公开(公告)号：KR101653463B1

公开(公告)日：2016-09-02

申请号：KR1020140177354

申请日：2014-12-10

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 천승현 ,  전재호 ,  정상균

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/22

Abstract: 그래핀층상의유전막을포함하는전자소자및 그래핀층상의유전막의형성방법을제공한다. 전자소자는그래핀층을포함한다. 상기그래핀층상에, 표면상에탄소를함유하는층을구비하는복수개의제1 반구형구조체들, 그리고상기제1 반구형구조체들사이에형성된제2 반구형구조체를구비하는유전막이배치된다.

公开(公告)号：KR1020150068325A

公开(公告)日：2015-06-19

申请号：KR1020140177354

申请日：2014-12-10

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 천승현 ,  전재호 ,  정상균

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/22

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/22 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4481

Abstract: 그래핀층상의유전막을포함하는전자소자및 그래핀층상의유전막의형성방법을제공한다. 전자소자는그래핀층을포함한다. 상기그래핀층상에, 표면상에탄소를함유하는층을구비하는복수개의제1 반구형구조체들, 그리고상기제1 반구형구조체들사이에형성된제2 반구형구조체를구비하는유전막이배치된다.

Abstract translation: 提供了一种在石墨烯层上具有电介质膜的电子器件，以及在石墨烯层上形成电介质膜的方法。 电子器件包括石墨烯层。 在石墨烯层上，电介质膜具有多个第一半球形结构，其具有在表面上含有碳的层，并且布置形成在第一半球形结构之间的第二半球形结构。