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公开(公告)号：KR1020110098285A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100017829
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 중성빔을 이용하여 표면 조도를 향상시키는 표면 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명의 중성빔을 이용한 표면 처리 방법은 피처리 기판을 반응 챔버의 스테이지에 안착시키는 단계; 및 상기 반응 챔버 상부의 중성빔 공급부를 통하여 상기 피처리 기판에 대하여 경사지도록 중성빔을 조사하는 단계를 포함한다.
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