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公开(公告)号：WO2009104935A2
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/KR2009/000843
申请日：2009-02-23
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 정동근 , 남은경 , 박근희
CPC classification number: H01L51/5048
Abstract: 유기전자소자 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 유기 전자 소자는 제1 전극, 제1 전극과 대향 배치되는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 유기활성층, 및 상기 유기활성층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 카르복시산 무수물층을 구비한다. 유기활성층과 상기 제2 전극 사이에 카르복시산 무수물층을 도입함으로써, 상기 제2 전극과 상기 유기활성층 사이의 에너지 장벽을 변형시켜 상기 제2 전극과 상기 유기활성층 사이의 전자이동을 용이하게 할 수 있다. 이와 더불어서, 상기 유기활성층 내의 엑시톤이 상기 제2 전극으로 확산되는 것을 막을 수 있다. 따라서, 유기전자소자의 효율을 향상시킬 수 있다.
Abstract translation: 提供了一种有机电子器件及其制造方法。 其中，有机电子器件包括第一电极，与第一电极相对设置的第二电极，位于第一电极和第二电极之间的有机活性层和羧酸 酸酐层。 通过在有机活性层和第二电极之间引入羧酸酐层，可以修改第二电极和有机活性层之间的能垒以促进第二电极和有机活性层之间的电子转移。 另外，可以防止有机活性层中的激子扩散到第二电极中。 因此，可以提高有机电子器件的效率。
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公开(公告)号：KR101989468B1
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：KR1020170079013
申请日：2017-06-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C12N5/00 , C09D139/04 , C23C16/44
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公开(公告)号：KR101771601B1
公开(公告)日：2017-08-28
申请号：KR1020150023297
申请日：2015-02-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L51/44 , H01L21/02 , C07C211/10 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 본발명은무기박막, 및디아민화합물을전구체물질로사용하여제조되는플라즈마중합체박막을포함하는산소또는수분차단용다층박막, 상기산소또는수분차단용다층박막을구비한유기전자소자, 및상기산소또는수분차단용다층박막이코팅된포장재에관한것이다.
Abstract translation: 本发明是一种无机薄膜，以及具有对氧或水阻挡氧或水分屏障特性的多层薄膜，多层薄膜用于包含等离子体聚合物膜使用作为前体材料制成的二胺化合物的有机电子器件，和氧或 涂覆有防潮层的多层薄膜的包装材料。
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公开(公告)号：KR1020170056093A
公开(公告)日：2017-05-23
申请号：KR1020150159154
申请日：2015-11-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , C01B31/30 , C07F5/06 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: C07F5/06 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/31
Abstract: 본발명은탄소; 산소; 및알루미늄, 티타늄, 하프늄, 탄탈륨, 지르코늄및 텅스텐으로구성된군으로부터선택되는금속;을포함하는박막으로서, 총중량을기준으로 5 내지 85중량%의탄소, 5 내지 60중량%의산소; 및 5 내지 40중량%의금속을포함하는금속탄화산화물박막에관한것이다. 본발명의금속탄화산화물박막은반응전구체의단일주입공정을통해증착되어형성되므로박막두께를축소화할수 있어공정의단순화및 제조원가의절감이가능해지며이를통해생산성향상에기여할수 있다. 또한, 본발명의금속탄화산화물박막을제조하는방법은증착조건을변화시켜박막중의각 성분의함량비를조절할수 있고이에따라제조되는박막의강도, 내식각성, 전도도등의물성을조절할수 있으므로, 사용하고자하는용도에맞는성질을갖는박막을제조하기에유리하다.
Abstract translation: 本发明涉及一种碳 - 氧气; 含薄膜的基础上，5〜85重量％的碳，5％至60％的总重量按重量计的氧;以及铝，钛，铪，钽，锆和所述金属选自钨的组中选择; 和5至40重量％的金属。 金属碳化物，本发明的氧化物薄膜被形成沉积在反应的前体的单次注射步骤可在大小做到这一点的膜厚减少成为可能的简化和减少的过程的制造成本可有助于通过它来提高生产率。 另外，通过改变淀积条件，因为它可以调整强度的物理性质，如耐蚀刻制造金属碳化物，本发明的氧化物薄膜的制造方法，该薄膜待生产可以调整在薄膜的每个组件和yiettara的含量比，使用的导电性 制备具有适合于预期用途的性质的薄膜是有利的。
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公开(公告)号：KR101462765B1
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：KR1020130025350
申请日：2013-03-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C12N5/0068 , C12M25/06 , C12N2535/10 , G01N33/5008 , G01N33/5017 , G01N2500/04 , G03F1/50
Abstract: 본 발명은 (1) 기판을 준비하는 단계; (2) 플라즈마를 이용하여 상기 기판 상에 전구체 물질을 집적시켜 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계; (3) 상기 플라즈마 중합체층 상에 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크를 올려놓는 단계; (4) 플라즈마를 이용하여 상기 새도우 마스크가 올려진 기판 상에 반응가스를 처리하는 단계; 및 (5) 상기 새도우 마스크를 기판으로부터 제거하는 단계를 포함하는 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 이를 이용하여 제조한 패턴화된 세포 배양용 기판에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 패턴화된 세포 배양용 기판 상에 세포를 배양하는 단계를 포함하는 세포의 패턴화된 배양방법 및 패턴화된 세포칩, 그리고 상기 패턴화된 세포칩을 이용하여 혈관신생 유도 또는 촉진하는 활성을 가지는 물질을 스크리닝하는 방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140092268A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020140017311
申请日：2014-02-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L51/00
Abstract: 본발명은유기전자소자용다층박막봉지에관한것으로, 더욱상세하게는 Si-O 결합을갖는십자형태의유·무기전구체물질을사용하여제조되는플라즈마중합체박막, 및무기박막을포함하는, 유연성이확보되고봉지특성이향상된유기전자소자용다층박막봉지에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于有机电子器件的多层薄膜封装，更具体地涉及一种具有柔性和改进的封装性能的有机电子器件的多层薄膜封装，其包括无机薄膜和等离子体聚合物薄膜 通过使用具有Si-O键的交叉形状的有机和无机前体材料制造。
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7.发明授权패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩 有权用于培养细胞的形成图案的方法，用于培养细胞的图案化基质，培养细胞的图案方法和图案细胞芯片
公开(公告)号：KR101129090B1
公开(公告)日：2012-04-13
申请号：KR1020090082152
申请日：2009-09-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C12N5/0068 , B01J2219/00509 , B01J2219/00527 , B01J2219/00605 , B01J2219/00612 , B01J2219/00614 , B01J2219/00619 , B01J2219/00621 , B01J2219/00635 , B01J2219/00637 , B01J2219/00743 , C12N2533/12 , C12N2533/30 , C12N2535/10
Abstract: 본 발명은 (1) 기판을 준비하는 단계; (2) 플라즈마를 이용하여 상기 기판 상에 제1 전구체 물질을 집적시켜 제1 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계; (3) 상기 제1 플라즈마 중합체층 상에 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크를 올려놓는 단계; 및 (4) 플라즈마를 이용하여 제2 전구체 물질을 집적시켜 패턴화된 제2 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101047396B1
公开(公告)日：2011-07-08
申请号：KR1020090011605
申请日：2009-02-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향 배치되는 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 광활성층; 상기 제1 전극과 상기 광활성층 사이에 위치하는 정공 수송층; 및 상기 제2 전극과 상기 광활성층 사이에 위치하고 카르복시산 무수물로 이루어진 제1 음극 계면층을 포함하는 유기 태양전지 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 유기 태양전지 소자는 제2 전극과 광활성층의 일함수 차이에 따른 전자 수송에 필요한 에너지 장벽을 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 음극 계면층을 형성하지 않은 종래의 유기 박막 태양전지 소자와 비교하여 에너지 전환 효율과 광 전류 밀도를 향상시킬 수 있고, 또한 종래의 LiF 등의 금속 화합물 절연막을 이용하는 경우 발생하는 Li 등의 금속 성분의 확산을 막아 신뢰성을 지속할 수 있는 유기 박막 태양전지를 제공할 수 있다.
유기 태양전지, 음극 계면층, 카르복시산 무수물-
公开(公告)号：KR100987183B1
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：KR1020100005202
申请日：2010-01-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C08J5/22 , C08K5/54 , C08K5/01 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선형 형태의 유·무기 전구체 물질을 사용하여 제조되는 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 증착과 RTA 장치를 이용한 후열처리를 통하여 상기 저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 저유전 플라즈마 중합체 박막은 열적으로 매우 안정하고 낮은 유전상수를 가지면서 뛰어난 기계적 특성을 갖는 박막 구조로 형성되어 금속 다층 박막을 제조하는데 있어서 효과적이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种低介电的等离子体聚合物薄膜及其制造和的方法更具体地，在油＆middot形式线性;低介电等离子体聚合物膜使用无机前体材料以及PECVD（等离子体增强化学气相沉积）沉积产生并 以及使用RTA装置通过热处理来制造低介电等离子体聚合物薄膜的方法。 根据本发明的低介电等离子体聚合物薄膜，同时具有非常稳定的和低介电常数具有优异的机械性能的薄膜结构的构成是在金属多层薄膜的制造热有效。
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公开(公告)号：KR100697669B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050126703
申请日：2005-12-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02274 , H01L21/02118 , H01L21/0234
Abstract: A method for manufacturing a low-k plasma-polymerized thin film and a low-k thin film are provided to improve a dielectric constant by using a plasma processing method or a thermal processing method. A precursor including deca-mesyl-cyclo-pentasil-oxane and cyclo-hexane is evaporated within bubblers(30,31) to evaporate a precursor solution. The evaporated precursor is discharged from the bubblers. The discharged precursor is induced into a reactor(50) for plasma deposition. A plasma-polymerized thin film is deposited on an upper surface of a substrate by using the plasma of the reactor.
Abstract translation: 提供了制造低k等离子体聚合薄膜和低k薄膜的方法，以通过使用等离子体处理方法或热处理方法来提高介电常数。 在鼓泡器（30,31）内蒸发包含十甲基 - 环戊二烯 - 恶烷和环己烷的前体以蒸发前体溶液。 蒸发的前体从起泡器中排出。 将排出的前体引入用于等离子体沉积的反应器（50）中。 通过使用反应器的等离子体将等离子体聚合的薄膜沉积在基板的上表面上。
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