-
公开(公告)号:KR101030447B1
公开(公告)日:2011-04-25
申请号:KR1020090017159
申请日:2009-02-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 비정질/결정질 실리콘 이종접합 태양전지와 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 이종접합 태양전지는, 결정질 실리콘 웨이퍼의 전면에 비정질 실리콘을 형성하는 이종접합 실리콘 태양전지에 있어서, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 전, 후면에 증착된 SiO
x 막; 및 전면에 증착된 SiO
x 막 위에 증착된 비정질 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, SiO
x 막 또는 SiO
x N
y 막을 패시베이션막으로 사용함으로써, 이종접합태양전지의 효율을 크게 향상시키는 효과가 있다. 또한, 패시베이션막을 열처리 또는 화학적 기상 증착법을 이용한 간단한 증착방법을 이용함으로써, 대량 생산에 적합한 제조방법을 제공하는 효과가 있다.
이종접합 태양전지, 비정질/결정질 이종접합 태양전지, 패시베이션층, 비정질/결정질 태양전지-
公开(公告)号:KR1020100098138A
公开(公告)日:2010-09-06
申请号:KR1020090017159
申请日:2009-02-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/072 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A hetero-junction silicon solar cell and a method for fabricating the same are provided to improve minority carrier lifetime by using a SiOx film and a SiOxNy film as a passivation film. CONSTITUTION: A crystalline silicon wafer(100) is selected between an n-type or a p-type crystalline silicon. A passivation film(101) is evaporated on both sides of the silicon wafer. A back side field layer(102) generates back surface field. An amorphous silicon layer(103) is formed at front side of the crystalline silicon wafer while having the passivation film between them. A back side reflective electrode film(104) reflects incident light to increase the photonic efficiency.
Abstract translation: 目的:提供异质结硅太阳能电池及其制造方法,以通过使用SiO x膜和SiO x N y膜作为钝化膜来改善少数载流子寿命。 构成:在n型或p型晶体硅之间选择晶体硅晶片(100)。 在硅晶片的两侧蒸发钝化膜(101)。 背面场层(102)产生背面场。 在晶体硅晶片的前侧形成非晶硅层(103),同时在它们之间具有钝化膜。 背面反射电极膜(104)反射入射光以提高光子效率。
-