公开(公告)号：KR101538883B1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：KR1020140017311

申请日：2014-02-14

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정동근 ,  채희엽 ,  박민우 ,  김훈배 ,  이채민

IPC: H01L51/00

Abstract: 본발명은유기전자소자용다층박막봉지에관한것으로, 더욱상세하게는 Si-O 결합을갖는십자형태의유·무기전구체물질을사용하여제조되는플라즈마중합체박막, 및무기박막을포함하는, 유연성이확보되고봉지특성이향상된유기전자소자용다층박막봉지에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020150021179A

公开(公告)日：2015-03-02

申请号：KR1020130098177

申请日：2013-08-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정동근 ,  김훈배 ,  오효진 ,  이채민

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L29/06 ,  B05D1/34 ,  B05D1/62 ,  C08G77/045 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/67115

Abstract: 본 발명은 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저유전 상수값을 가지면서도 강도, 탄성률과 같은 기계적 강도를 개선시킨 반도체 소자용 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种高强度，低电介质聚合物质膜及其制造方法，更具体地说，涉及一种具有改进的机械强度的高强度低介电聚合物质子膜，例如 强度和弹性模量，同时具有低介电常数; 及其制造方法。 本发明提供了一种通过沉积以下述化学方程式1表示的第一前体物质制造的高强度低电介质聚合物质膜。

公开(公告)号：KR101389197B1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020130122884

申请日：2013-10-15

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정동근 ,  채희엽 ,  박민우 ,  김훈배 ,  이채민

IPC: H01L51/00

Abstract: The present invention relates to a multi-layer thin film encapsulation for an organic electronic device and, more specifically, to a multi-layer thin film encapsulation for an organic electronic device which includes a plasma polymer thin film formed by using a cross-shaped precursor having Si-O bonding and an inorganic thin film layer, which ensures flexibility, and has an improved encapsulation property.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于有机电子器件的多层薄膜封装，更具体地，涉及一种用于有机电子器件的多层薄膜封装，其包括通过使用十字形前体形成的等离子体聚合物薄膜 具有Si-O键和无机薄膜层，其确保柔性，并且具有改进的封装性能。

公开(公告)号：KR1020140092268A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：KR1020140017311

申请日：2014-02-14

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정동근 ,  채희엽 ,  박민우 ,  김훈배 ,  이채민

IPC: H01L51/00

Abstract: 본발명은유기전자소자용다층박막봉지에관한것으로, 더욱상세하게는 Si-O 결합을갖는십자형태의유·무기전구체물질을사용하여제조되는플라즈마중합체박막, 및무기박막을포함하는, 유연성이확보되고봉지특성이향상된유기전자소자용다층박막봉지에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于有机电子器件的多层薄膜封装，更具体地涉及一种具有柔性和改进的封装性能的有机电子器件的多层薄膜封装，其包括无机薄膜和等离子体聚合物薄膜 通过使用具有Si-O键的交叉形状的有机和无机前体材料制造。

公开(公告)号：KR101506801B1

公开(公告)日：2015-03-30

申请号：KR1020130098177

申请日：2013-08-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정동근 ,  김훈배 ,  오효진 ,  이채민

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L29/06 ,  B05D1/34 ,  B05D1/62 ,  C08G77/045 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/67115

Abstract: 본 발명은 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저유전 상수값을 가지면서도 강도, 탄성률과 같은 기계적 강도를 개선시킨 반도체 소자용 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.