YVO계 형광체 분말 및 이의 제조 방법
    2.
    发明公开
    YVO계 형광체 분말 및 이의 제조 방법 无效
    基于YVO的荧光粉及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020100094169A

    公开(公告)日:2010-08-26

    申请号:KR1020090013478

    申请日:2009-02-18

    Abstract: PURPOSE: YVO based fluorescent powder and a manufacturing method thereof are provided to secure the uniformity of particle distribution, and to use the powder for manufacturing display devices, and all kinds of lighting devices. CONSTITUTION: A manufacturing method of YVO based fluorescent powder comprises the following steps: impregnating a metal salt solution including yttrium and vanadium to a polymer material; calcinating the outcome from the previous step by inserting into a furnace heated into 500~1,000 deg C; sintering the outcome from the previous step by heating into 1,000~1,300 deg C; solution-processing the outcome with a basic solution.

    Abstract translation: 目的:提供基于YVO的荧光粉及其制造方法,以确保粒子分布的均匀性,并且使用用于制造显示装置的粉末和各种照明装置。 构成:基于YVO的荧光粉的制造方法包括以下步骤:将包含钇和钒的金属盐溶液浸渍到聚合物材料中; 通过插入加热到500〜1000℃的炉中煅烧前一步骤的结果; 通过加热至1000〜1300℃,烧结前一步骤的结果; 用基本解决方案解决处理结果。

    실리콘 박막 형성 방법
    4.
    发明授权
    실리콘 박막 형성 방법 失效
    硅胶膜成型方法

    公开(公告)号:KR101114293B1

    公开(公告)日:2012-03-05

    申请号:KR1020090026601

    申请日:2009-03-27

    Abstract: 본발명의실리콘박막형성방법에따르면, 액상공정을이용함으로써간단하고저렴한공정으로실리콘박막을형성할수 있다. 또한, 기판위에대면적의박막을용이하게제조할수 있고, 유기화합물의조성, 열처리또는광학처리공정조건을조절함에의해사용되는소자에적합하도록실리콘박막의물리적, 전기적물성을변화시킬수 있다. 본발명의실리콘박막형성방법은태양전지, 박막트랜지스터, 유기발광다이오드, 이미지센서등 다양한제품의제조에폭 넓게활용될수 있다.

    덴드라이트 구조를 가지는 금속 산화물 입자, 그 제조 방법 및 덴드라이트 구조의 금속 산화물 입자를 포함하는 전기 장치
    6.
    发明公开
    덴드라이트 구조를 가지는 금속 산화물 입자, 그 제조 방법 및 덴드라이트 구조의 금속 산화물 입자를 포함하는 전기 장치 审中-实审
    具有结构结构的金属氧化物颗粒,生产工艺及其包含的电气设备

    公开(公告)号:KR1020150009739A

    公开(公告)日:2015-01-27

    申请号:KR1020130084048

    申请日:2013-07-17

    Inventor: 이영관 부용순

    Abstract: 본 발명은 덴드라이트 구조를 가지는 금속 산화물 입자, 그 제조 방법 및 덴드라이트 구조의 금속 산화물 입자가 기재 전극의 표면에 형성된 전극에 관한 것으로, 상기 금속 산화물 입자는 고순도로서 규칙적이고 고르게 배열되어 넓은 표면적을 가지며, 이에 따라 향상된 전기화학적 성능 및 우수한 안정성을 발휘하고, 커패시터 등의 각종 전기 장치에 활용될 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及具有树枝状结构的金属氧化物颗粒,其制造方法以及其中在基极表面上形成具有树枝状结构的金属氧化物颗粒的电极。 金属氧化物颗粒通过均匀且规则地排列而具有大的表面积,同时保持高纯度。 因此,金属氧化物粒子表现出改善的电化学性能和优异的稳定性,并且能够应用于诸如电容器等的各种电子器件。

    YVO계 형광체 분말 및 이의 제조 방법
    8.
    发明公开
    YVO계 형광체 분말 및 이의 제조 방법 无效
    基于YVO的荧光粉及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020120013280A

    公开(公告)日:2012-02-14

    申请号:KR1020110141271

    申请日:2011-12-23

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of YVO based phosphor powder is provided to manufacture YVO based phosphor powder with uniform particle distribution and small particle size in short time, thereby having excellent productivity and profitability. CONSTITUTION: A manufacturing method of YVO based phosphor powder comprises: a step of impregnating metal salt solution including yttrium(Y) and vanadium(V) into polymer material; a step of calcinations by putting the impregnated material into a furnace heated to the temperature of 500-1000 °C; a step of sintering the product by heating the temperature of 1000-1300 °C; and a step of solution-treating the product by basic solution.

    Abstract translation: 目的:提供YVO基荧光体粉末的制造方法,以在短时间内制造粒度分布均匀,粒径小的YVO系荧光体粉末,具有优异的生产率和盈利能力。 构成:YVO系荧光体粉末的制造方法包括:将含有钇(Y)和钒(V)的金属盐溶液浸渍到聚合物材料中的步骤; 通过将浸渍的材料放入加热到500-1000℃的炉中的煅烧步骤; 通过加热1000-1300℃的温度烧结产品的步骤; 以及通过碱性溶液对产品进行溶液处理的步骤。

    투명 도전막, 그 제조 방법, 및 투명 도전막을 포함하는 전자장치
    9.
    发明公开
    투명 도전막, 그 제조 방법, 및 투명 도전막을 포함하는 전자장치 审中-实审
    透明导电膜及其制备方法及其包覆的电子器件

    公开(公告)号:KR1020150092405A

    公开(公告)日:2015-08-13

    申请号:KR1020140012287

    申请日:2014-02-03

    Abstract: 본 발명은 투명 도전막, 그 제조 방법, 및 투명 도전막을 포함하는 디바이스 및 전자장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명 도전막은 금속 나노구조체와 상기 금속 나노구조체가 배치된 지지기재를 포함하는 투명 도전막으로, 상기 금속 나노구조체는 이방성 형상을 가지는 복수의 금속 나노구조가 하나 이상의 접합 부위를 갖도록 연결된 것이고, 상기 투명 도전막은 550nm 파장에서의 투과율이 90 % 이상이고, 시트 저항값이 10 Ω/sq 이하이며, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기EL디스플레이(OLED), 유기EL조명, 터치 스크린, 및 태양 전지 등의 전자장치에 활용될 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及透明导电层,其制造方法,装置以及包括该透明导电层的电子器件。 根据本发明的透明导电层包括金属纳米结构和其上布置有金属纳米结构的载体材料。 在金属纳米结构中,多个金属纳米结构单元被连接以具有一个或多个结合部分。 透明导电层的透射率在550nm波长中为90%以上。 透明导电层的薄层电阻值为10Ω/□以下。 透明导电层用于诸如液晶显示器,等离子体显示器,有机EL显示器(OLED),有机EL灯,触摸屏和太阳能电池的电子设备中。

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