公开(公告)号：KR101256632B1

公开(公告)日：2013-04-19

申请号：KR1020130023038

申请日：2013-03-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  노종현

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/24 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

Abstract: 본원은, 플렉서블 비휘발성 메모리 소자용 강유전체 캐패시터, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자 및 이들의 제조 방법에 관한 것으로서, 강유전체층과 반도체층 사이의 계면에 고분자 접착층을 형성함으로써 계면에서의 전기적 특성 및 물리화학적 특성을 향상시킬 수 있다.

Abstract translation: 本申请是强电介质电容器的柔性的非易失性存储器元件，一个晶体管型柔性非易失性铁电存储器设备，1T-1R（1Transistor-1Resistor），用于设备灵活铁电存储器和涉及它们的制备方法，铁电体层和半导体层之间的界面的方法 可以改善界面处的电特性和物理化学性质。

公开(公告)号：KR101315270B1

公开(公告)日：2013-10-07

申请号：KR1020130023041

申请日：2013-03-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  노종현

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/24 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

Abstract: 본원은, 플렉서블 비휘발성 메모리 소자용 강유전체 캐패시터, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자 및 이들의 제조 방법에 관한 것으로서, 강유전체층과 반도체층 사이의 계면에 고분자 접착층을 형성함으로써 계면에서의 전기적 특성 및 물리화학적 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120001657A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：KR1020110062839

申请日：2011-06-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  노종현

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/24 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/517

Abstract: PURPOSE: A ferroelectric capacitor for a flexible nonvolatile memory device, a flexible nonvolatile ferroelectric memory device, and a manufacturing method thereof are provided to improve electric, physical, and chemical properties in an interface between a ferroelectric layer and a semiconductor layer. CONSTITUTION: A contact layer(110) is formed on a flexible substrate(100). A first electrode(120) is formed on the contact layer. A ferroelectric layer(130) is formed on the first electrode. A second electrode(140) is formed on the ferroelectric layer. An insulation layer(150) is formed on the second electrode layer. A polymer protection layer(160) is formed on the second electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种用于柔性非易失性存储器件的强电介质电容器，柔性非易失性铁电存储器件及其制造方法，以改善铁电层和半导体层之间的界面中的电学，物理和化学性质。 构成：在柔性基板（100）上形成接触层（110）。 第一电极（120）形成在接触层上。 铁电层（130）形成在第一电极上。 第二电极（140）形成在铁电层上。 绝缘层（150）形成在第二电极层上。 聚合物保护层（160）形成在第二电极上。

公开(公告)号：KR1020130028957A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：KR1020130023040

申请日：2013-03-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  노종현

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/24 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/7839

Abstract: PURPOSE: A ferroelectric capacitor for a flexible nonvolatile memory device, a flexible nonvolatile ferroelectric memory device, and a method for manufacturing the same are provided to improve the performance of a flexible memory by using a ferroelectric layer. CONSTITUTION: A semiconducting channel layer(510) is formed on a flexible substrate. A source and a drain region(520,530) are formed at both sides of the semiconductor channel layer. A barrier layer(540) is formed on the semiconductor channel layer. A ferroelectric layer(550) is formed on the barrier layer. A source and a drain electrode(570,580) are formed on the source and the drain region.

Abstract translation: 目的：提供一种用于柔性非易失性存储器件的强电介质电容器，柔性非易失性铁电存储器件及其制造方法，以通过使用铁电层提高柔性存储器的性能。 构成：半导体沟道层（510）形成在柔性衬底上。 源极和漏极区域（520,530）形成在半导体沟道层的两侧。 在半导体沟道层上形成阻挡层（540）。 在阻挡层上形成铁电体层（550）。 源极和漏极电极（570,580）形成在源极和漏极区域上。

公开(公告)号：KR101315187B1

公开(公告)日：2013-10-07

申请号：KR1020130023040

申请日：2013-03-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  노종현

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/24 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

Abstract: 본원은, 플렉서블 비휘발성 메모리 소자용 강유전체 캐패시터, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자 및 이들의 제조 방법에 관한 것으로서, 강유전체층과 반도체층 사이의 계면에 고분자 접착층을 형성함으로써 계면에서의 전기적 특성 및 물리화학적 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130028770A

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：KR1020130023041

申请日：2013-03-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  노종현

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/24 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/7839

Abstract: PURPOSE: A ferroelectric capacitor for a flexible nonvolatile memory device, a flexible nonvolatile ferroelectric memory device, and a method for manufacturing the same are provided to improve an electrical property by using a polymer bonding layer. CONSTITUTION: A source and a drain region(520,530) are formed at both sides of a semiconducting channel layer(510). A barrier layer(540) is formed on the drain region. A ferroelectric layer(550) is formed on the barrier layer. A source electrode(570) is formed on the source region. A drain electrode(580) is formed on the ferroelectric layer and a gate dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于柔性非易失性存储器件的强电介质电容器，柔性非易失性铁电存储器件及其制造方法，以通过使用聚合物粘结层来改善电性能。 构成：源极和漏极区（520,530）形成在半导体沟道层（510）的两侧。 在漏区上形成阻挡层（540）。 在阻挡层上形成铁电体层（550）。 源极（570）形成在源极区域上。 在铁电层和栅介质层上形成漏电极（580）。

公开(公告)号：KR1020130028769A

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：KR1020130023038

申请日：2013-03-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  노종현

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/24 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/7839

Abstract: PURPOSE: A ferroelectric capacitor for a flexible nonvolatile memory device, a flexible nonvolatile ferroelectric memory device, and a method for manufacturing the same are provided to easily process a device. CONSTITUTION: A semiconducting channel layer(510) is formed on a flexible substrate(500). A source and a drain region(520,530) are formed at both sides of the semiconductor channel layer. A polymer bonding layer is formed on the semiconductor channel layer. A gate electrode(590) is formed on a ferroelectric layer(550). The source and the drain electrode(570,580) are formed on the source and the drain region.

Abstract translation: 目的：提供一种用于柔性非易失性存储器件的强电介质电容器，柔性非易失性铁电存储器件及其制造方法，以容易地处理器件。 构成：半导体沟道层（510）形成在柔性衬底（500）上。 源极和漏极区域（520,530）形成在半导体沟道层的两侧。 聚合物键合层形成在半导体沟道层上。 栅电极（590）形成在铁电层（550）上。 源极和漏极电极（570,580）形成在源极和漏极区域上。