公开(公告)号：KR1020140104477A

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：KR1020147018986

申请日：2012-12-13

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  데이비드카롤 ,  라두이오누트 ,  카펠로루시아나 ,  신쿠인얀

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/324 ,  H01L21/428

Abstract: 본 발명은 전자공학, 광학 및/또는 광전자 분야에서 적용되고 능동층 (14)과 수신기 기판(2) 사이에 매립된 산화물층(5, 16, 23)을 포함하는 구조 (4) 내에 위치되어, 분자 접착에 의하여 획득되는 결합 인터페이스(3)의 안정화 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따라, 상기 방법은 레이저(7)에 의하여 제공된 빛 에너지 플럭스로 구조(4)를 방사 처리하는 단계를 포함하고, 구조를 향하는 방향의 플럭스는 에너지 전환층(6)에 의하여 흡수되어 열로 전환되고, 열은 구조(4) 내에서 결합 인터페이스(3)를 향하여 확산되어 결합 인터페이스(3)가 안정화된다.

公开(公告)号：KR101623968B1

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：KR1020090043531

申请日：2009-05-19

Applicant: 소이텍

Inventor： 카펠로루시아나 ,  코논척올레그 ,  네이레에릭 ,  아바디,알렉상드라 ,  슈바르젠바흐,발터

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 본발명은반도체-온-절연체(semiconductor on insulator) 기판에관한것이고, 구체적으로, 실리콘-온-절연체(silicon on insulator) 기판을제조하는방법에관한것으로, 소스기판을제공하는단계, 상기소스기판내부에원자종(atomic species)을주입하여소정의분할(splitting) 영역을제공하는단계; 상기소스기판을핸들기판에, 바람직하게는본딩에의해, 부착하는단계; 상기소정의분할영역에서소스-핸들결합체로부터상기소스기판의잉여부분(remainder)을분리함으로써, 상기소스기판의소자막을상기핸들기판상으로이송(transfer)하는단계; 및상기소자막의박형화단계를포함한다. ㎠당 100 이하의감소된 SECCO 결함밀도를갖는반도체-온-절연체기판들을얻기위하여, 상기주입은㎠ 당 2.3 × 10원자들이하의주입량(dose)으로수행되고, 상기박형화는 925 ℃이하의온도에서의산화단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101972914B1

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：KR1020147018986

申请日：2012-12-13

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  데이비드카롤 ,  라두이오누트 ,  카펠로루시아나 ,  신쿠인얀

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

公开(公告)号：KR1020100027947A

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：KR1020090043531

申请日：2009-05-19

Applicant: 소이텍

Inventor： 카펠로루시아나 ,  코논척올레그 ,  네이레에릭 ,  아바디,알렉상드라 ,  슈바르젠바흐,발터

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor-on-insulation substrate is provided to reduce the density of SECCO defects by lowering the density of an ion implantation and an oxidation temperature. CONSTITUTION: A pre-set division area is provided in a mono-crystalline source substrate. An atomic species is implanted with a dose of less than 2.3x10^16 atoms per cm^2. The source substrate is attached to a handle substrate(29) to form a source-handle combination. The device layer(41) of the source substrate is transferred on the handle substrate. A thinning operation for the device layer is performed at a temperature of 925 °C or less.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体绝缘基板的方法，通过降低离子注入的密度和氧化温度来降低SECCO缺陷的密度。 构成：在单晶源衬底中提供预设的划分区域。 以小于2.3x10 ^ 16个原子/ cm 2的剂量注入原子种类。 源极衬底附接到手柄衬底（29）以形成源 - 柄组合。 源极衬底的器件层（41）被转移到处理衬底上。 在925℃或更低的温度下进行器件层的薄化操作。