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公开(公告)号：WO2020050588A1
公开(公告)日：2020-03-12
申请号：PCT/KR2019/011325
申请日：2019-09-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 제 1 측면에 따른 크로스바 메모리 구조를 이용한 뉴로모픽 소자는 제 1 방향으로 서로 나란하게 연장 형성된 복수의 게이트 전극들, 제 1 방향으로 서로 나란하게 연장 형성된 복수의 드레인 전극들, 게이트 전극들과 드레인 전극들 사이에서 제 1 방향과 교차하도록 배치되며, 서로 나란하게 연장 형성된 복수의 소스 전극들, 게이트 전극들과 소스 전극들의 교차지점에, 소스 전극과 인접한 순서에 따라 순차적으로 적층된 터널링 절연막, 전하 저장층 및 게이트 절연막들, 드레인 전극들과 소스 전극들의 교차지점에서, 채널 층으로서 이종 접합된 n형 반도체층 및 P 형 반도체층들을 포함하거나, n형 또는 P 형의 단일 반도체층을 포함하되, 소스 전극들은 시냅스 전 뉴런 연결단자로서 기능하고, 드레인 전극들은 시냅스 후 뉴런 연결단자로서 기능하며, 게이트 전극은 전하 저장층에 저장되는 전하량을 조절하여 시냅스 가중치를 조절하는 기능을 수행한다.
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公开(公告)号：KR102128474B1
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：KR1020190049383
申请日：2019-04-26
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
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