公开(公告)号：KR1020110055676A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117006368

申请日：2009-09-21

Applicant: 소이텍

Inventor： 베이티주크리스텔르 ,  그리띠파브리스 ,  기오에릭 ,  코논추크올레크 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/00014

Abstract: 본 발명은 차례로 지지기판 (1), 산화물 층 (2) 및 얇은 반도체 층 (3)을 포함하는 반도체-온-절연체 (semiconductor-on-insulator) 유형 구조를 처리하는 프로세스이며, 상기 프로세스는
(a) 실리콘 나이트라이드 (silicon nitride) 또는 실리콘 옥시 나이트라이드 (silicon oxinitride) 마스크 (4)를 얇은 반도체 층 (3)에 형성하여, 상기 층 (3)의 표면에 마스크 (40)에 의해 덮히지 않고 원하는 패턴으로 배열되는 소위 노출 영역 (3a)을 정의하는 단계,
(b) 중성 또는 제어된 감소 분위기 (controlled reducing atmosphere)에서, 그리고 온도 및 시간의 제어된 조건 하에 열 처리를 적용하여, 상기 산화물 층 (2)의 산소의 적어도 일부가 얇은 반도체 층 (3)을 통해 확산되도록 유도하여, 이에 의해 상기 원하는 패턴에 상응하는 산화물 층의 영역들 (2a)의 산화물 두께의 제어된 감소를 얻는 단계를 포함하며,
단계 (a)에서, 상기 마스크 (4)는 얇은 반도체 층 (3)의 두께에 적어도 부분적으로 묻히도록 (buried) 형성되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101572070B1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：KR1020117006368

申请日：2009-09-21

Applicant: 소이텍

Inventor： 베이티주크리스텔르 ,  그리띠파브리스 ,  기오에릭 ,  코논추크올레크 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/00014

Abstract: 본발명은차례로지지기판 (1), 산화물층 (2) 및얇은반도체층 (3)을포함하는반도체-온-절연체 (semiconductor-on-insulator) 유형구조를처리하는프로세스이며, 상기프로세스는 (a) 실리콘나이트라이드 (silicon nitride) 또는실리콘옥시나이트라이드 (silicon oxinitride) 마스크 (4)를얇은반도체층 (3)에형성하여, 상기층 (3)의표면에마스크 (40)에의해덮히지않고원하는패턴으로배열되는소위노출영역 (3a)을정의하는단계, (b) 중성또는제어된감소분위기 (controlled reducing atmosphere)에서, 그리고온도및 시간의제어된조건하에열 처리를적용하여, 상기산화물층 (2)의산소의적어도일부가얇은반도체층 (3)을통해확산되도록유도하여, 이에의해상기원하는패턴에상응하는산화물층의영역들 (2a)의산화물두께의제어된감소를얻는단계를포함하며, 단계 (a)에서, 상기마스크 (4)는얇은반도체층 (3)의두께에적어도부분적으로묻히도록 (buried) 형성되는것을특징으로한다.