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公开(公告)号：WO2009145571A2
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/KR2009/002830
申请日：2009-05-28
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 전헌수 , 차국헌 , 최윤경 , 김호섭
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/508 , H01L2933/0083
Abstract: 여기원에 의해 여기되어 상기 여기원의 펌프 광자보다 장파장의 발광을 할 수 있는 형광체를 내부에 포함하고 있는 나노구체들이 3차원적으로 밀집하여 배열된 결정구조를 갖는 광자결정 구조체를 포함하되, 상기 결정구조는 적어도 특정 결정 방향에 대해 광밴드갭을 가지고 상기 펌프 광자의 파장이 상기 광밴드갭에 속하는 발광소자가 개시된다.
Abstract translation: 公开了一种包括光子晶体结构的发光器件，其中纳米球含有荧光体以三维方式密集地排列并被激发源激发以发射比激发源的泵浦光子更长的波长的光。 晶体结构相对于特定的晶体取向具有至少一个光带隙，并且泵浦光子的波长在光带隙内。
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公开(公告)号：WO2021133112A1
公开(公告)日：2021-07-01
申请号：PCT/KR2020/019126
申请日：2020-12-24
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은, 서로 다른 제1 파장의 광 및 제2 파장의 광을 방출하는 광원과, 상기 광원으로부터 입사된 광을 반사시키며 2차원 배열된 마이크로 미러들을 포함하는 동적 마스크와, 상기 동적 마스크로부터 반사된 광이 결상되며, 상기 제1 파장의 광에 대하여는 광화학 반응을 일으키지 않고 상기 제2 파장의 광에 대하여는 광화학 반응을 일으키는 감광액이 도포된 기판과, 상기 기판이 장착되며 상하 이동 가능한 스테이지와, 상기 기판 상의 감광액 면에 결상된 이미지를 표시하는 촬상부를 포함하고, 상기 제1 파장의 광이 상기 감광액 면에 결상된 이미지는, 상기 스테이지를 상하 이동하면서 상기 동적 마스크로부터 상기 기판까지의 경로를 포함하는 광학계의 초점을 맞추기 위해 이용되고, 상기 제2 파장의 광은, 상기 동적 마스크에 반사되어 상기 감광액 면에 노광됨으로써 포토리소그래피를 수행하는 데 이용되는, 포토리소그래피를 수행하기 위한 광학시스템을 제공한다.
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公开(公告)号：WO2011046244A1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：PCT/KR2009/005996
申请日：2009-10-16
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 전헌수 , 이준희 , 안성모 , 장호준
CPC classification number: G02B5/1861
Abstract: Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체가 개시된다. 일 실시예로서, 기판 및 상기 기판의 일면 위에 배치되며 1차원 회절 격자 패턴의 구조가 표면에 형성된 Ⅲ족 질화물 층을 포함하되, 상기 격자 패턴 구조는 마루 부분과 골 부분이 주기적으로 배치된 요철 형상의 단면을 가지며, 상기 Ⅲ족 질화물 내부로부터 입사한 입사광 중 상기 마루 부분을 투과하는 제 1 광과 상기 골 부분을 투과하는 제 2 광이 서로 상쇄간섭을 일으킴으로써 상기 입사광이 상기 격자 패턴 구조의 표면에서 반사되는 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체가 개시된다.
Abstract translation: 公开了III族氮化物表面光栅反射器。 作为一个实施例，III族氮化物表面光栅反射器包括：衬底; 以及设置在基板的一侧上的III族氮化物层，并且在表面上形成有一维衍射光栅图案的结构，其中光栅图案的结构具有不均匀的横截面，峰顶 并且槽周期性地布置，并且在从III族氮化物层的内部入射的光中，穿过波峰的第一光和通过槽的第二光相互造成相互干扰，由此入射光在 光栅图案的结构表面。
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公开(公告)号：WO2022197115A1
公开(公告)日：2022-09-22
申请号：PCT/KR2022/003738
申请日：2022-03-17
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 일 실시예는, n형의 제1 기판의 제1 면 상에 형성된 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상에 형성되며 활성층을 포함하는 가이드층; 상기 가이드층 상에 형성된 p형 클래드층; 상기 p형 클래드층 상에 형성된 p형 컨택트층; 상기 p형 컨택트층 상에 형성된 p형 전극층; 및 상기 n형의 제1 기판의 상기 제1 면 또는 상기 제1 면에 대향되는 제2 면의 적어도 일부에 접촉하는 n형 전극층;을 포함하고, 상기 p형 컨택트층, 상기 p형 클래드층, 상기 활성층을 포함하는 가이드층 및 상기 n형 클래드층에는 상기 p형 컨택트층, 상기 p형 클래드층, 상기 활성층을 포함하는 가이드층 및 상기 n형 클래드층을 관통하는 구멍들이 형성되며, 상기 구멍들은 광자결정 패턴을 형성하는, 광자결정 반도체 레이저 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：WO2022103115A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：PCT/KR2021/016222
申请日：2021-11-09
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은, 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 유전체 층과 제2 유전체 층이 교번하여 적층된 상부층과, 상기 제1 유전체 층과 상기 제2 유전체 층이 교번하여 적층된 하부층과, 상기 상부층과 상기 하부층 사이에 형성된 공동(cavity)을 포함하는 공진 공동 구조체를 제공한다. 상기 공동은, 제1 파장을 갖는 광을 흡수하여 상기 제1 파장과 다른 제2 파장을 갖는 광을 방출하는 파장 변환 물질을 포함하며, 상기 공진 공동 구조체는 상기 제1 파장에서 상기 공동에 공진이 일어나도록 설계되며, 상기 하부층의 하부에서 상기 제1 파장의 여기광이 입사하도록 마련된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160018640A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020160012356
申请日：2016-02-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은발광다이오드제조방법및 그를통해제조된발광다이오드에관한것으로서, 더욱상세하게는, 성장기판을마련하는단계; 상기성장기판상에희생 GaN 층을성장시키는단계; 상기희생 GaN 층상에적어도하나의반도체층, 및활성층을포함하는발광구조물을성장하는단계; 및상기희생 GaN 층을제거하여상기발광구조물과상기성장기판을분리하는단계;를포함하는발광다이오드제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造发光二极管（LED）的方法及其制造的LED，更具体地说，涉及一种制造LED的方法，包括：制备生长衬底的步骤; 在生长衬底上生长牺牲GaN层的步骤; 在牺牲GaN层上生长包括至少一个半导体层和有源层的发光结构的步骤; 以及通过消除牺牲GaN层而将发光结构与生长衬底分离的步骤。
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公开(公告)号：KR1020120079113A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：KR1020127010505
申请日：2009-10-16
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G02B5/1861
Abstract: PURPOSE: An III-nitride surface grating reflector is provided to increase a wavelength band of incident light showing high reflectivity of more than about 0.8 as well as produce excellent reflectivity from TE polarized light. CONSTITUTION: An III-nitride surface grating reflector is arranged on a substrate and one side of the substrate and includes an III nitride layer. The III family nitride layer forms one dimensional diffraction grating pattern on the surface. A grid pattern has a cross section of an uneven shape in which a valley portion and a floor portion are periodically arranged. First light and second light causes destructive interference and incident light is reflected from the surface of the grating pattern structure. The first light transmits the floor portion of the incident light entering from the inside III family nitride. The second light transmits the valley portion.
Abstract translation: 目的：提供III族氮化物表面光栅反射器，以增加大于约0.8的高反射率的入射光的波长带，以及从TE偏振光产生优异的反射率。 构成：III族氮化物表面光栅反射器设置在衬底和衬底的一侧上并且包括III族氮化物层。 III族氮化物层在表面上形成一维衍射光栅图案。 栅格图案具有不平坦的形状的横截面，其中谷部分和地板部分周期性地布置。 第一光和第二光引起相消干涉，入射光从光栅图案结构的表面反射。 第一光透射从内部III族氮化物进入的入射光的地板部分。 第二光透过谷部。
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公开(公告)号：KR1020170103853A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020177021597
申请日：2015-02-05
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/18 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L2933/0041
Abstract: 본발명은기판; 및상기기판상에형광체및 상기형광체와상이한굴절률을가진유전체가상기기판의횡방향으로주기적으로배열된광자결정(photonic crystal) 박막구조체;를포함하거나여기원; 및상기여기원상에형광체및 상기형광체와상이한굴절률을가진유전체가일정한간격으로서로번갈아배치된광자결정(photonic crystal) 박막구조체;를포함하고, 상기광자결정박막구조체는적어도하나이상의특정결정방향에대해광밴드갭을가지고, 상기광밴드갭파장대역의경계에해당하는광밴드에지(photonic band-edge)의파수벡터(wave vector)의방향이상기광자결정박막구조체의표면에수직하여상기여기원으로부터방출된광자의진행방향과일치하는, 발광소자및 기판상에유전체층을형성하는단계; 상기유전체층을식각하여일정한간격의유전체층패턴(pattern)을형성하는단계; 및상기유전체층패턴사이에형광체층을형성하는단계;를포함하는, 발광소자의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 基板本发明涉及基板， 并且，在基板的横向上周期性地排列有荧光体和具有与荧光体不同的折射率的电介质的光子晶体薄膜结构体， 以及光子晶体薄膜结构，其中具有彼此不同折射率的荧光体和电介质在激励源上以规则间隔交替排列，其中光子晶体薄膜结构具有至少一个 它具有波数矢量（波矢）从所述激励源和垂直于薄膜结构的表面发射方向移相器的光子晶体的光学带隙，对应于带的边界处的光学带隙波长带边缘（光子带边） 在衬底和发光器件上形成介电层，该步骤对应于光子的行进方向; 通过蚀刻介电层以规则间隔形成介电层图案; 并且在介电层图案之间形成荧光层。本发明还提供了一种制造发光器件的方法。
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公开(公告)号：KR101753355B1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：KR1020160092245
申请日：2016-07-20
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 고려대학교 산학협력단
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70408 , G03F7/2053 , G03F7/70025 , G03F7/70191 , G03F7/70233 , G03F7/70283 , G03F7/70316 , G03F7/70716
Abstract: 본발명은레이저홀로그래픽리소그래피장치및 그를사용한패턴제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는, 본발명에의한레이저홀로그래픽리소그래피장치및 그를이용한패턴제조방법에의하면오목거울을구비함으로써점진적으로주기가변하는회절격자패턴구조를제조할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种图形光刻设备和用于制造图案与他单独激光器，更具体地，根据本发明单独使用的激光，根据该图形光刻设备以及用于制造使用相同的图案的方法而变化逐步周期的方法作为由具有凹面镜衍射 可以制造网格图案结构。
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