Abstract:
본 발명은 덴드라이트(dendrite) 구조를 가지는 산화 티타늄이 기재 전극의 표면에 형성된 산화 티타늄 전극에 관한 것으로, 상기 산화 티타늄은 고순도로서 규칙적이고 고르게 배열되어 넓은 표면적을 가지며, 이에 따라 향상된 전기화학적 성능 및 우수한 안정성을 발휘하고, 커패시터 등의 각종 전기 장치에 활용될 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: YVO based fluorescent powder and a manufacturing method thereof are provided to secure the uniformity of particle distribution, and to use the powder for manufacturing display devices, and all kinds of lighting devices. CONSTITUTION: A manufacturing method of YVO based fluorescent powder comprises the following steps: impregnating a metal salt solution including yttrium and vanadium to a polymer material; calcinating the outcome from the previous step by inserting into a furnace heated into 500~1,000 deg C; sintering the outcome from the previous step by heating into 1,000~1,300 deg C; solution-processing the outcome with a basic solution.
Abstract:
본발명은도전성복합재료와, 이를이용한전극및 그제조방법에관한것으로서, 전기전도도가높고전극전체에걸쳐서저항값이균일하며, 높은기계적유연성을가지면서, 미세화에도유리해서, 디스플레이등 전자장치의투명전극에적용될수 있다. 특히, 본발명의전극은플렉서블이나벤더블디스플레이나조명장치의전극으로사용될수 있다.
Abstract:
본발명의실리콘박막형성방법에따르면, 액상공정을이용함으로써간단하고저렴한공정으로실리콘박막을형성할수 있다. 또한, 기판위에대면적의박막을용이하게제조할수 있고, 유기화합물의조성, 열처리또는광학처리공정조건을조절함에의해사용되는소자에적합하도록실리콘박막의물리적, 전기적물성을변화시킬수 있다. 본발명의실리콘박막형성방법은태양전지, 박막트랜지스터, 유기발광다이오드, 이미지센서등 다양한제품의제조에폭 넓게활용될수 있다.
Abstract:
본 발명은 덴드라이트 구조를 가지는 금속 산화물 입자, 그 제조 방법 및 덴드라이트 구조의 금속 산화물 입자가 기재 전극의 표면에 형성된 전극에 관한 것으로, 상기 금속 산화물 입자는 고순도로서 규칙적이고 고르게 배열되어 넓은 표면적을 가지며, 이에 따라 향상된 전기화학적 성능 및 우수한 안정성을 발휘하고, 커패시터 등의 각종 전기 장치에 활용될 수 있다.
Abstract:
본 발명은 산화물 반도체 박막을 포함하는 가스 배리어 막에 관한 것으로서, 상기 가스 배리어 막은 수분, 산소와 같은 가스의 투과율이 낮아지면서, 안정적으로 구부러질 수 있고, 투명하며, 전기, 전자 소자의 기능 저하를 방지하고 안정성을 높일 수 있는 밀봉 재료로서 적합하게 이용될 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of YVO based phosphor powder is provided to manufacture YVO based phosphor powder with uniform particle distribution and small particle size in short time, thereby having excellent productivity and profitability. CONSTITUTION: A manufacturing method of YVO based phosphor powder comprises: a step of impregnating metal salt solution including yttrium(Y) and vanadium(V) into polymer material; a step of calcinations by putting the impregnated material into a furnace heated to the temperature of 500-1000 °C; a step of sintering the product by heating the temperature of 1000-1300 °C; and a step of solution-treating the product by basic solution.
Abstract:
본 발명은 투명 도전막, 그 제조 방법, 및 투명 도전막을 포함하는 디바이스 및 전자장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명 도전막은 금속 나노구조체와 상기 금속 나노구조체가 배치된 지지기재를 포함하는 투명 도전막으로, 상기 금속 나노구조체는 이방성 형상을 가지는 복수의 금속 나노구조가 하나 이상의 접합 부위를 갖도록 연결된 것이고, 상기 투명 도전막은 550nm 파장에서의 투과율이 90 % 이상이고, 시트 저항값이 10 Ω/sq 이하이며, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기EL디스플레이(OLED), 유기EL조명, 터치 스크린, 및 태양 전지 등의 전자장치에 활용될 수 있다.
Abstract:
본 발명은 산화물 박막을 포함하는 가스 배리어 막에 관한 것으로서, 상기 가스 배리어 막은 수분, 산소와 같은 가스의 투과률이 낮아지면서, 안정적으로 구부러질 수 있고, 투명하며, 전기, 전자 소자의 기능 저하를 방지하고 안정성을 높일 수 있는 밀봉 재료로서 적합하게 이용될 수 있다.