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1.发明专利
公开(公告)号：KR20210026210A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190106671A
申请日：2019-08-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02002 , H01L31/02167 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조에 관한 것이고, 절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조를 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 태양전지의 반사방지 또는 소자 보호 및 고효율 달성을 위해 형성한 절연막을 절연파괴 전압을 이용하여 선택적으로 투과시켜 접촉전극을 형성하는 방법으로 적은 에너지만으로 전극의 접촉특성을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：WO2019107869A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：PCT/KR2018/014695
申请日：2018-11-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/0376 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/0376 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 반송자 선택형 태양전지에 관한 것이고, 또한 이러한 반송자 선택형 태양전지의 제조 방법에 관한 것이다. 이종접합 태양전지 제작에서 고효율화로 가면 갈수록 물질 간의 일함수 차이에 의한 특성이 하락한다는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 MoOx 물질을 적용하여 이종접합 태양전지를 제작하여 낮은 광 흡수와 높은 일함수로 인한 계면 특성 향상으로 인한 태양전지 에너지 변환 효율 향상 효과를 제공하고자 한다.
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公开(公告)号：WO2019103570A1
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：PCT/KR2018/014694
申请日：2018-11-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/06 , H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 전하 선택 접합형(Carrier Selective Contact) 태양전지의 제작 공정 중, 터널링 특성을 갖는 아주 얇은 실리콘 산화막 성장 시 공정 조건의 최적화를 통해 산화막의 박막 내 전하의 극성(Positive, Negative)을 제어할 수 있고, 이를 이용하여 전자 선택 접합층(Electron Selective Contact Layer, ESCL) 및 정공 선택 접합층(Hole Selective Contact Layer, HSCL)에서의 전하 수집율을 증가시켜 전하선택접합형 태양전지의 출력특성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
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公开(公告)号：KR102254528B1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020190106671
申请日：2019-08-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/0216
Abstract: 본발명은절연막을가지는태양전지의전극접촉구조에관한것이고, 절연막을가지는태양전지의전극접촉구조를형성하는방법에관한것이다. 본발명은태양전지의반사방지또는소자보호및 고효율달성을위해형성한절연막을절연파괴전압을이용하여선택적으로투과시켜접촉전극을형성하는방법으로적은에너지만으로전극의접촉특성을얻을수 있다.
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5.发明公开전극 구조, 전극 구조 제조 방법, 전극 구조를 포함하는 트랜지스터, 표시장치, 터치 스크린 패널 및 태양 전지 有权电极结构，制造电极结构和晶体管的方法，显示装置，触摸屏面板和包括电极结构的太阳能电池
公开(公告)号：KR1020130029503A
公开(公告)日：2013-03-25
申请号：KR1020110092782
申请日：2011-09-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01B5/14 , H01B13/00 , H01L29/786 , G06F3/041
CPC classification number: H01B5/14 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B13/00 , H01L29/786 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: An electrode structure, a manufacturing method thereof, a transistor including the same, a display device, a touch screen panel, and a solar cell are provided to constantly maintain the thickness of a transparent electrode layer by inserting a reinforcement pattern into the transparent electrode layer. CONSTITUTION: A transparent electrode layer(120) includes transparent conductive materials. A reinforcement pattern(130) is arranged in the transparent electrode layer. The reinforcement pattern reinforces the transparent electrode layer. The reinforcement pattern includes one of a lattice type, a linear type, or a dot type. A flexible substrate(110) supports the transparent electrode layer and the reinforcement pattern.
Abstract translation: 目的：提供电极结构，其制造方法，包括该晶体管的晶体管，显示装置，触摸屏面板和太阳能电池，以通过将透明电极层的强化图案插入透明电极层来恒定地保持透明电极层的厚度 电极层。 构成：透明电极层（120）包括透明导电材料。 在透明电极层中设置加强图案（130）。 增强图案加强了透明电极层。 加强图案包括格子型，直线型或点型中的一种。 柔性基板（110）支撑透明电极层和加强图案。
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公开(公告)号：KR101181225B1
公开(公告)日：2012-09-10
申请号：KR1020110001400
申请日：2011-01-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 AZO막을 포함하는 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 태양광이 입사하는 반대 측에 형성된 투명전도막층을 포함하는 태양전지의 제조방법에 있어서, 알루미늄이 첨가된 산화아연 타겟을 이용한 스퍼터링에 의하여 상기 투명전도막층을 형성하는 공정을 포함하며, 상기 스퍼터링이 150℃~200℃의 온도범위에서 진행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 최적화된 조건에서 AZO막을 형성함으로써, 후면전극 또는 후면반사막으로 AZO막을 사용한 태양전지를 제공하는 효과가 있다.
또한, 후면전극 또는 후면반사막으로 AZO막을 사용하여 태양전지의 효율이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR101104090B1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：KR1020080085716
申请日：2008-09-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 전하저장 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 형성된 터널링 절연막, 상기 터널링 절연막 상에 형성되어 제1밴드갭 에너지를 구비하는 전하 저장막, 상기 전하 저장막 상에 상기 전하 저장막의 증착에 이용된 혼합가스와 동일한 혼합가스로 형성되어 제2밴드갭 에너지를 구비하는 블로킹 절연막 및 상기 블로킹 절연막 상에 형성된 컨트롤 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하저장 소자를 포함하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 전하저장 소자 및 그의 제조방법을 이용하는 것에 의해, 동일한 혼합가스를 이용하여 전하 저장막 및 블로킹 절연막을 형성함으로써 제조공정을 단순화시켜 메모리 소자의 제조단가를 낮출 수 있고, 밴드갭 에너지 차이에 의해 전하를 저장하는 방법과 트랩에 의하여 전하를 저장하는 방법을 모두 사용함으로써 전하저장 특성을 향상시킬 수 있다.
전하저장, 소자, 터널링, 밴드갭, 트랩-
公开(公告)号：KR101083402B1
公开(公告)日：2011-11-14
申请号：KR1020100038143
申请日：2010-04-23
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/075 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은박막형태양전지와그 제조방법에관한것으로, 더욱자세하게는 p형반도체층에밴드갭이큰 물질을사용하여태양전지의효율을향상시킨박막형태양전지에관한것이다. 본발명에의한박막형태양전지는, i형반도체층; 상기 i형반도체층의일면에접하는 n형반도체층; 및상기 i형반도체층의타면에접하는 p형의비정질 SiO박막으로이루어진 p형반도체층을포함하는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 밴드갭이큰 물질을태양광이입사하는 p형반도체층에적용함으로써박막형태양전지의효율이크게향상되는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101047326B1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090086598
申请日：2009-09-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 플라즈마 건식 식각으로 인해 태양전지에 생긴 표면 손상을 제거하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 태양전지 표면손상 제거방법은, 플라즈마 건식 식각 공정으로 인한 태양전지의 표면손상을 제거하는 방법으로서, 플라즈마 건식 식각 공정을 마친 태양전지 기판의 표면에 산화막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 산화막을 형성하는 방법은 질산용액에 상기 태양전지 기판을 침지하여 이루어지는 것이 바람직하며, 질산용액이 50%농도의 질산용액이고 침지하는 시간이 10~20분일 수 있다.
본 발명에 따르면, 태양전지의 표면에 얇은 두께의 산화막을 형성하는 것만으로도 플라즈마 건식 식각으로 인한 표면 손상을 해소함으로써, 태양전지의 표면을 추가적으로 식각하여 발생하는 여러 가지 문제점들을 미연에 방지할 수 있다.
또한 본 발명은 질산용액에 태양전지 기판을 침지하는 간단한 공정으로 태양전지의 표면 손상을 해소함으로써, 공정효율이 크게 향상되는 효과가 있다.
태양전지, 플라즈마, 건식 식각, 건식에칭, 표면 손상, 표면 손상-
公开(公告)号：KR101013432B1
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020080086990
申请日：2008-09-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 박막 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 비정질 실리콘 박막 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 박막 태양전지 제조방법은, 유리기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 투명전극층을 형성하는 단계; 상기 투명전극층 위에 p형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 p형의 비정질 실리콘층 위에 i형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 i형의 비정질 실리콘층 위에 씨드층을 형성하는 단계; 상기 씨드층 위로 레이저광선을 주사하여 상기 i형의 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계; 결정화된 i형의 실리콘층 위에 n형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 및 상기 n형의 비정질 실리콘층 위에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 레이저광선을 주사하는 면에 씨드층을 형성함으로써 적은 데미지로 비정질 실리콘층을 균일하게 결정화하여 간단한 공정으로 효율이 향상된 박막 태양전지를 제조할 수 있다.
태양전지, 박막 태양전지, 비정질 실리콘 박막 태양전지, 결정화
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