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公开(公告)号：WO2020045919A1
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：PCT/KR2019/010842
申请日：2019-08-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 본 발명의 제 1 측면에 따른 반도체 소자는 반도체층 및 반도체층과 요철 구조를 갖도록 접촉된 하나 이상의 금속 전극을 포함하되, 반도체층은 금속 전극의 일부가 삽입되는 삽입부를 포함하고, 반도체층의 삽입부는 반도체층의 표면으로부터 소정의 깊이 만큼 함몰된 것으로, 복수의 격자점과 각 격자점을 꼭지점으로 하는 복수의 다각형이 서로 인접하게 반복 배치된 패턴을 갖도록 형성된 것이고, 금속 전극의 일부는 금속 전극의 표면으로부터 소정의 깊이와 일치하도록 돌출된 소정의 높이를 갖는 것으로, 삽입부의 패턴과 대응하는 패턴을 가진 것이다.
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