公开(公告)号：KR1020170122910A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：KR1020160051747

申请日：2016-04-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김경남 ,  김기석 ,  문무겸 ,  박진우 ,  윤덕현 ,  이조원

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115

Abstract: 본발명은원자층식각방법에관한것으로서, 본발명에따른원자층식각방법은원자층제거시램프의광원을이용한가열을통해피식각물질층의상면및 측면을동시에제거가능하여수 나노미터스케일의패턴이더라도쉽게평면적크기를줄일수 있는원자층식각방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及原子层蚀刻方法，在根据本发明的原子层蚀刻方法中，可以通过使用灯的光源的加热同时去除层状材料的上表面和侧表面， 提供了即使使用图案也能够容易地减小平面尺寸的原子层蚀刻方法。