请日：2016-02-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은발광다이오드제조방법및 그를통해제조된발광다이오드에관한것으로서, 더욱상세하게는, 성장기판을마련하는단계; 상기성장기판상에희생 GaN 층을성장시키는단계; 상기희생 GaN 층상에적어도하나의반도체층, 및활성층을포함하는발광구조물을성장하는단계; 및상기희생 GaN 층을제거하여상기발광구조물과상기성장기판을분리하는단계;를포함하는발광다이오드제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造发光二极管（LED）的方法及其制造的LED，更具体地说，涉及一种制造LED的方法，包括：制备生长衬底的步骤; 在生长衬底上生长牺牲GaN层的步骤; 在牺牲GaN层上生长包括至少一个半导体层和有源层的发光结构的步骤; 以及通过消除牺牲GaN层而将发光结构与生长衬底分离的步骤。
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