公开(公告)号：KR101466487B1

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：KR1020130065517

申请日：2013-06-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  민경석 ,  강승현

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136

Abstract: 산화 베릴륨(BeO)에 대한 원자층 식각 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 산화 베릴륨 원자층 식각 방법은, 반응챔버 내부에 식각가스를 주입하여 상기 피식각층에 흡착시키는 제1 단계; 상기 식각가스 중 상기 피식각층에 흡착되지 않고 남은 가스를 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제2 단계; 상기 식각가스가 흡착된 피식각층과 제1 서브 Be-O 층과의 결합 에너지보다 크고 상기 제1 서브 Be-O 층과 제2 서브 Be-O 층과의 결합 에너지보다 작은 에너지를 식각가스가 흡착된 피식각층 표면에 조사하여 상기 식각가스가 흡착된 피식각층을 탈착시키는 제3 단계; 및 탈착된 혼합물을 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제4 단계; 를 포함한다.

Abstract translation: 公开了氧化铍（BeO）的原子层蚀刻方法。 根据本发明，BeO原子层蚀刻方法包括：将蚀刻气体注入反应室以将气体粘附到待蚀刻层的第一步骤; 将未附着于被蚀刻层的残留气体排出到反应室外部的第二工序; 通过发射能量大于被蚀刻层的组合能量和第一子Be-O层并且小于所述蚀刻气体的组合能量的第三步骤， 第一子Be-O层和第二子Be-O层，到待蚀刻层的表面; 以及将解吸附的混合物排出到反应室的外部的第四步骤。

公开(公告)号：KR101465338B1

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：KR1020130065515

申请日：2013-06-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  민경석 ,  강승현

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136

Abstract: 산화 알루미늄(Al
2 O
3 )에 대한 원자층 식각 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 산화 알루미늄 원자층 식각 방법은, 반응챔버 내부에 식각가스를 주입하여 상기 피식각층에 흡착시키는 제1 단계; 상기 식각가스 중 상기 피식각층에 흡착되지 않고 남은 가스를 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제2 단계; 상기 식각가스가 흡착된 피식각층과 제1 서브 Al-O 층과의 결합 에너지보다 크고 상기 제1 서브 Al-O 층과 제2 서브 Al-O 층과의 결합 에너지보다 작은 에너지를 식각가스가 흡착된 피식각층 표면에 조사하여 상기 식각가스가 흡착된 피식각층을 탈착시키는 제3 단계; 및 탈착된 혼합물을 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제4 단계; 를 포함한다.

Abstract translation: 公开了对Al2O3的原子层蚀刻方法。 根据本发明的原子层蚀刻方法包括：将蚀刻气体注入反应室并将蚀刻气体吸附到蚀刻层的第一步骤; 将未被吸附到蚀刻层的蚀刻气体排出到反应气体外部的第二步骤; 通过照射蚀刻气体被吸附的蚀刻层的表面的能量大于蚀刻层和第一副Al-O层之间的键合能量，允许蚀刻气体剥离吸附蚀刻层的第三步骤 并且小于第一子Al-O层和第二子Al-O层之间的结合能; 以及将分离的混合物排出到反应室外部的第四步骤。