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公开(公告)号：WO2019151644A1
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：PCT/KR2018/016085
申请日：2018-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 층상형 ZnSb, ZnSb 나노시트 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기존 3차원 ZnSb와는 다른 구조의 다형체 층상물질인 ZnSb를 효율적으로 박리하여 ZnSb 나노시트를 형성할 수 있다. 상기 공정에 의해 만들어지는 고품질 층상 ZnSb 나노시트는 대량 생산이 가능하여 열전 물질 등의 응용이 가능하다. 본 발명에 의하면, ZnSb 3차원 구조에 K 삽입 및 제거를 통해 층상형 ZnSb 구조를 만들 수 있으며, 새롭게 제작된 층상형 구조는 쉽게 박리가 가능하다.
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公开(公告)号：WO2019151643A1
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：PCT/KR2018/016084
申请日：2018-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 층상형 AZnBi(여기서, A는 K, Na, Li 중 어느 하나임), 층상형 ZnBi, ZnBi 나노시트 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기존 2차원 소재 연구의 한계인 모상의 구조를 극복하기 위한 것으로, 이온 삽입을 이용하여 결정구조 전이를 통해 층상형 KZnBi, NaZnBi, LiZnBi를 제조하고, 이를 이용하여 자연계에서 존재하지 않는 ZnBi 층상구조 및 ZnBi 나노시트를 제조할 수 있다. 본 발명의 층상형 화합물 및 나노시트는 우수한 열전 특성을 가져 Bi 2 Te 3 계 재료와 PbTe계 재료를 대신하여 열전 소재로 활용될 수 있으며, 아울러 강자성 특성으로 인해 자성반도체로서 응용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR102263257B1
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：KR1020190103091
申请日：2019-08-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C22C24/00
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102250674B1
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：KR1020190103095
申请日：2019-08-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은층상형화합물, 나노시트및 이들의제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 기존 3차원벌크(bulk) 와는다른이차원층상구조의 MnAs 및 ZnAs를효율적으로박리하여 MnAs 나노시트, ZnAs 나노시트를형성할수 있다. 상기공정에의해만들어지는고품질층상 ZnSb 나노시트는대량생산이가능하여유연자성소재또는유연반도체소재등의응용및 사용이가능하다.
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公开(公告)号：KR102250676B1
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：KR1020190102665
申请日：2019-08-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은신규초전도체용화합물및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 상압의 0.84K 부근에서초전도성을갖는 KZnBi 화합물을제공할수 있다. 또한, 본발명에의해상압의 0.84K 부근에서초전도성을갖는 KZnBi 화합물의제조방법을제공할수 있다.
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