분리형 집광 태양전지 시스템
    3.
    发明公开
    분리형 집광 태양전지 시스템 有权
    分散型浓缩太阳能电池系统

    公开(公告)号:KR1020100096529A

    公开(公告)日:2010-09-02

    申请号:KR1020090015440

    申请日:2009-02-24

    CPC classification number: H02S40/22 Y02E10/52

    Abstract: PURPOSE: A split type light concentration solar battery system is provided to improve the photoelectric efficiency of a solar cell module by controlling the amount of solar light with a light control part. CONSTITUTION: A light concentration part concentrates sunlight. A light control part(130) controls the quantity of light which is outputted after receiving light from the light concentration part. An optical cable guides light from the light concentration part to the light control part. A solar cell module generates electricity by irradiating light from the light control part. A body(131) comprises a connection groove in which a plurality of optical cables are connected. A beam splitter(133) partitions light from the connection groove.

    Abstract translation: 目的:提供一种分体型太阳能集中太阳能电池系统,通过用光控制部件控制太阳光的量来提高太阳能电池模块的光电效率。 规定:浓度较低的部件集中阳光。 光控制部分(130)控制从光聚集部分接收光之后输出的光量。 光缆将来自光集中部的光引导到光控制部。 太阳能电池模块通过照射来自光控制部的光来发电。 主体(131)包括连接多个光缆的连接槽。 分束器(133)分隔来自连接槽的光。

    SiC 완충층을 이용한 초전도 박막 선재 제조 방법
    4.
    发明授权
    SiC 완충층을 이용한 초전도 박막 선재 제조 방법 有权
    使用SiC缓冲层开发涂层导体的方法

    公开(公告)号:KR101715267B1

    公开(公告)日:2017-03-13

    申请号:KR1020150063272

    申请日:2015-05-06

    CPC classification number: Y02E40/642

    Abstract: 본발명의초전도박막선재제조방법은금속기판위에완충층박막을증착하는공정인완충층박막증착공정단계및 상기완충층위에물리화학적혼성증착법(Hybrid Physical Chemical Vapor Deposition, HPCVD)을이용하여초전도박막을증착하는공정인초전도박막증착공정단계를포함한다. 본발명에의하면초전도박막선재제조시에금속기판과초전도박막사이에결정화된 SiC 박막을완충층으로이용함으로써, 금속기판에서초전도박막으로의금속의확산및 금속과초전도사이의반응을억제하고, 금속기판으로부터초전도박막이분리되는박리현상을방지하는효과가있다.

    SiC 완충층을 이용한 초전도 박막 선재 제조 방법
    5.
    发明公开
    SiC 완충층을 이용한 초전도 박막 선재 제조 방법 有权
    使用SiC缓冲层开发涂层导体的方法

    公开(公告)号:KR1020160131280A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:KR1020150063272

    申请日:2015-05-06

    CPC classification number: Y02E40/642

    Abstract: 본발명의초전도박막선재제조방법은금속기판위에완충층박막을증착하는공정인완충층박막증착공정단계및 상기완충층위에물리화학적혼성증착법(Hybrid Physical Chemical Vapor Deposition, HPCVD)을이용하여초전도박막을증착하는공정인초전도박막증착공정단계를포함한다. 본발명에의하면초전도박막선재제조시에금속기판과초전도박막사이에결정화된 SiC 박막을완충층으로이용함으로써, 금속기판에서초전도박막으로의금속의확산및 금속과초전도사이의반응을억제하고, 금속기판으로부터초전도박막이분리되는박리현상을방지하는효과가있다.

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