公开(公告)号：KR100784639B1

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：KR1020060045081

申请日：2006-05-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이재찬 ,  최택집

IPC: G11B9/02

Abstract: 본 발명은 초고밀도 정보 저장 장치용 강유전체 저장매체 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 서로 다른 분극특성을 갖는 산화물의 단위원자층을 적층하여 적층(수직)방향으로 특정이온들의 규칙적인 배열을 통해 인공격자의 단위구조(슈퍼셀)의 결정구조 및 대칭성을 조절하여 비등방성이 큰 슈퍼셀을 형성한다. 슈퍼셀 자체가 단일분극을 가지는 하나의 블록으로 수직방향으로 상하 2개 방향으로만 전기분극이 발현되게끔 하고 이러한 특징을 갖는 슈퍼 셀 블록으로 이루어진 산화물 인공격자를 제조한다. 산화물 인공격자가 180
o 도메인 구조만을 가지도록 하여 비등방성이 큰 단일 전기 분역을 나노스케일 크기로 형성시킬 수 있어 정보저장용량의 초고밀도화와 장기적 정보저장이 가능하다.
강유전체, 산화물, 인공격자, 초고밀도, 정보저장 매체.

公开(公告)号：KR1020070072322A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：KR1020060045081

申请日：2006-05-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이재찬 ,  최택집

IPC: G11B9/02

Abstract: A ferroelectric oxide artificial lattice, a fabricating method thereof, and an ultra high density information storing medium are provided to align a direction capable of generating electric polarization in only two upper and lower directions of a lamination direction by progressing a lamination process of the oxide artificial lattice of atomic unit thickness and forming a super-cell having the anisotropy of a new concept. A super high density information storing medium includes a single crystal substrate(100), an electrode(110), and a ferroelectric oxide artificial lattice. The electrode(110) is formed on the single crystal substrate(100). The ferroelectric oxide artificial lattice is formed on the electrode(110). The super high density information storing medium has a nano-size and long stability of a domain.

Abstract translation: 提供铁电氧化物人造晶格，其制造方法和超高密度信息存储介质，以通过进行氧化物人造的层压工艺来使仅能够在层叠方向的两个上下方向上产生电极化的方向对准 形成原子单位厚度的晶格并形成具有新概念的各向异性的超细胞。 超高密度信息存储介质包括单晶衬底（100），电极（110）和铁电氧化物人造晶格。 电极（110）形成在单晶衬底（100）上。 在电极（110）上形成铁电氧化物人造晶格。 超高密度信息存储介质具有域的纳米尺寸和长稳定性。