公开(公告)号：WO2013015559A2

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/KR2012/005747

申请日：2012-07-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  염근영 ,  임웅선 ,  민경석 ,  김이연

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  민경석 ,  김이연

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/08 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C01B32/05

Abstract: 그래핀 표면에 반응성 라디칼(reactive radical)을 흡착시키는 것; 및 상기 반응성 라디칼이 흡착된 그래핀에 에너지원을 조사하는 것을 포함하는, 그래핀의 원자층 식각 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 吸附石墨烯表面上的反应性基团; 以及一种蚀刻石墨烯原子层的方法，其包括将能量源照射到反应性吸附有石墨烯的石墨烯。

公开(公告)号：WO2014061899A1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：PCT/KR2013/006164

申请日：2013-07-10

Applicant: 엘지이노텍 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 한정은 ,  신동근 ,  김병숙 ,  민경석

IPC: C01B31/36 ,  C04B35/565 ,  C04B35/626

CPC classification number: C01B31/36 ,  C01B32/956 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/60 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/723 ,  Y10T428/2982

Abstract: 본 발명의 한 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법은 탄소원과 규소원을 혼합하여 혼합 분말을 회수하는 단계, 상기 혼합 분말을 가열하여 제1 탄화규소 분말을 합성하는 단계, 상기 제1 탄화규소 분말을 응집하여 응집 분말을 형성하는 단계, 그리고 상기 응집 분말을 가열하여 상기 제1 탄화규소 분말보다 입자의 크기가 큰 제2 탄화규소 분말을 형성하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案的制备碳化硅粉末的方法包括以下步骤：通过混合碳源和硅源来收集混合物粉末; 通过加热混合物粉末合成第一碳化硅粉末; 通过使第一碳化硅粉末凝聚而形成团聚粉末; 并且通过加热附聚粉末形成比第一碳化硅粉末更大的颗粒的第二碳化硅粉末。

公开(公告)号：WO2014061898A1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：PCT/KR2013/006163

申请日：2013-07-10

Applicant: 엘지이노텍 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김병숙 ,  신동근 ,  한정은 ,  민경석

IPC: C01B31/36 ,  C04B35/565

CPC classification number: C01B31/36 ,  C01B32/956 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/565 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/72 ,  Y10T428/2982

Abstract: 본 발명의 한 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법은 베타상의 탄화규소 분말에 시드를 첨가하는 단계, 그리고 상기 베타상의 탄화규소 분말을 열처리하여 알파상의 탄화규소 분말을 형성하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案的制备碳化硅粉末的方法包括以下步骤：将种子加入到β碳化硅粉末中; 并通过热处理β碳化硅粉末形成α碳化硅粉末。

公开(公告)号：KR101465338B1

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：KR1020130065515

申请日：2013-06-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  민경석 ,  강승현

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136

Abstract: 산화 알루미늄(Al
2 O
3 )에 대한 원자층 식각 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 산화 알루미늄 원자층 식각 방법은, 반응챔버 내부에 식각가스를 주입하여 상기 피식각층에 흡착시키는 제1 단계; 상기 식각가스 중 상기 피식각층에 흡착되지 않고 남은 가스를 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제2 단계; 상기 식각가스가 흡착된 피식각층과 제1 서브 Al-O 층과의 결합 에너지보다 크고 상기 제1 서브 Al-O 층과 제2 서브 Al-O 층과의 결합 에너지보다 작은 에너지를 식각가스가 흡착된 피식각층 표면에 조사하여 상기 식각가스가 흡착된 피식각층을 탈착시키는 제3 단계; 및 탈착된 혼합물을 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제4 단계; 를 포함한다.

Abstract translation: 公开了对Al2O3的原子层蚀刻方法。 根据本发明的原子层蚀刻方法包括：将蚀刻气体注入反应室并将蚀刻气体吸附到蚀刻层的第一步骤; 将未被吸附到蚀刻层的蚀刻气体排出到反应气体外部的第二步骤; 通过照射蚀刻气体被吸附的蚀刻层的表面的能量大于蚀刻层和第一副Al-O层之间的键合能量，允许蚀刻气体剥离吸附蚀刻层的第三步骤 并且小于第一子Al-O层和第二子Al-O层之间的结合能; 以及将分离的混合物排出到反应室外部的第四步骤。

公开(公告)号：KR1020140049663A

公开(公告)日：2014-04-28

申请号：KR1020120115736

申请日：2012-10-18

Applicant: 엘지이노텍 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김병숙 ,  신동근 ,  한정은 ,  민경석

IPC: C01B31/36 ,  C04B35/565

CPC classification number: C01B31/36 ,  C01B32/956 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/565 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/72 ,  Y10T428/2982

Abstract: The present invention relates to a method for preparing silicon carbide powder and, more specifically, to a method for preparing granular silicon carbide powder using fine silicon carbide powder. A method for preparing silicon carbide powder according to an embodiment of the present invention comprises: a step of adding seed to the beta silicon carbide powder and a step of forming alpha silicon carbide powder by heat-treating the beta silicon carbide powder. [Reference numerals] (S100) Preparing beta silicon carbide powder; (S110) Adding seed to the beta silicon carbide powder; (S120) Forming granular silicon carbide powder by heat-treating

Abstract translation: 本发明涉及一种制备碳化硅粉末的方法，更具体地说，涉及一种使用细小碳化硅粉末制备颗粒状碳化硅粉末的方法。 根据本发明的一个实施方案的制备碳化硅粉末的方法包括：将晶种添加到β碳化硅粉末的步骤和通过热处理β碳化硅粉末形成α碳化硅粉末的步骤。 （附图标记）（S100）准备β碳化硅粉末; （S110）向β碳化硅粉末添加种子; （S120）通过热处理形成粒状碳化硅粉末

公开(公告)号：KR100720396B1

公开(公告)日：2007-05-21

申请号：KR1020060026965

申请日：2006-03-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  박병재 ,  민경석

IPC: H01L21/265

Abstract: 중성빔을 이용한 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법에 관한 것으로, 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온 소스부, 이온 소스부의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리, 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체 및 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지를 포함하고, 중성빔이 상기 피처리 기판으로 주입되는 구성을 마련한다.
상기와 같은 중성빔을 이용한 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법을 이용하는 것에 의해, 웨이퍼 상의 이온 주입시 물리적, 전기적 손상을 매우 많이 주게 됨으로써 디바이스 특성의 저하 및 소멸을 가져오게 된다는 문제를 해소할 수 있다.
기판, 반도체, 주입, 중성빔, 반사판

Abstract translation: 涉及一种离子注入装置和使用中性束的离子注入方法，用于生成具有通过所述离子束产生气体入口引入的气体的极性的离子束的离子源单元，离子束产生气体喷射口用于喷射气体以产生离子束， 栅组件，提供的离子束响应于在一端的格栅组件的离子源部分包括定位在反射器和中性束的行进路径上的衬底的中性束转换的阶段，和中性束在目标基板 如图所示。

公开(公告)号：KR1020140049664A

公开(公告)日：2014-04-28

申请号：KR1020120115737

申请日：2012-10-18

Applicant: 엘지이노텍 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 한정은 ,  신동근 ,  김병숙 ,  민경석

IPC: C01B31/36 ,  C04B35/565 ,  C04B35/626

CPC classification number: C01B31/36 ,  C01B32/956 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/60 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/723 ,  Y10T428/2982 ,  C04B35/565 ,  C04B35/626

Abstract: A method for preparing a silicon carbide powder, according to an embodiment of the present invention, comprises the steps of: collecting a mixture powder by mixing a carbon source and a silicon source; synthesizing a first silicon carbide powder by heating the mixture powder; forming an agglomerated powder by agglomerating the first silicon carbide powder; and forming a second silicon carbide powder, which has larger particles than the first silicon carbide powder, by heating the agglomerated powder.

Abstract translation: 根据本发明的实施方案的制备碳化硅粉末的方法包括以下步骤：通过混合碳源和硅源来收集混合物粉末; 通过加热混合物粉末合成第一碳化硅粉末; 通过使第一碳化硅粉末凝聚而形成团聚粉末; 并且通过加热附聚粉末形成比第一碳化硅粉末更大的颗粒的第二碳化硅粉末。

公开(公告)号：KR1020140118459A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020130034417

申请日：2013-03-29

Applicant: 엘지이노텍 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 민경석 ,  김병숙 ,  김득중 ,  이은주

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/64 ,  C01B31/36

CPC classification number: C01B32/956 ,  C01P2004/40 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61

Abstract: A method for manufacturing a silicon carbide powder according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: heat treating a mixture including a silicon carbide powder of beta phase and a carbon source at a first temperature, and obtaining a silicon carbide powder of alpha phase by heat treating the mixture at a second temperature higher than the first temperature.

Abstract translation: 根据本发明的实施方案的制造碳化硅粉末的方法包括以下步骤：在第一温度下热处理包含β相的碳化硅粉末和碳源的混合物，并获得碳化硅粉末的α 在比第一温度高的第二温度下热处理混合物。

公开(公告)号：KR102017689B1

公开(公告)日：2019-10-21

申请号：KR1020120115737

申请日：2012-10-18

Applicant: 엘지이노텍 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 한정은 ,  신동근 ,  김병숙 ,  민경석

IPC: C01B32/977

公开(公告)号：KR1020130011922A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：KR1020120074309

申请日：2012-07-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  김이연 ,  민경석

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/08 ,  B01J19/12

CPC classification number: H01L21/042 ,  H01L21/0405 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66037 ,  C01B32/194 ,  B01J19/084 ,  B01J19/12 ,  C01B32/19 ,  C01B2204/04

Abstract: PURPOSE: An atomic layer etching method is provided to control graphene etching with an atom as a unit, to selectively control the etching depth of graphene, to be processed uncomplicatedly, and to be commercialized. CONSTITUTION: An atomic layer etching method includes the following steps: absorbing a reactive radical on the surface of graphene; irradiating an energy source in graphene absorbed in the reactive radical; the two steps are repeated over two times; the graphene includes the thin film of overlapped multi-layer graphene; a singular layer of the thin film of graphene is etched by performing the atomic layer etching method one time; the reactive radical is generated with plasma.

Abstract translation: 目的：提供原子层蚀刻方法，以原子为单位控制石墨烯蚀刻，选择性地控制石墨烯的蚀刻深度，不需要复杂处理，并进行商业化处理。 构成：原子层蚀刻方法包括以下步骤：在石墨烯的表面上吸收反应性基团; 在吸收在反应性基团中的石墨烯中照射能量源; 两步重复两次; 石墨烯包括重叠的多层石墨烯薄膜; 通过一次执行原子层蚀刻方法蚀刻石墨烯薄膜的单层; 用等离子体产生反应性基团。