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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120013454A
公开(公告)日：2012-02-14
申请号：KR1020117031016
申请日：2009-10-29
Applicant: 소이텍
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/187 , H01L21/76251
Abstract: 본 발명은 UTBOX 타입의 구조물들을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, a) "도너" 기판으로 알려진 기판(1)을 "리시버" 기판으로 알려진 기판(2)과 조립하는 단계로서, 상기 두 기판들 중 적어도 하나는 50 ㎚ 미만의 두께를 갖는 절연층(3)을 포함하는 단계; b) 상기 조립하는 단계 동안 및/또는 상기 조립하는 단계 후에, 상기 두 기판들 사이의 조립을 보강하기 위해 400℃ 미만의 온도에서 상기 조립을 보강하기 위한 제1 열 처리하는 단계; 및 c) 900℃ 초과의 온도에서 제2 열처리하는 단계로서, 400℃ 내지 900℃ 사이의 노출 시간은 1분 또는 30초 미만인 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101446977B1
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020117031016
申请日：2009-10-29
Applicant: 소이텍
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/187 , H01L21/76251
Abstract: 본 발명은 UTBOX 타입의 구조물들을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, a) "도너" 기판으로 알려진 기판(1)을 "리시버" 기판으로 알려진 기판(2)과 조립하는 단계로서, 상기 두 기판들 중 적어도 하나는 50 ㎚ 미만의 두께를 갖는 절연층(3)을 포함하는 단계; b) 상기 조립하는 단계 동안 및/또는 상기 조립하는 단계 후에, 상기 두 기판들 사이의 조립을 보강하기 위해 400℃ 미만의 온도에서 상기 조립을 보강하기 위한 제1 열 처리하는 단계; 및 c) 900℃ 초과의 온도에서 제2 열처리하는 단계로서, 400℃ 내지 900℃ 사이의 노출 시간은 1분 또는 30초 미만인 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130061194A
公开(公告)日：2013-06-10
申请号：KR1020137012834
申请日：2009-10-29
Applicant: 소이텍
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/187 , H01L21/76251
Abstract: 본 발명은 UTBOX 타입의 구조물들을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, a) "도너" 기판으로 알려진 기판(1)을 "리시버" 기판으로 알려진 기판(2)과 조립하는 단계로서, 상기 두 기판들 중 적어도 하나는 50 ㎚ 미만의 두께를 갖는 절연층(3)을 포함하는 단계; b) 상기 조립하는 단계 동안 및/또는 상기 조립하는 단계 후에, 상기 두 기판들 사이의 조립을 보강하기 위해 400℃ 미만의 온도에서 상기 조립을 보강하기 위한 제1 열 처리하는 단계; 및 c) 900℃ 초과의 온도에서 제2 열처리하는 단계를 포함하며, 상기 제1 열 처리 단계와 상기 제2 열 처리 단계 사이에 400℃ 내지 900℃ 사이의 온도에 노출되는 시간은 30초 미만이다.
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公开(公告)号：KR101304245B1
公开(公告)日：2013-09-05
申请号：KR1020117012006
申请日：2009-10-29
Applicant: 소이텍
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/187 , H01L21/76251
Abstract: 본 발명은 UTBOX 타입의 구조물들을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, a) "도너" 기판으로 알려진 기판(1)을 "리시버" 기판으로 알려진 기판(2)과 조립하는 단계로서, 상기 두 기판들 중 적어도 하나는 50 ㎚ 미만의 두께를 갖는 절연층(3)을 포함하는 단계; b) 상기 조립하는 단계 동안 및/또는 상기 조립하는 단계 후에, 상기 두 기판들 사이의 조립을 보강하기 위해 400℃ 미만의 온도에서 상기 조립을 보강하기 위한 제1 열 처리하는 단계; 및 c) 900℃ 초과의 온도에서 제2 열처리하는 단계로서, 400℃ 내지 900℃ 사이의 노출 시간은 1분 또는 30초 미만인 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110075039A
公开(公告)日：2011-07-05
申请号：KR1020117012006
申请日：2009-10-29
Applicant: 소이텍
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/187 , H01L21/76251
Abstract: 본 발명은 UTBOX 타입의 구조물들을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, a) "도너" 기판으로 알려진 기판(1)을 "리시버" 기판으로 알려진 기판(2)과 조립하는 단계로서, 상기 두 기판들 중 적어도 하나는 50 ㎚ 미만의 두께를 갖는 절연층(3)을 포함하는 단계; b) 상기 조립하는 단계 동안 및/또는 상기 조립하는 단계 후에, 상기 두 기판들 사이의 조립을 보강하기 위해 400℃ 미만의 온도에서 상기 조립을 보강하기 위한 제1 열 처리하는 단계; 및 c) 900℃ 초과의 온도에서 제2 열처리하는 단계로서, 400℃ 내지 900℃ 사이의 노출 시간은 1분 또는 30초 미만인 단계를 포함한다.
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