公开(公告)号：KR1020070089821A

公开(公告)日：2007-09-03

申请号：KR1020077014329

申请日：2006-01-12

Applicant: 소이텍

Inventor： 레터트르파브리스 ,  포레브루스

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L31/1892 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/0079 ,  Y02E10/50

Abstract: The present invention relates to a method of producing a substrate for an optoelectronic application, the substrate having at least one active nitride layer on a final carrier and a metallic intermediate layer therebetween, wherein the method comprises: preparation of an auxiliary substrate wherein one semi-conducting nitride layer is placed on an auxiliary carrier; metallising the auxiliary substrate on the side of the nitride layer; bonding of the metallised carrier substrate with the final carrier; and removing of the auxiliary carrier after the bonding step. It is the object of the present invention to provide a method of this type in which the crystalline quality of the active nitride layer(s) can be improved. The object is solved by a method of the above mentioned type wherein the step of preparing the auxiliary substrate comprises: detaching a part from a massive semi-conducting nitride substrate; and transferring said part onto the auxiliary carrier to form the semi-conducting nitride layer thereon.

Abstract translation: 本发明涉及一种制备光电子应用基片的方法，该基底在最终载体上具有至少一个活性氮化物层和其间的金属中间层，其中所述方法包括：制备辅助基底，其中， 导电氮化物层放置在辅助载体上; 在氮化物层的侧面对辅助衬底进行金属化; 金属化载体基板与最终载体的接合; 以及在接合步骤之后去除辅助载体。 本发明的目的是提供一种可以提高活性氮化物层的结晶质量的方法。 该目的通过上述类型的方法来解决，其中准备辅助衬底的步骤包括：从块状半导体氮化物衬底分离一部分; 并将所述部分转移到辅助载体上以在其上形成半导电氮化物层。

公开(公告)号：KR100905977B1

公开(公告)日：2009-07-06

申请号：KR1020077014329

申请日：2006-01-12

Applicant: 소이텍

Inventor： 레터트르파브리스 ,  포레브루스

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L31/1892 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/0079 ,  Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 최종 캐리어 위에 하나 이상의 활성 질화물 층 및 그 사이에 금속성 중간층을 갖는, 광전자 적용을 위한 기판의 제조방법에 관한 것이며, 상기 방법은 하나의 반-도전 질화물 층을 보조 캐리어 위에 위치시킨 보조 기판을 마련하는 단계; 상기 질화물 층의 측면에 상기 보조 기판을 금속화하는 단계; 상기 금속화된 캐리어 기판을 상기 최종 캐리어와 결합하는 단계; 및 상기 결합 단계 후에 상기 보조 캐리어를 제거하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명의 목적은 상기 활성 질화물 층의 결정 품질을 개선시킬 수 있는 상기된 형태의 방법을 제공하고자 하는 것이다. 상기 목적은 보조 기판의 제조단계가 반-도전 질화물 벌크 기판에서 일부를 분리하는 단계; 및 상기 부분을 보조 캐리어 위로 이동시켜 상기 반-도전 질화물층 위에 형성하는 단계를 포함하여 상기된 형태의 방법으로 해결된다.

광전자 적용 기판