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公开(公告)号：KR1020150111214A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：KR1020140034886
申请日：2014-03-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C23C14/0042 , C23C14/083 , C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: 본발명은 VO박막의합성과정에서주입되는산소를제어하여특수한조건에서만관찰이되는불안정한절연체상인 M상을상온에서존재하도록안정화하는방법에관한것으로 RF 스퍼터링방법을이용해박막을합성하고, VO물질과격자어긋남이사파이어보다큰 GaN 기판을사용한다. 상기제어기술에의하면, 매우간단한산소제어를통해불안정한절연체상인 M상이 GaN 기판위에합성된 VO박막에상온에서매우안정된상태로존재, 유지될수 있어서, 금속-절연체상전이현상메커니즘연구및 기술개발의미개척분야인절연체상 M2 상에대한연구에적용할수 있는물질을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过控制在形成VO_2薄膜的过程中注入的氧而使在室温下存在的在特定条件下观察到的不稳定绝缘子的M_2相稳定化的方法。 使用RF溅射法形成薄膜，并且使用与VO_2物质的晶格失配大于蓝宝石的GaN衬底。 根据控制技术，通过非常简单的氧气控制，在非常稳定的条件下，在GaN衬底上形成作为不稳定绝缘体的M_2相的VO_2薄膜稳定地存在，使得适用于研究的物质 在金属 - 绝缘体相变机理研究和技术开发的非开发领域的M_2相可以提供。
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公开(公告)号：KR1020180015851A
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：KR1020160099366
申请日：2016-08-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/87 , H01L29/66 , H01L27/092 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/87 , H01L27/0921 , H01L29/42308 , H01L29/66363 , H01L2924/1301
Abstract: 본발명의사이리스터는이산화바나듐(vanadium dioxide)으로구성된채널(channel); 상기채널의일단에연결된캐소드(cathode); 상기채널의타단에연결된애노드(anode); 상기채널과물리적으로이격된게이트(gate); 및상기채널과상기게이트사이에개재된유전체(dielectric)를포함한다.
Abstract translation: 本发明的晶闸管包括由二氧化钒构成的通道; 连接到通道一端的阴极; 连接到通道另一端的阳极; 与通道物理隔开的门; 介质介于通道和门之间。
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公开(公告)号：KR1020150111563A
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020140034989
申请日：2014-03-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본발명은전자소자및 광소자에서채널물질로사용되는 VO박막의활용에있어요구되는고품질의 VO박막합성및 제조방법에관한것으로, RF 스퍼터링방법을이용하여박막을합성하고, 기판으로 III-V족에피택셜웨이퍼 (GaN)를사용한다. 본발명의합성법에따르면, GaN은사파이어와격자구조가유사해고품질의 VO박막이합성되고, 도핑을통해전도도제어가가능하다는장점이있어 VO박막기반전자소자의전극으로의활용이가능하며및 GaN이가지고있는광소자로서의활용에이점을가지고있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于合成和制备可用作光学装置或电子装置中的通道材料的高品质VO_2薄膜的方法。 使用射频（RF）溅射法合成薄膜。 III-V族中的外延晶片（GaN）用作衬底。 根据本发明，合成方法使用具有类似于蓝宝石的栅格结构的GaN，以便合成高质量的VO_2薄膜。 VO_2薄膜还可以通过掺杂来控制电导率，并且可以在基于VO_2薄膜的电子器件的电极中或在包括GaN的光学器件中使用。
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公开(公告)号：KR101870860B1
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：KR1020160099366
申请日：2016-08-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/87 , H01L29/66 , H01L27/092 , H01L29/423
Abstract: 본발명의사이리스터는이산화바나듐(vanadium dioxide)으로구성된채널(channel); 상기채널의일단에연결된캐소드(cathode); 상기채널의타단에연결된애노드(anode); 상기채널과물리적으로이격된게이트(gate); 및상기채널과상기게이트사이에개재된유전체(dielectric)를포함한다.
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