-
公开(公告)号:KR102224860B1
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:KR1020190031938A
申请日:2019-03-20
Applicant: 세종대학교산학협력단 , 부산대학교 산학협력단
CPC classification number: H03F3/211 , H03F3/19 , H03F2200/372
Abstract: 광대역 저잡음 증폭기가 개시된다. 일 실시예에 따른 광대역 저잡음 증폭기는, 제1 주파수 특성을 갖는 제1 증폭 회로, 및 상기 제1 증폭 회로의 후단에 연결되며, 상기 제1 주파수 특성과 상이한 제2 주파수 특성을 갖는 제2 증폭 회로를 포함하는 제1 증폭부; 상기 제2 주파수 특성을 갖는 제3 증폭 회로, 및 상기 제3 증폭 회로의 후단에 연결되며, 상기 제1 주파수 특성을 갖는 제4 증폭 회로를 포함하는 제2 증폭부; 및 상기 제1 증폭부의 출력 신호 및 상기 제2 증폭부의 출력 신호를 합산하는 합산부를 포함한다.
-
公开(公告)号:KR102224264B1
公开(公告)日:2021-03-08
申请号:KR1020200102133A
申请日:2020-08-14
Applicant: 세종대학교산학협력단 , 부산대학교 산학협력단
IPC: H04L29/06
CPC classification number: H04L63/0853 , H04L63/062 , H04L63/0876 , H04L63/12
Abstract: 주변 장치를 이용한 인증 시스템 및 방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 인증 시스템은 컨트롤러; 및, 상기 컨트롤러로부터 인증 요청이 수신되는 경우, 상기 컨트롤러 및 하나 이상의 주변 장치로 주변 인증을 요청하고, 상기 주변 인증의 결과에 따라 상기 컨트롤러로 인증 응답을 송신하는 메인 장치를 포함한다.
-
公开(公告)号:WO2012161406A1
公开(公告)日:2012-11-29
申请号:PCT/KR2012/001102
申请日:2012-02-14
Applicant: 부산대학교 산학협력단 , 남일구 , 최치훈 , 최준우
CPC classification number: H03F3/45179
Abstract: 본 발명은 차동 증폭기에 관한 것으로, 본 발명의 일면에 따른 차동 증폭기는, 소정의 입력 신호를 단일 입력 받으며, 입력 신호의 위상을 기준으로 비반전된 위상을 가지도록 입력 신호를 증폭하는 공통 게이트 증폭부와, 입력 신호의 위상을 기준으로 반전된 위상을 가지도록 입력 신호를 증폭하는 공통 소스 증폭부와, 공통 게이트 증폭부 및 공통 소스 증폭부에서의 출력을 각각 혼합하여, 입력 신호의 위상을 기준으로 비반전된 위상 및 반전 위상의 잡음이 제거된 차동 출력 신호들을 각각 출력하는 혼합부를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种差分放大器。 根据本发明的一个方面的差分放大器包括:公共栅极放大单元,用于接收预定的输入信号并放大输入信号,使得它们根据输入信号的相位具有非反相; 公共源极放大单元,用于放大输入信号,使得后者根据输入信号的相位具有反相; 以及混合单元,用于混合公共栅极放大单元和公共源放大单元的输出,以便输出差分输出信号,根据该信号的相位来输出除非反相和反相的噪声的差分输出信号 输入信号。
-
公开(公告)号:KR102224860B1
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:KR1020190031938
申请日:2019-03-20
Applicant: 세종대학교산학협력단 , 부산대학교 산학협력단
Abstract: 광대역저잡음증폭기가개시된다. 일실시예에따른광대역저잡음증폭기는, 제1 주파수특성을갖는제1 증폭회로, 및상기제1 증폭회로의후단에연결되며, 상기제1 주파수특성과상이한제2 주파수특성을갖는제2 증폭회로를포함하는제1 증폭부; 상기제2 주파수특성을갖는제3 증폭회로, 및상기제3 증폭회로의후단에연결되며, 상기제1 주파수특성을갖는제4 증폭회로를포함하는제2 증폭부; 및상기제1 증폭부의출력신호및 상기제2 증폭부의출력신호를합산하는합산부를포함한다.
-
公开(公告)号:KR102135856B1
公开(公告)日:2020-07-20
申请号:KR1020180076061
申请日:2018-06-29
Applicant: 세종대학교산학협력단 , 부산대학교 산학협력단
-
公开(公告)号:KR102118956B1
公开(公告)日:2020-06-04
申请号:KR1020190106668
申请日:2019-08-29
Applicant: 세종대학교산학협력단 , 부산대학교 산학협력단
-
公开(公告)号:KR102046324B1
公开(公告)日:2019-11-19
申请号:KR1020180031448
申请日:2018-03-19
Applicant: 세종대학교산학협력단 , 부산대학교 산학협력단
IPC: H04K3/00
-
公开(公告)号:KR102224264B1
公开(公告)日:2021-03-08
申请号:KR1020200102133
申请日:2020-08-14
Applicant: 세종대학교산학협력단 , 부산대학교 산학협력단
IPC: H04L29/06
Abstract: 주변장치를이용한인증시스템및 방법이개시된다. 일실시예에따른인증시스템은컨트롤러; 및, 상기컨트롤러로부터인증요청이수신되는경우, 상기컨트롤러및 하나이상의주변장치로주변인증을요청하고, 상기주변인증의결과에따라상기컨트롤러로인증응답을송신하는메인장치를포함한다.
-
公开(公告)号:KR101699516B1
公开(公告)日:2017-01-24
申请号:KR1020150142113
申请日:2015-10-12
Applicant: 부산대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은저전압믹서회로에있어서, RF 신호를입력받는 RF 입력단과 IF 신호를출력하는 IF 출력단을구비하는반전증폭부와, LO 신호를입력받는 LO 입력단을구비하고소정의턴-온저항값을가지며, 양단이상기 RF 입력단과상기 IF 출력단에연결되는스위칭부를포함하며, 상기반전증폭부는상기 LO 신호에기초하여상기 RF 신호를반전증폭하거나소정의전압비율에따라비반전전달함으로써상기 IF 신호를출력하는것을특징으로한다. 이에따라, 입력된로컬오실레이터(LO) 신호의상태에따라입력신호를출력단에반전증폭하거나비반전전달하는동작을수행하며, 저전압회로에서도안정적으로동작하는효과가있다.
-
公开(公告)号:KR101284184B1
公开(公告)日:2013-07-09
申请号:KR1020110146085
申请日:2011-12-29
Applicant: 부산대학교 산학협력단
CPC classification number: H03F3/45273 , H03F1/0211
Abstract: PURPOSE: A current amplifier is provided to reduce power consumption of an overall circuit by preventing the amplification of DC current in amplifying AC signals. CONSTITUTION: A current mirror unit (110) first and second transistors (M11, M12), and generates output current having same phase with input current by amplifying the input current according to the size ratios of the first and second transistors. A DC amplification preventing unit (120) prevents direct current from flowing in the first transistor, and reduces the amount of current amplified according to the size ratios of the first and second transistors. A bias unit (130) supplies bias voltage for operating the second transistor of the DC amplification preventing unit in a saturation area.
Abstract translation: 目的:提供电流放大器,通过防止在放大交流信号中放大直流电流来降低总体电路的功耗。 构成:电流镜单元(110)第一和第二晶体管(M11,M12),并且通过根据第一和第二晶体管的尺寸比放大输入电流来产生与输入电流具有相同相位的输出电流。 DC放大防止单元(120)防止直流在第一晶体管中流动,并且根据第一和第二晶体管的尺寸比减少放大的电流量。 偏置单元(130)在饱和区域中提供用于操作DC放大防止单元的第二晶体管的偏置电压。
-
-
-
-
-
-
-
-
-