公开(公告)号：KR1020110013560A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：KR1020110006033

申请日：2011-01-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이내응 ,  원탄티엔

IPC: H01L29/786 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L51/0516 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0537

Abstract: PURPOSE: An organic pyroelectric functional sensor integrated in a thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to secure high linearity and reliability by introducing a P(VDF-TrFE) layer in an OTFT(Organic Thin-Film Transistor) as a functional gate dielectric layer. CONSTITUTION: An Ni gate electrode(2) is deposited on a film(1) by electroplating. A dielectric layer(3) is formed by coating a P(VDF-TrFE) layer on the Ni gate electrode. A crystalline property is improved by re-crystallizing after dissolving a dielectric layer through annealing. A semiconductor layer(4) is deposited on the dielectric layer. A source and drain electrode(5,6) is deposited on the semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供集成在薄膜晶体管中的有机热释电功能传感器及其制造方法，以通过在作为功能栅极的OTFT（有机薄膜晶体管）中引入P（VDF-TrFE）层来确保高线性度和可靠性 电介质层。 构成：通过电镀将Ni栅电极（2）沉积在膜（1）上。 通过在Ni栅极上涂覆P（VDF-TrFE）层来形成电介质层（3）。 在通过退火溶解介电层之后通过再结晶来提高结晶性。 半导体层（4）沉积在电介质层上。 源极和漏极（5,6）沉积在半导体层上。

公开(公告)号：KR1020110061519A

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：KR1020110035172

申请日：2011-04-15

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이내응 ,  원탄티엔

IPC: H01L29/786 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L51/052 ,  B82Y30/00

Abstract: PURPOSE: An organic pyroelectric sensor integrated in a thin film transistor and manufacturing method thereof are provided to use a P(VDF-TrFE) of an OTFT in a functional gate dielectric layer, thereby obtaining superior linearity and reliability. CONSTITUTION: An Ni gate electrode is deposited on a film by electroplating. A P(VDF-TrFE) layer is applied on an Ni gate electrode to form a dielectric layer. The dielectric layer is annealed, melted, and crystallized to increase crystallinity. A semiconductor layer, and source and drain electrode layers are deposited on the dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供集成在薄膜晶体管中的有机热电传感器及其制造方法，以在功能栅介质层中使用OTFT的P（VDF-TrFE），从而获得优异的线性度和可靠性。 构成：Ni电极通过电镀沉积在膜上。 在Ni栅极上施加P（VDF-TrFE）层以形成电介质层。 电介质层被退火，熔化和结晶以提高结晶度。 半导体层，以及源极和漏极电极层沉积在电介质层上。

公开(公告)号：KR101021509B1

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：KR1020080055448

申请日：2008-06-12

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이내응 ,  원탄티엔

IPC: H01L29/786 ,  B82Y30/00

Abstract: 본 발명에서는 초전기 센서 분야에 응용될 수 있도록 폴리비닐리덴플루오라이드 및 트리플루오로에틸렌(P(VDF-TrFE))의 공중합체를 OTFT에 적용하여 초전기 게이트 유전체로서 활용하기 위해, 초전기 게이트 유전체 재료를 게이트 유전층으로서 유기 박막 트랜지스터 구조에 집적하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서를 제공한다. 또 본 발명에서는 기판 위에 전기도금에 의해 Ni 게이트 전극을 필름 위에 증착하는 단계; 상기 Ni 게이트 전극 위에 P(VDF-TrFE) 층을 도포하여 유전층을 형성하는 단계; 상기 유전층을 어닐링하여 용해한 뒤 재결정하여 결정성을 향상시키는 단계; 상기 유전층 위에 반도체 층, 소스 및 드레인 전극층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법이 제공된다.
폴리비닐리덴플루오라이드, 트리플루오로에틸렌, OTFT, 유기 박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR1020090129270A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：KR1020080055448

申请日：2008-06-12

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이내응 ,  원탄티엔

IPC: H01L29/786 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L51/0516 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0545

Abstract: PURPOSE: An organic pyroelectric sensors integrated in thin-film transistors and a method for producing the same ARE provided to secure excellent linearity and reliability by adopting P(VDF-TrFE) within OTFT to as a functionality gate-dielectric layer. CONSTITUTION: In a device, an Ni gate electrode(2) is evaporated on a polyimide film(1) through electroplating in which is not contaminated. A gate dielectric is composed of P(VDF-TrFE) of 65mol% VDF. The Ni gate electrode is spin-coated with a mixture of 10wt% P(VDF-TrFE) and dimethylformamide solvent by 500nm. A DMF solvent is removed by performing a drying process under a temperature of 60°C. The gate dielectric is annealed on a hot plate until temperature is reached to 200°C. A pentacene layer(4) is evaporated by a thermal evaporator. Au source / drain electrodes(5,6) are evaporated on the pentacene layer.

Abstract translation: 目的：集成在薄膜晶体管中的有机热释电传感器和用于制造相同ARE的方法用于通过在OTFT内采用P（VDF-TrFE）作为功能性栅极介电层来确保优异的线性度和可靠性。 构成：在器件中，Ni阳极电极（2）通过未被污染的电镀在聚酰亚胺膜（1）上蒸发。 栅极电介质由65mol％VDF的P（VDF-TrFE）组成。 将Ni栅电极用10重量％P（VDF-TrFE）和二甲基甲酰胺溶剂的混合物旋涂500nm。 通过在60℃的温度下进行干燥处理除去DMF溶剂。 栅极电介质在热板上退火直到温度达到200℃。 并五苯层（4）通过热蒸发器蒸发。 Au源/漏电极（5,6）在并五苯层上蒸发。