公开(公告)号：KR100891466B1

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：KR1020070075785

申请日：2007-07-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박종윤 ,  최원철 ,  양청환 ,  이승엽

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  C01B31/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브의 밀도제어방법, 이를 이용한 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 기판 상에 형성된 탄소나노튜브를 탄소나노튜브 팁처리 용액으로 처리하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브의 밀도제어방법, 및 이를 이용한 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법을 제공한다. 또한 본 발명은 기판; 기판 상에 형성되고, 탄소나노튜브 팁처리 용액으로 처리된 탄소나노튜브층; 및 탄소나노튜브 층의 상부에 형성된 금속층을 포함하는 탄소나노튜브 전계방출원을 제공한다.
본 발명에 따르면, 적은 비용과 간단한 용액처리공정만으로도 탄소나노튜브의 팁부분이 모인 집합체들로 이루어진 구조를 통하여 탄소나노튜브층 말단의 밀도를 낮게 제어한다. 또한, 동시에 구조적으로도 안정하여 전자방출능이 우수하다.
탄소나노튜브, 전계방출원, 밀도, 용액처리, 금속층

公开(公告)号：KR1020090011818A

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020070075785

申请日：2007-07-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박종윤 ,  최원철 ,  양청환 ,  이승엽

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  C01B31/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y40/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: A density controlled carbon nanotube field emission source, a preparation method thereof, and a density control method of carbon nanotube are provided to improve the structural stability by lowering the density of the carbon nano tube layer. A buffer layer(110) is formed on the top of the substrate(100). A catalyst layer(120) is formed on the top of the buffer layer. The buffer layer is formed of the chrome(Cr), the tantalum(Ta), and the titanium(Ti) or their alloy. The catalyst layer is formed of the nickel(Ni), the iron(Fe), and the cobalt(Co) or their alloy. The carbon nanotube is perpendicularly grown up on the catalyst layer using the direct current plasma assisted chemical vapor deposition under the hydrocarbon gas environment including the methane gas, the acetylene gas or the ethylene gas. The substrate including carbon nanotube is dipped in the carbon nanotube tip process solution in 5 to 10 minutes. The carbon nanotube tip process solution is removed from the carbon nanotube or the substrate.

Abstract translation: 提供密度控制的碳纳米管场发射源，其制备方法和碳纳米管的密度控制方法，以通过降低碳纳米管层的密度来提高结构稳定性。 在衬底（100）的顶部上形成缓冲层（110）。 催化剂层（120）形成在缓冲层的顶部。 缓冲层由铬（Cr），钽（Ta）和钛（Ti）或它们的合金形成。 催化剂层由镍（Ni），铁（Fe）和钴（Co）或它们的合金形成。 在包括甲烷气体，乙炔气体或乙烯气体在内的烃气体环境下，使用直流等离子体辅助化学气相沉积，在催化剂层上垂直生长碳纳米管。 将包含碳纳米管的基板在5〜10分钟内浸渍在碳纳米管尖端处理液中。 从碳纳米管或基材除去碳纳米管尖端工艺溶液。