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公开(公告)号：KR101889213B1
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：KR1020170013864
申请日：2017-01-31
Applicant: 세종대학교산학협력단
Abstract: 본발명은중량%로, 2wt% 이상내지 20wt% 이하의 Si, 5wt% 초과내지 20wt% 이하의 Mg를함유하고잔부 Al과불가피한불순물로이루어지고, 외부와상기외부에서연결되는내부가연속적으로청색을갖는 Al-Si-Mg계합금에대한것이다. 상기 Al-Si-Mg계합금은전체적으로균일한색을갖고, 우수한가공성을갖는다.
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公开(公告)号：KR101536071B1
公开(公告)日：2015-07-14
申请号：KR1020140026575
申请日：2014-03-06
Applicant: 세종대학교산학협력단
IPC: H01L31/042 , C25B1/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02E60/366 , Y02P20/135
Abstract: 전기화학소자용구조체, 그의제조방법, 및이를구비하는전기화학소자를제공한다. 상기구조체는비정질합금층을구비한다. 상기비정질합금층상에상기비정질합금층으로부터산화된금속산화물층이배치된다.
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公开(公告)号：KR101907783B1
公开(公告)日：2018-10-15
申请号：KR1020170054473
申请日：2017-04-27
Applicant: 세종대학교산학협력단
IPC: C22C9/10
CPC classification number: C22C9/10
Abstract: 구리-실리콘컬러합금을제공한다. 상기컬러합금은하기화학식 1로표시된다. [화학식 1] CuSi상기화학식 1에서, x는 1 내지 40이다. 일예에서, 상기 x는 1 내지 7의범위를만족할때, 상기컬러합금은금색또는황색을나타낼수 있다. 다른예에서, 상기 x가 19 내지 37의범위를만족할때, 상기컬러합금은청회색을나타낼수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170101778A
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020170013864
申请日：2017-01-31
Applicant: 세종대학교산학협력단
Abstract: 본발명은중량%로, 2wt% 이상내지 20wt% 이하의 Si, 5wt% 초과내지 20wt% 이하의 Mg를함유하고잔부 Al과불가피한불순물로이루어지고, 외부와상기외부에서연결되는내부가연속적으로청색을갖는 Al-Si-Mg계합금에대한것이다. 상기 Al-Si-Mg계합금은전체적으로균일한색을갖고, 우수한가공성을갖는다.
Abstract translation: 以重量百分数计，本发明中，包含小于5重量％的比至小于2重量％或更多至20重量％的约20重量％以上的Si，Mg和包含Al的平衡和不可避免的杂质，其连接在外部与外部连续蓝色内部 Al-Si-Mg基合金。 的Al-Si系-Mg系合金作为一个整体具有均匀的冷色系，具有优良的加工性。
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7.发明授权비정질 전구체를 이용한 나노결정립 형상기억합금 또는 비정질 합금을 포함하는 프로브 팁, 이를 포함하는 프로브 카드 및 이의 형상 회복 방법 有权包括使用无定形前体的纳米晶形状记忆合金或无定形合金的探针尖端，包括其的探针卡，以及用于恢复其形状的方法
公开(公告)号：KR101748082B1
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：KR1020160060598
申请日：2016-05-18
Applicant: 세종대학교산학협력단
CPC classification number: G01R1/06755 , C22C30/00 , C22C45/008 , G01R1/06738 , G01R3/00 , G01R31/2886
Abstract: 비정질전구체를이용한나노결정립형상기억합금을포함하는프로브팁이제공된다. 구체적으로, 비정질전구체를이용한나노결정립형상기억합금을포함하는프로브팁은선단부및 몸체부를포함한다. 선단부는도전성재질을포함하고, 반도체장치의검사패드와접촉하도록구성된다. 몸체부는선단부에연결되어선단부에대해전기신호를전달하도록구성된다. 도전성재질은, NiTiHfM으로표현되는형상기억합금(단, a는 40 이상및 50 이하이고, b는 25 이상및 35 이하이며, c는 10 이상및 20 이하이고, d는 5 이상및 10 이하로서, a+b+c+d=100을만족하며, M은 Ni, Ti 및 Hf과음의혼합열을갖는용질원소로서 Ni-Ti-Hf으로이뤄진 B2-B19' 상에고용될수 있는금속임)이다.
Abstract translation: 提供了一种包括使用无定形前体的纳米晶形状记忆合金的探针尖端。 具体地，包括使用无定形前体的纳米晶形状记忆合金的探针尖端包括尖端部分和主体部分。 尖端包括导电材料并被配置为接触半导体器件的测试焊盘。 本体连接到远端并且被配置为将电信号传输到远端。 导电材料，形状记忆合金，其由NiTiHfM（表示然而，为至少40且小于50，b为至少25，35或更小，c为10以上且20以下，d为5以上且10以下， 且a + b + c + d =满足100，M为Ni，Ti和Hf狂欢在于可以在B2-B19“中采用的金属）yirwojin如镍 - 钛 - 铪作为具有混合柱中的溶质元素。
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公开(公告)号：KR101690419B1
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：KR1020150080858
申请日：2015-06-08
Applicant: 세종대학교산학협력단
Abstract: 합금및 이의제조방법을제공한다. 상기합금은하기화학식 1로표시되며, 합금의외부층은내부와다른색을나타낸다. [화학식 1] (MMM)Cu상기화학식 1에서, M은 Fe 또는 Co이고, M는 Nb, V, Mo, Ni, W, 및 Cr로이루어진군에서선택되는금속이고, M는 B 또는 C이다.a, b, 및 c는원자%로서이들의합은 100이되, a는 50 이상 95 이하이다. x와 y는원자 %로서, 이들의합은 100이되, y는 10 이상 60 이하이다. 예를들어, y는 10 이상 35 이하일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160144581A
公开(公告)日：2016-12-19
申请号：KR1020150080858
申请日：2015-06-08
Applicant: 세종대학교산학협력단
Abstract: 합금및 이의제조방법을제공한다. 상기합금은하기화학식 1로표시되며, 합금의외부층은내부와다른색을나타낸다. [화학식 1] (MMM)Cu상기화학식 1에서, M은 Fe 또는 Co이고, M는 Nb, V, Mo, Ni, W, 및 Cr로이루어진군에서선택되는금속이고, M는 B 또는 C이다.a, b, 및 c는원자%로서이들의합은 100이되, a는 50 이상 95 이하이다. x와 y는원자 %로서, 이들의합은 100이되, y는 10 이상 60 이하이다. 예를들어, y는 10 이상 35 이하일수 있다.
Abstract translation: 合金及其制造方法。 该合金由下式1表示，并且该合金的外层呈现与内部不同的颜色。 在通式1]（MMM）的Cu式1中，M为Fe或Co，M是选自Nb，V，钼，镍，W和Cr的组中的金属，M是B或C. a，b和c为原子％，其总和为100，a为50以上且95以下。 x和y是原子％，其总和是100，并且y是10或更大且60或更小。 例如，y可以在10到35之间。
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公开(公告)号：KR101640691B1
公开(公告)日：2016-07-19
申请号：KR1020140195027
申请日：2014-12-31
Applicant: 세종대학교산학협력단
Abstract: 기계적특성이향상된 Sn계합금을제공한다. Sn계합금은하기화학식 1로나타내어지는조성을갖는합금이다. [화학식 1] (SnMM)A(a+b+c=100, 30≤a≤40, 30≤b≤40, 30≤c≤40, 0≤x≤10) 상기화학식 1에서, 상기 M과상기 M는서로다른금속이고, 상기 M또는상기 M는 Al의융점과같거나이보다낮은융점을갖는금속이다. 또한, 상기 A는 Ca 또는미시메탈(Misch metal)이다.
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