公开(公告)号：WO2020242213A1

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：PCT/KR2020/006897

申请日：2020-05-28

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  기초과학연구원

Inventor： 박제근 ,  장카이쑤안 ,  이유진

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  H01F1/047

Abstract: 본 발명은 Fe 3 GeTe 2 를 포함하는 자성층, 상기 자성층 상에서 제1 방향으로 이격되는 종단 전극들, 상기 종단 전극들에 연결되는 전압원, 상기 자성층과 수직적으로 중첩되는 자기장 발생원을 포함하되, 상기 전압원은 상기 자성층에 상기 자성층의 상면과 평행한 방향으로 전기장을 인가하도록 구성되고, 상기 자기장 발생원은 상기 자성층에 자기장을 인가하도록 구성되고, 상기 전기장 및 상기 자기장을 제어하여 상기 자성층에 자기 정보를 기록 및 저장하도록 구성되는 자기 메모리 장치 및 그것의 동작 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR101992478B1

公开(公告)日：2019-06-24

申请号：KR1020190049063

申请日：2019-04-26

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  기초과학연구원

Inventor： 박제근 ,  김하림 ,  매트존콕

IPC: G01K1/16 ,  G01K13/02 ,  G01K13/00 ,  G01K1/14

公开(公告)号：KR102251067B1

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：KR1020200063261

申请日：2020-05-26

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  기초과학연구원

Inventor： 박제근 ,  카이쑤안장 ,  이유진

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  H01F1/047

Abstract: 본발명은 Fe3GeTe2를포함하는자성층, 상기자성층상에서제1 방향으로이격되는종단전극들, 상기종단전극들에연결되는전압원, 상기자성층과수직적으로중첩되는자기장발생원을포함하되, 상기전압원은상기자성층에상기자성층의상면과평행한방향으로전기장을인가하도록구성되고, 상기자기장발생원은상기자성층에자기장을인가하도록구성되고, 상기전기장및 상기자기장을제어하여상기자성층에자기정보를기록및 저장하도록구성되는자기메모리장치및 그것의동작방법을제공한다.

公开(公告)号：KR101791454B1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：KR1020150189127

申请日：2015-12-30

Applicant: 건국대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단 ,  기초과학연구원

Inventor： 이미정 ,  이상익 ,  박배호 ,  김동직 ,  박제근

IPC: H01L45/00

Abstract: 본발명은 CrPS를부도체로이용한저항변화메모리소자및 그제조방법에관한것으로, 벌크형태의 CrPS를박리법에의해희생기판(210) 위에박리하여부도체층(130)을제작하는제1단계와; 제1전극(110)이패턴된기판(101)에박리된상기부도체층(130)을전사하는제2단계와; 전사된부도체층(130)에제2전극(120)을증착하는제3단계;를포함한다.

公开(公告)号：KR102050034B1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：KR1020180033025

申请日：2018-03-22

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  기초과학연구원

Inventor： 박제근 ,  김해리 ,  심하성

IPC: C01G45/12 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101980105B1

公开(公告)日：2019-05-20

申请号：KR1020170102477

申请日：2017-08-11

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  기초과학연구원 ,  건국대학교 산학협력단

Inventor： 박제근 ,  이성민 ,  김해리 ,  박배호 ,  이상익

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/285 ,  H01L29/40

公开(公告)号：KR1020170080726A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：KR1020150189127

申请日：2015-12-30

Applicant: 건국대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단 ,  기초과학연구원

Inventor： 이미정 ,  이상익 ,  박배호 ,  김동직 ,  박제근

IPC: H01L45/00

Abstract: 본발명은 CrPS를부도체로이용한저항변화메모리소자및 그제조방법에관한것으로, 벌크형태의 CrPS를박리법에의해희생기판(210) 위에박리하여부도체층(130)을제작하는제1단계와; 제1전극(110)이패턴된기판(101)에박리된상기부도체층(130)을전사하는제2단계와; 전사된부도체층(130)에제2전극(120)을증착하는제3단계;를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用CrPS作为绝缘体的电阻变化存储器件及其制造方法，包括：第一步骤，通过剥离方法将大块CrPS剥离在牺牲基板210上以产生非导体层130; 转移通过第一电极110与图案化衬底101分离的非导体层130的第二步骤; 以及在转移的非导体层130上沉积第二电极120的第三步骤。

公开(公告)号：KR102149009B1

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：KR1020190010074

申请日：2019-01-25

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  성우인스트루먼츠 주식회사 ,  김무성

Inventor： 박제근 ,  윤석환 ,  김하림 ,  심상우 ,  최성일 ,  김무성

IPC: G01N25/00 ,  F25B9/00

公开(公告)号：KR101857436B1

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：KR1020160003002

申请日：2016-01-11

Applicant: 건국대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 박배호 ,  이상익 ,  이미정 ,  박제근 ,  이성민

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/16 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은층상구조를갖는전이금속이결합된황화인(transition metal phosphorus sulfides, MPSx; M=전이금속, x≤10) 기반의게이트절연물질을이용한전계효과트랜지스터에관한것으로, 기판상에마련된채널층과; 서로이격되게형성되어상기채널층에전압을인가하기위한소스전극및 드레인전극과; 상기채널층에전계를형성하도록마련된게이트전극과; 상기채널층과상기게이트전극사이에마련되는게이트절연층을포함하는전계효과트랜지스터에있어서, 상기게이트절연층은층상구조를갖는전이금속이결합된황화인인것을특징으로한다.