公开(公告)号：KR101226073B1

公开(公告)日：2013-01-25

申请号：KR1020117012475

申请日：2008-12-19

Applicant: 소이텍

Inventor： 르테트르파브리스 ,  베토우장-마크 ,  부사골앨리스

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/0079

Abstract: 지지 기판 위에 변형된 III-질화물 재료 시드층을 구비하는 복합 기판들이 생성된다. 복합 기판을 생성하는 방법들은 복합 기판 위에 형성될 디바이스 구조의 격자 상수와 실질적으로 일치하는 격자 상수를 생성하기 위해 III-질화물 재료에서 원하는 격자 변형을 발전시키는 단계를 포함한다. III-질화물 재료는 Ga 극성 또는 N 극성으로 형성될 수 있다. 원하는 격자 변형은 III-질화물 재료와 성장 기판 사이에 버퍼층을 형성하고, III-질화물 재료에 도펀트를 주입하거나 불순물을 도입하여 그 격자 상수를 변경하는 단계, 또는 상이한 열팽창 계수(CTE)를 갖는 성장 기판 위에 CTE를 갖는 III-질화물 재료를 형성하는 단계에 의해 발전될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110081331A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：KR1020117012475

申请日：2008-12-19

Applicant: 소이텍

Inventor： 르테트르파브리스 ,  베토우장-마크 ,  부사골앨리스

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/0079

Abstract: 지지 기판 위에 변형된 III-질화물 재료 시드층을 구비하는 복합 기판들이 생성된다. 복합 기판을 생성하는 방법들은 복합 기판 위에 형성될 디바이스 구조의 격자 상수와 실질적으로 일치하는 격자 상수를 생성하기 위해 III-질화물 재료에서 원하는 격자 변형을 발전시키는 단계를 포함한다. III-질화물 재료는 Ga 극성 또는 N 극성으로 형성될 수 있다. 원하는 격자 변형은 III-질화물 재료와 성장 기판 사이에 버퍼층을 형성하고, III-질화물 재료에 도펀트를 주입하거나 불순물을 도입하여 그 격자 상수를 변경하는 단계, 또는 상이한 열팽창 계수(CTE)를 갖는 성장 기판 위에 CTE를 갖는 III-질화물 재료를 형성하는 단계에 의해 발전될 수 있다.