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公开(公告)号:WO2023038465A1
公开(公告)日:2023-03-16
申请号:PCT/KR2022/013545
申请日:2022-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/739 , H01L29/24 , H01L29/20 , H01L27/085
Abstract: 초경사 스위칭 소자 및 이를 이용한 인버터 소자가 개시된다. 초경사 스위칭 소자는 기판 상에 배치되고, 충격 이온화 특성을 갖는 반도체 재료로 형성된 반도체 채널, 상기 반도체 채널과 접촉하고, 상기 기판 상에서 서로 이격되게 배치된 소스 전극과 드레인 전극, 및 상기 반도체 채널 상의 일부에만 중첩된 게이트 전극을 포함하고, 상기 반도체 채널의 상부 표면은, 상기 게이트 전극이 중첩된 제1 영역, 및 상기 게이트 전극에 의해 노출된 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역 및 제2 영역은 1 : 0.1 내지 0.4 의 길이 비율을 가질 수 있다.