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公开(公告)号：WO2011105855A2
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/KR2011/001348
申请日：2011-02-25
IPC: H01L21/3065 , H05H1/36
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J27/024
Abstract: 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화 장치가 개시된다. 전원 공급부, 전압 조정부, 전압 변환부를 통해 4개 채널의 제1 그리드 전압 및 제2 그리드 전압을 생성하여 출력 구동부에 제공하고, 제어부가 RF의 온 및 오프 구간 각각에 따라 제어 펄스 신호를 출력 구동부에 제공하고, 출력 구동부는 상기 제어 펄스 신호에 상응하여 출력을 스위칭함으로써 RF의 온 구간에서는 하이 레벨의 제1 그리드 전압 및 로우 레벨의 제2 그리드 전압을 출력하고, RF의 오프 구간에서는 로우 레벨의 제1 그리드 전압 및 하이 레벨의 제2 그리드 전압을 출력한다. 따라서, RF의 온 및 오프 구간에서 각각 양이온 및 음이온을 추출하여 이온을 전기적으로 중성화시킬 수 있고, 이를 통해 종래의 중성빔 장치에서 사용되었던 반사판을 제거할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于使高频电压和直流偏置电压同步的装置。 电源单元，电压调节单元和电压转换单元产生具有四个通道的第一电网电压和第二电网电压，并向输出驱动单元提供所产生的电压。 控制单元根据RF开/关周期向输出驱动单元提供控制脉冲信号。 输出驱动单元根据控制脉冲信号切换输出，以在RF接通时间段内将第一电网电压输出为高电平，将第二电网电压输出为低电平，并将第一电网电压输出低电平 电平和第二电网电压处于高电平关闭期。 因此，阳离子和阴离子从相应的RF开/关时段提取并电中和，从而消除了使用中性光束的常规装置中使用的反射板的必要性。
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公开(公告)号：WO2011105873A2
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/KR2011/001400
申请日：2011-02-28
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L43/12
Abstract: 펄스 플라즈마의 DC 파워 인가에 따른 동기화 제어 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 펄스 플라즈마의 DC 파워 인가에 따른 동기화 제어 방법은 RF 펄스 파워의 온/오프 주기에 맞추어 DC 파워를 마이너스(-) 파워 주기 및 플러스(+) 파워 주기가 조절되도록 인가함으로써 각 공정에 적합한 플라즈마를 형성하여 공정 효율을 극대화할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种在施加脉冲等离子体的直流电力时控制同步的方法。 根据本发明的施加脉冲等离子体的直流电力时的控制同步的方法包括根据RF脉冲功率的接通/关断周期施加直流电力，使得负（ - ）功率周期和加（+）功率周期可以 从而产生适合于每个工艺的等离子体并实现最大化的工艺效率。
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公开(公告)号：KR1020110098355A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100017932
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/67069
Abstract: 본 발명은 BCl
3 가스 및 첨가 가스를 사용하여 고유전 물질의 원자층 식각을 수행하는 중성빔 식각 장치를 이용한 식각 방법에 관한 것으로, 본 발명의 중성빔 식각 장치를 이용한 식각 방법은 피식각층이 노출된 피식각 기판을 반응 챔버 내의 스테이지 상에 안착시키는 단계; 상기 반응 챔버 내부의 샤워링을 통하여 상기 반응 챔버 내부로 BCl
3 로 이루어지는 식각 가스를 공급하여 고유전 물질로 이루어지는 피식각층에 흡착시키는 단계; 상기 반응 챔버 일측에 설치된 퍼지 가스 공급관을 통하여 퍼지 가스를 공급하고, 상기 흡착되고 남은 과잉의 식각 가스를 퍼지하는 단계; 상기 식각 가스가 흡착된 피식각층 상으로 중성빔을 조사하는 단계; 및 퍼지 가스를 공급하여 상기 중성빔 조사에 의하여 발생된 식각 부산물을 제거하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020110098693A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020110018138
申请日：2011-02-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01L21/67167
Abstract: 본 발명은 저손상 공정을 위한 차세대 나노소자용 식각 장비에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 차세대 나노소자 제작시 나노소자의 저손상 공정이 가능하거나, 고유전 물질을 게이트 절연막으로 이용함으로써 발생되는 게이트 리세스를 발생시키지 않거나, 차세대 나노소자 공정에 발생될 수 있는 물리적 전기적 손상을 크게 개선시키거나, 정확한 식각 조절이 가능하고, 딥 식각, 중성빔 식각 및 중성빔 원자층 식각이 인시투(in-situ)로 이루어질 수 있는 식각 장비가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020110098199A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100017680
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L43/12 , H01L21/67063
Abstract: 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, RF 파워를 온 주기 및 오프 주기를 반복하고, 기재(substrate)에 상기 온 주기 및 오프 주기에 대응하여 각각 마이너스 파워 주기 및 플러스 파워 주기를 반복하여 상기 기재 상의 피식각물을 식각하는 식각 방법이 제공된다.
Abstract translation: 蚀刻方法技术领域本发明涉及蚀刻方法。 根据本发明，重复的RF电源接通周期和关断周期，响应于所述导通周期和截止周期，其中，所述基体材料（基材）的每个重复负功率周期和在衬底上蚀刻的蚀刻gakmul的正功率周期 提供蚀刻方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101214758B1
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：KR1020100017680
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L43/12
Abstract: 본발명은식각방법에관한것이다. 본발명에의하면, RF 파워를온 주기및 오프주기를반복하고, 기재(substrate)에상기온 주기및 오프주기에대응하여각각마이너스파워주기및 플러스파워주기를반복하여상기기재상의피식각물을식각하는식각방법이제공된다.
Abstract translation: 蚀刻方法技术领域本发明涉及蚀刻方法。 根据本发明，提供了一种蚀刻方法，用于重复RF功率的接通周期和断开周期，并且重复负载功率周期和正功率周期， 它现在可用。
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公开(公告)号：KR1020110097193A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016899
申请日：2010-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3266
Abstract: 본 발명은 플라즈마의 포텐셜을 조절하여 원자층 식각을 수행할 수 있는 중성빔을 이용한 원자층 식각 장치에 관한 것으로, 본 발명의 원자층 식각 장치는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버 외부를 감싸며 전기장을 발생시켜 플라즈마 챔버 내부에 플라즈마를 유도하는 유도 코일; 상기 유도 코일의 외곽에서 상기 플라즈마 챔버 내부에 자기장을 인가하는 자장 인가 수단; 상기 플라즈마 챔버 하부에서 이온빔을 추출하도록 하는 그리드 어셈블리; 및 상기 그리드 어셈블리 하부에서 이온빔에 전자를 공급하여 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110092485A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100011929
申请日：2010-02-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for etching an atomic layer are provided to etch the atomic layer with various material films by simultaneously removing reactive radical and surface materials of an etched layer using neutral beams. CONSTITUTION: A stage(50) which receives an etched substrate(51) is formed in a reactive chamber(80). A purge gas supply tube(70) is installed on one side of the reactive chamber to supply purge gas. A plasma generator(10) generates neutral beams and reactive radical. A shutter(20) controls the supply of the neutral beam and radical to the reactive chamber. A controller(40) controls the supply of the source gas and purge gas.
Abstract translation: 目的：提供用于蚀刻原子层的装置和方法，以通过使用中性光束同时去除蚀刻层的反应性基团和表面材料来蚀刻具有各种材料膜的原子层。 构成：在反应室（80）中形成接受蚀刻的基板（51）的台（50）。 吹扫气体供给管（70）安装在反应室的一侧以供应净化气体。 等离子体发生器（10）产生中性束和反应基。 快门（20）控制向反应室供应中性束和自由基。 控制器（40）控制源气体和净化气体的供应。
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公开(公告)号：KR1020120086938A
公开(公告)日：2012-08-06
申请号：KR1020110008303
申请日：2011-01-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G11C11/15 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/15 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a magnetic random access memory is provided to improve the reliability of a device by removing the metal residue in a sidewall of an MTJ structure. CONSTITUTION: A laminate structure(40) with an MTJ structure is formed on a substrate. Laminate patterns with the MTJ structure are formed by patterning the laminate structure. Metal residue accumulated in the sidewalls of the laminate patterns are etched by using neutral beams(NB1,NB2).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造磁性随机存取存储器的方法，通过去除MTJ结构的侧壁中的金属残渣来提高器件的可靠性。 构成：在基板上形成具有MTJ结构的层叠结构（40）。 通过图案化层压结构形成具有MTJ结构的层压图案。 通过使用中性光束（NB1，NB2）蚀刻积聚在层叠图案的侧壁中的金属残留物。
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公开(公告)号：KR101080604B1
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：KR1020100011929
申请日：2010-02-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/3065
Abstract: 본발명은반응성라디칼및 중성빔을이용하는원자층식각장치및 이를이용한식각방법에관한것으로, 본발명의원자층식각장치는내부에피식각기판을안착할수 있는스테이지를구비하는반응챔버; 상기반응챔버로반응성라디칼및 중성빔을공급하며, 소스가스를공급받아플라즈마를발생시키는플라즈마챔버와, 상기플라즈마챔버외부를감싸면전기장을발생시키는유도코일과, 상기플라즈마챔버하부에위치하여이온빔을추출하는제 1, 제 2, 제 3 그리드로이루어지는그리드어셈블리와, 상기그리드어셈블리하부에서이온빔에전자를공급하여중성빔으로전환시키는반사체를포함하는플라즈마발생부; 상기플라즈마발생부와반응챔버의사이에설치되며, 상기반응챔버내로의중성빔의공급을조절하는셔터; 상기반응챔버내에퍼지가스를공급하는퍼지가스공급부; 및상기소스가스, 식각가스및 퍼지가스의공급을제어하며, 상기셔터의개폐를제어하는제어부를포함한다.
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