公开(公告)号：KR1020170038819A

公开(公告)日：2017-04-07

申请号：KR1020177002895

申请日：2015-07-03

Applicant: 소이텍

Inventor： 코논추크올레그 ,  반덴델레윌리엄 ,  데보네에릭

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L21/306 ,  H01L21/76251 ,  H01L41/042 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08

Abstract: 본발명은무선주파수애플리케이션을위한구조(1)에관한것이며, 이구조는, 하부및 깊이 D까지 p-타입도핑이수행된상부(3)를포함하는고-비저항실리콘의지지기판(2); 지지기판(2)의도핑된상부(3)에형성되는실리콘의메조포러스트래핑층(mesoporous trapping layer)(4)을포함한다. 본발명에따라, 구조(1)는깊이 D 가 1미크론미만이고트래핑층(4)이 20 % 내지 60 % 의다공율(porosity rate)을갖는것에주목할만한가치가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于射频应用的结构（1），包括高电阻率硅的支撑衬底（2），该支撑衬底包括上部（3），其中p型掺杂进行到深度D; 并且在支撑衬底2的掺杂顶部3中形成硅的介孔俘获层4。 根据本发明，值得注意的是，结构1具有小于1微米的深度D，并且俘获层4具有20％至60％的孔隙率。