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公开(公告)号：KR101894072B1
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：KR1020137021243
申请日：2012-02-17
Applicant: 소이텍
CPC classification number: C30B29/40 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403
Abstract: 반도체구조물들및 이들의제조방법과관련한실시예들이개시된다. 일부실시예들에서, 상기방법들은 InGaN과같은 III-V 물질들의반도체구조물들을제조하는데사용될수 있다. In-III-V 반도체층은, 성장표면의온도와같은성장조건들을조절함으로써초-포화구간을생성하여, 포화구간보다높은인듐농도로성장되고, In-III-V 반도체층은포화구간에비해낮춰진 V-피트들의밀도를갖도록성장될것이다.
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公开(公告)号：KR1020120100724A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020120012368
申请日：2012-02-07
Applicant: 소이텍
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B25/16 , C30B25/183 , C30B29/403
Abstract: PURPOSE: A method of forming III/V semiconductor materials and a semiconductor structure formed using the same are provided to epitaxially grow a three iii- nitride material on a substrate in a chamber. CONSTITUTION: A GaN(Gallium Nitride) layer is provided within a chamber. The InGaN(Indium Gallium Nitride) layer is epitaxially grown up on a surface of the GaN layer. A precursor gas mixture is provided within the chamber. The precursor gas mixture is selected to include one or more group III precursors and nitrogen precursors. The InGaN layer is grown up to less than the critical thickness of the InGaN layer. [Reference numerals] (AA) Lattice parameter(a)(A) of InGaN; (BB) Indium content(%) of InGaN
Abstract translation: 目的：提供一种形成III / V半导体材料的方法和使用其形成的半导体结构，以在室中的衬底上外延生长三种氮化钛材料。 构成：在室内提供GaN（氮化镓）层。 在GaN层的表面上外延生长InGaN（氮化铟镓）层。 在室内提供前体气体混合物。 前体气体混合物被选择为包括一种或多种III族前体和氮前体。 InGaN层生长至小于InGaN层的临界厚度。 （AA）InGaN的晶格参数（a）（A） （BB）InGaN的铟含量（％）
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公开(公告)号：KR101353978B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020120012368
申请日：2012-02-07
Applicant: 소이텍
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B25/16 , C30B25/183 , C30B29/403
Abstract: 삼원 Ⅲ-니트라이드 물질의 제조 방법은 챔버 내의 기판 상에서 삼원 Ⅲ-니트라이드 물질을 에피택실하게 성장시키는 것을 포함한다. 에피택실한 성장은 쳄버 내의 질소 전구체의 부분압 대 하나 이상의 그룹 Ⅲ 전구체의 부분압의 비교적 높은 비를 포함하는 쳄버 내의 전구체 기체 혼합물을 제공하는 것을 포함한다. 적어도 일부분은 비교적 높은 비 때문에, 삼원 Ⅲ-니트라이드 물질의 층은 작은 V-피트 결함이 있는 큰 최종 두께로 성장될 수 있다. 이러한 삼원 Ⅲ-니트라이드 물질층을 포함하는 반도체 구조가 이러한 방법을 사용하여 제조된다.
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公开(公告)号：KR1020140003533A
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：KR1020137021243
申请日：2012-02-17
Applicant: 소이텍
CPC classification number: C30B29/40 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403
Abstract: 반도체 구조물들 및 이들의 제조 방법과 관련한 실시예들이 개시된다. 일부 실시예들에서, 상기 방법들은 InGaN과 같은 III-V 물질들의 반도체 구조물들을 제조하는데 사용될 수 있다. In-III-V 반도체 층은, 성장 표면의 온도와 같은 성장 조건들을 조절함으로써 초-포화 구간을 생성하여, 포화 구간보다 높은 인듐 농도로 성장되고, In-III-V 반도체 층은 포화 구간에 비해 낮춰진 V-피트들의 밀도를 갖도록 성장될 것이다.
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