公开(公告)号：KR1020100023085A

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：KR1020080081669

申请日：2008-08-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  김영이 ,  김동찬

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/31 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02601 ,  C01G9/02 ,  C01P2004/16 ,  H01L21/02603 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/12 ,  Y02E10/50

Abstract: PURPOSE: Semiconductor nanorods, a method for manufacturing the semiconductor nanorod, solar cell including the semiconductor nanorod, and an electroluminescent device including the semiconductor nanorod are provided to form the nanorod having excellent crystalline without containing a metal catalyst agent by forming the nanorod on a seed. CONSTITUTION: A method for manufacturing nanorods comprises the following steps: offering a substrate(10); forming a seed(15) of an island shape on the substrate; and forming the nanorod(17) on the seed. The seed is the seed of ZnO-based metal oxide. The nanorod is the nanorod of ZnO-based metal oxide. The nanorod has a wurtzite tructure which is highly oriented into c- shaft. The nanorod contains metallic impurities. The metallic impurities are Ga, Al, In, P, and Mg.

Abstract translation: 目的：提供半导体纳米棒，制造半导体纳米棒的方法，包括半导体纳米棒的太阳能电池和包括半导体纳米棒的电致发光器件，以形成具有优异结晶性的纳米棒，而不含有金属催化剂，通过在种子上形成纳米棒 。 构成：制造纳米棒的方法包括以下步骤：提供基底（10）; 在所述基板上形成岛状的种子（15）; 并在种子上形成纳米棒（17）。 种子是ZnO基金属氧化物的种子。 纳米棒是ZnO基金属氧化物的纳米棒。 纳米棒具有高度定向成c轴的纤锌矿结构。 纳米棒含有金属杂质。 金属杂质是Ga，Al，In，P和Mg。

公开(公告)号：KR101105103B1

公开(公告)日：2012-01-16

申请号：KR1020080081669

申请日：2008-08-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조형균 ,  김영이 ,  김동찬

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/31 ,  B82Y40/00

Abstract: 반도체 나노 막대, 반도체 나노 막대의 제조방법, 반도체 나노 막대를 포함하는 태양 전지 및 반도체 나노막대를 포함하는 전계 발광 소자를 제공한다. 상기 나노 막대 형성 방법은 기판을 제공하는 단계, 상기 기판 상에 섬 모양의 씨드를 형성하는 단계, 및 상기 씨드 상에 나노 막대를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 씨드는 ZnO계 금속산화물 씨드이고, 상기 나노 막대는 ZnO계 금속산화물 나노 막대일 수 있다. 상기 씨드 및 상기 나노 막대는 스퍼터링법을 사용하여 형성할 수 있다. 이와 같이 ,씨드 상에 나노 막대를 형성함으로써 금속 촉매제를 함유하지 않으면서도 결정성이 우수한 나노 막대를 형성할 수 있다. 이와 더불어서, 상기 씨드 및 상기 나노 막대를 반도체 제조방법에서 많이 사용되는 스퍼터링법을 사용하여 형성함으로써 제조단가를 낮출 수 있다.