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公开(公告)号：KR100722821B1
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020050023781
申请日：2005-03-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 극성을 갖는 이온빔을 추출하는 이온소오스, 상기 이온소오스의 한쪽 단부에 위치하며, 특정 극성의 이온빔을 가속시키는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드 어셈블리를 구비한 중성빔 식각장치에 있어서, 상기 그리드 어셈블리의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체 홀 또는 슬릿부가 형성되어 있으며, 상기 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체 홀 또는 슬릿부 내에서 반사시켜 중성빔으로 전환시켜 주는 반사체를 포함하여 이루어진다.
이때, 중성화 과정에서 가장 중요한 역할을 담당하는 부분인 반사체는 유리질 카본(glassy carbon)으로 이루어지거나, 반사체의 반사체 홀 또는 슬릿부 표면이 유리질 카본으로 코팅되거나 다이아몬드상카본(DLC)으로 코팅된 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020060102042A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：KR1020050023781
申请日：2005-03-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J2237/0042
Abstract: 본 발명은 극성을 갖는 이온빔을 추출하는 이온소오스와, 상기 이온소오스의 한쪽 단부에 위치하며, 특정 극성의 이온빔을 가속시키는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드 어셈블리, 상기 그리드 어셈블리의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체 홀 또는 슬릿부가 형성되어 있으며, 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체 홀 또는 슬릿부 내에서 반사시켜 중성빔으로 전환시켜주는 반사체 및, 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시킬 수 있는 스테이지를 포함하여 이루어진다.
이때, 중성화 과정에서 가장 중요한 역할을 담당하는 부분인 반사체는 유리질 카본(glassy carbon)으로 이루어지거나, 반사체의 반사체 홀 또는 슬릿부 표면이 유리질 카본으로 코팅되거나 다이아몬드상카본(DLC)으로 코팅된 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR100669828B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020050023782
申请日：2005-03-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C16/452 , C23C16/4551 , C23C16/45544
Abstract: 본 발명은 중성빔 증착장비 및 이 장치를 이용한 원자층 증착방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 제2반응가스를 플라즈마화시켜 발생된 라디칼의 플럭스, 즉 이온빔을 중성빔화하여 피처리기판에 조사하도록 된 중성빔을 이용한 원자층 증착장치 및 이 장치를 이용한 원자층 증착방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 피처리기판에 화학적으로 흡착되지 않는 물질을 포함하는 제1반응가스를 피처리기판이 로딩된 반응챔버 내에 공급하여, 화학적으로 흡착되지 않는 물질을 포함하는 제1반응물 흡착층을 피처리기판 상에 화학적으로 흡착시켜서 형성하는 단계와, 상기 제1반응물 흡착층이 형성된 피처리기판 상에 제2반응가스에 의해 생성된 중성빔을 조사하여, 화학적으로 피처리기판 상에 흡착되지 않는 물질을 제1반응물 흡착층으로부터 제거하여 제2반응물 흡착층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 중성빔 증착장치를 이용한 증착방법을 제공한다.
통상, 원자층 증착 공정에 있어서는, 제2반응가스를 주입하여 고온에서 반응을 일으키거나, 제2반응가스를 플라즈마화한 플럭스를 사용하고 있는데, 이때 플라즈마의 사용에 따라 이온 또는 전자에 의한 차징이 플라즈마화에 따라서 발생할 수 있으며, 제2반응가스를 그대로 주입한 경우는 ALD 공정의 제2반응가스 공정이 고온에서 이루어지게 되는 문제점이 있었다. 또한 차징의 문제점을 극복하기 위해서, 리모트 플라즈마 (remote plasma)를 이용하는 방법이 개시되고 있지만, 리모트 플라즈마를 이용하는 경우에는 플럭스와 에너지가 감소하는 문제점이 발생하고 있었 다. 이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로서, 제2반응가스를 중성화하고자 하였다. 이때 상기 중성빔은 에너지를 갖는 이온을 반사체에 반사시켜 생성하거나, 재결합 또는 차지 익스체인지를 통해 생성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 이러한 내용을 적용하게 될 경우 저온에서, 차징에 의한 손상 없이 공정을 수행할 수 있고, 이에 따라 Si, SiO
2 등의 monolayer 물질의 증착뿐 아니라, DRAM의 deep-trench용 유전체, 게이트 유전막, 배선영역 (디퓨전 베리어, seed layer) 등을 포함하는 반도체 영역의 증착 공정에 적용할 수 있음은 물론이다.
중성빔, 그리드, 반사체, 이온빔, 입사각, 증착, ALD, 원자층 증착-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100668075B1
公开(公告)日：2007-01-15
申请号：KR1020050024673
申请日：2005-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 이온소오스로부터 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시키는 단계; 상기 가속된 이온빔을 반사체에 입사되는 이온빔의 입사각을 제어하여 반사시켜 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계; 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시켜 상기 중성빔에 의해 상기 피식각기판상의 특정 물질층을 식각하는 단계를 구비하여 이루어지고, 상기 이온빔 추출 및 가속 단계에서, 식각 가스로 CF계열의 가스를 사용하여 이온빔을 추출하는 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법을 제공한다. 여기서, 상기 식각 가스는 CF
4 이고, 상기 첨가가스는 H
2 인 것이 바람직하다. 이에 의해, PR과 실리콘 및 실리콘옥사이드의 선택비를 크게할 수 있다.
중성빔, 그리드, 반사체, 이온빔, 입사각, 식각,-
公开(公告)号：KR1020060102043A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：KR1020050023782
申请日：2005-03-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C16/452 , C23C16/4551 , C23C16/45544
Abstract: 본 발명은 중성빔 증착장비 및 이 장치를 이용한 원자층 증착방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 제2반응가스를 플라즈마화시켜 발생된 라디칼의 플럭스, 즉 이온빔을 중성빔화하여 피처리기판에 조사하도록 된 중성빔을 이용한 원자층 증착장치 및 이 장치를 이용한 원자층 증착방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 피처리기판에 화학적으로 흡착되지 않는 물질을 포함하는 제1반응가스를 피처리기판이 로딩된 반응챔버 내에 공급하여, 화학적으로 흡착되지 않는 물질을 포함하는 제1반응물 흡착층을 피처리기판 상에 화학적으로 흡착시켜서 형성하는 단계와, 상기 제1반응물 흡착층이 형성된 피처리기판 상에 제2반응가스에 의해 생성된 중성빔을 조사하여, 화학적으로 피처리기판 상에 흡착되지 않는 물질을 제1반응물 흡착층으로부터 제거하여 제2반응물 흡착층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 중성빔 증착장치를 이용한 증착방법을 제공한다.
통상, 원자층 증착 공정에 있어서는, 제2반응가스를 주입하여 고온에서 반응을 일으키거나, 제2반응가스를 플라즈마화한 플럭스를 사용하고 있는데, 이때 플라즈마의 사용에 따라 이온 또는 전자에 의한 차징이 플라즈마화에 따라서 발생할 수 있으며, 제2반응가스를 그대로 주입한 경우는 ALD 공정의 제2반응가스 공정이 고온에서 이루어지게 되는 문제점이 있었다. 또한 차징의 문제점을 극복하기 위해서, 리모트 플라즈마 (remote plasma)를 이용하는 방법이 개시되고 있지만, 리모트 플라즈마를 이용하는 경우에는 플럭스와 에너지가 감소하는 문제점이 발생하고 있었 다. 이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로서, 제2반응가스를 중성화하고자 하였다. 이때 상기 중성빔은 에너지를 갖는 이온을 반사체에 반사시켜 생성하거나, 재결합 또는 차지 익스체인지를 통해 생성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 이러한 내용을 적용하게 될 경우 저온에서, 차징에 의한 손상 없이 공정을 수행할 수 있고, 이에 따라 Si, SiO
2 등의 monolayer 물질의 증착뿐 아니라, DRAM의 deep-trench용 유전체, 게이트 유전막, 배선영역 (디퓨전 베리어, seed layer) 등을 포함하는 반도체 영역의 증착 공정에 적용할 수 있음은 물론이다.
중성빔, 그리드, 반사체, 이온빔, 입사각, 증착, ALD, 원자층 증착-
公开(公告)号：KR1020060062741A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101683
申请日：2004-12-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/32422 , H01J37/321
Abstract: 본 발명은, 고주파의 고전압을 인가하여 주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 상기 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시키는 그리드홀이 각기 대응하는 위치에 적어도 하나 이상 형성되어 있으며, 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 그리드로 이루어지는 그리드 어셈블리를 구비하여 구성되는 이온빔 소오스에 있어서, 상기 플라즈마 발생챔버에 단속적으로 고주파의 고전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100735668B1
公开(公告)日：2007-07-06
申请号：KR1020040101683
申请日：2004-12-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/203
Abstract: 본 발명은, 고주파의 고전압을 인가하여 주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 상기 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시키는 그리드홀이 각기 대응하는 위치에 적어도 하나 이상 형성되어 있으며, 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 그리드로 이루어지는 그리드 어셈블리를 구비하여 구성되는 이온빔 소오스에 있어서, 상기 플라즈마 발생챔버에 단속적으로 고주파의 고전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020060102755A
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：KR1020050024673
申请日：2005-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J2237/0041
Abstract: 본 발명은 이온소오스로부터 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시키는 단계; 상기 가속된 이온빔을 반사체에 입사되는 이온빔의 입사각을 제어하여 반사시켜 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계; 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시켜 상기 중성빔에 의해 상기 피식각기판상의 특정 물질층을 식각하는 단계를 구비하여 이루어지고, 상기 이온빔 추출 및 가속 단계에서, 식각 가스로 CF계열의 가스를 사용하여 이온빔을 추출하는 것을 특징으로 하는 중성빔 식각장치를 이용한 식각방법을 제공한다. 여기서, 상기 식각 가스는 CF
4 이고, 상기 첨가가스는 H
2 인 것이 바람직하다. 이에 의해, PR과 실리콘 및 실리콘옥사이드의 선택비를 크게할 수 있다.
중성빔, 그리드, 반사체, 이온빔, 입사각, 식각,
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